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公开(公告)号：CN106165202B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201580012762.6
申请日：2015-01-19