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公开(公告)号：CN100346462C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN03107447.2
申请日：2003-03-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/00
Abstract: 提供一种不昂贵的具有高的可靠性的工件固定器和一种设有工件固定器的加工设备，其能防止由空气中的氧所引起的损坏。固定器包括：陶瓷体，其具有电极和加热器电路并能够固定工件；管形件，其具有连接至陶瓷体的末端部分；密封件，其放在管形件的内部并将管形件的内部空间分成两个区域：在第一末端部分的区域(“密封部分”)和在相对侧的区域(“相对区域”)；和电源导电元件，其从相对区域侧，穿过密封件至密封区域侧，并与电极和加热器电路电气连接。
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公开(公告)号：CN100339951C
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN03801379.7
申请日：2003-02-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/027 , H05B3/74 , H01L21/02
Abstract: 提供一种用于制备半导体的加热装置，其可以均匀地加热待处理的晶片或其它材料，并且具体而言，提供一种用于在涂布机显影装置中热硬化光刻法用树脂薄膜和用于热煅烧低介电常数绝缘薄膜的加热装置，该装置包含：在其中嵌有电阻加热元件(2)的陶瓷支架(1)，其支持和加热处理材料如晶片(6)，支撑所述的陶瓷支架(1)的筒状支撑构件(4)，和容纳支架(1)和支撑构件(4)的室(5)，其中筒状支撑构件(4)的气氛与室(5)中的气氛通过消除由陶瓷支架(1)的气密密封或通过控制气体的吸入与排出而相互保持基本相同。
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公开(公告)号：CN1689732A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510072778.4
申请日：1999-07-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: B22F3/10 , C04B35/581
CPC classification number: C04B35/581 , H01L23/15 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种制备氮化铝烧结体的方法，包括以下步骤：制备包含至少0.01重量％但少于0.05重量％的碳粉、至少0.01重量％并不超过5重量％的以其氧化物计的碱土金属元素、至少0.01重量％并不超过10重量％的以其氧化物计的稀土元素、剩余部分主要由氮化铝粉末构成的混合粉末；将该混合粉末制成坯体；通过烧结该坯体形成烧结体。
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公开(公告)号：CN1225342C
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN03122977.8
申请日：2003-04-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: B23K31/00
CPC classification number: H01L21/67103 , H05B3/143 , H05B3/265
Abstract: 一种陶瓷基座，其固定晶片面具有很好的等温性，适用于半导体装置和液晶装置。在盘状烧结体1中，设置电阻加热元件2。烧结陶瓷体外边界1a和电阻加热区域外边界2a之间的拉伸距离L的变化范围为±0.8%，固定晶片面的整个表面的额定等温线变化范围在±1.0%左右，并且当所述的L控制在±0.5%时，额定等温线控制在±0.5%。
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公开(公告)号：CN1685180A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN200380100111.X
申请日：2003-10-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: F24H3/04
CPC classification number: H01L21/67109 , F24H3/0405
Abstract: 提供一种气体加热方法和小尺寸节能气体加热设备，其使用能高速加热气体而不被气体腐蚀的加热器，从而能直接、有效地加热气体。多个板状陶瓷加热器(30)或其中结合了多个陶瓷加热器的加热装置以交错壁架的形式设置在气体的流动通路中或加热室中，以形成Z字形气体流动通路A；供至气体流动通路A的气体由陶瓷加热器(30)或加热装置直接加热。所述气体加热设备(10)可用于处理含NOx的废气或者有害/有毒废气的设备中，以加热废气和它们的稀释气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1613275A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN03801916.7
申请日：2003-03-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L21/68757 , H01L21/67103 , H05B3/143
Abstract: 制造了有效的用于半导体制造设备的陶瓷基座，其中通过电阻加热元件线路间距离的最优化，预防了由于加热操作过程中电阻加热元件线路间短路造成的损坏，同时维持了晶片表面温度的均匀性。用于半导体制造设备的陶瓷基座(1)在其陶瓷基片(2)的表面或内部具有电阻加热元件(3a)，电阻加热元件(3a)截面上由电阻加热元件(3a)的底部和侧面形成的最小角θ为5°或更大。等离子体电极可安排在陶瓷基座(1)中陶瓷基片(2a)的表面或内部。优选陶瓷基片(2a)由选自氮化铝、氮化硅、氮氧化铝、和碳化硅中的至少一种制成。
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公开(公告)号：CN1593073A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN03801539.0
申请日：2003-03-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H05B3/20 , H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/02
Abstract: 一种晶片保持体，其中通过抑制了支撑和加热晶片时的局部热辐射，改善了晶片保持表面的均匀加热性能，和一种使用该晶片保持体制备半导体的系统，其适宜于即使大直径的晶片的加工。所述的晶片保持体(1)包括包埋于陶瓷基材(2)中的电阻加热元件(3)，和穿过反应室(6)的引线(4)，其中引线(4)分别容纳于导向构件(5)中。导向构件(5)与反应室(6)是气密密封的，并且导向构件(5)的内部也是气密密封的。导向构件(5)与陶瓷基材(2)相互不连接，并且在内部密封的导向构件(5)中的陶瓷基材(2)侧的气氛基本上与反应室(6)中的气氛相同。
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公开(公告)号：CN1163955C
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN99102471.0
申请日：1999-03-02
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C04B35/581 , B32B37/12 , B32B2315/02 , C04B35/111 , C04B35/6263 , C04B35/62655 , C04B35/62695 , C04B35/6342 , C04B35/638 , C04B37/005 , C04B37/006 , C04B41/009 , C04B41/5001 , C04B41/85 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/3865 , C04B2235/3895 , C04B2235/449 , C04B2235/528 , C04B2235/5427 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5481 , C04B2235/602 , C04B2235/6021 , C04B2235/6025 , C04B2235/604 , C04B2235/608 , C04B2235/656 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/85 , C04B2235/94 , C04B2235/9607 , C04B2235/9615 , C04B2235/963 , C04B2235/9638 , C04B2237/08 , C04B2237/10 , C04B2237/122 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/66 , C04B2237/72 , C23C16/4581 , C30B25/12 , C30B31/14 , Y10S428/901 , Y10T428/12542 , Y10T428/12549 , Y10T428/24926 , Y10T428/252 , Y10T428/30 , C04B41/4531 , C04B41/53 , B32B18/00
Abstract: 一种层叠多个氮化铝陶瓷衬底与高熔点金属层和粘附层而获得硅片保持体及其制造方法，该氮化铝陶瓷衬底包括3a族元素化合物，剩余部分为氮化铝(AlN)，3a族元素占重量的0.01到1%。其中AlN晶体的平均颗粒大小为从2到5μm。材料粉末混合，模制，在非氧化气氛下1600到2000℃下焙烧，形成衬底，而后层叠多个衬底，其间插入高熔点金属层和粘附层，在上述气氛中1500到1700℃下焙烧层叠体以及修整，制成保持体。
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公开(公告)号：CN102047383A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201080001676.2
申请日：2010-03-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6831 , C23C16/4581 , C23C16/4586 , H01J37/32577 , H01L21/67069 , H01L21/68792
Abstract: 本发明提供一种晶片保持体及搭载该晶片保持体的半导体制造装置，所述晶片保持体具有不产生异常过热或微粒的可靠性高的高频电极电路。本发明提供晶片保持体(10)，设置于腔室内，具有埋设有高频电极电路(5)的晶片保持部(1)、从晶片保持部(1)的晶片载置面(1a)的相反侧的面(1b)支撑晶片保持部(1)的支撑构件(2)、相对于该支撑构件(2)设置于晶片保持部(1)的相反侧的接地部件(3)以及插入支撑构件(2)的内部且将高频电极电路(5)和接地部件(3)电连接的导电性连接部件(7)，其中，该导电性连接部件(7)具有沿垂直方向变形的能力，并且，导电性连接部件(7)中的形成主要电流通路的连接部分以面接触的方式固定。
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公开(公告)号：CN100486933C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN02801227.5
申请日：2002-04-11
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L21/6833 , B32B18/00 , B32B2309/022 , B32B2315/02 , C04B35/44 , C04B35/581 , C04B37/005 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3865 , C04B2235/96 , C04B2237/064 , C04B2237/08 , Y10T279/23
Abstract: 提供一种基片支承构造体，所述的基片支承构造体具有优良的耐腐蚀性及气密性、同时有优良的尺寸精度，在被加有机械的或热的应力时有足够的耐久性。本发明基片支承构造体的支承体(1)包括：支承基片用的陶瓷基体(2)，其具有电路(4、5、6)；与所述陶瓷基体(2)的所述电路(4、5、6)连接的供电用导电构件(13a～13d)；接合在陶瓷基体(2)上并且包围所述供电用导电构件(13a～13d)的保护筒体(7)；位于陶瓷基体(2)与保护筒体(7)之间并把陶瓷基体(2)和保护筒体(7)接合的接合层(8)，其氦漏气率小于1.0×10-8Pa·m3/S。接合层(8)含有稀土类氧化物质量2%以上质量70%以下、氧化铝质量10%以上质量78%以下、氮化铝质量2%以上质量50%以下。该接合层(8)包含通过使所述氮化铝溶解再析出现象析出形成的氮化铝粒子，在接合层(8)的上述三种成分中稀土类氧化物或氧化铝的比例最多。
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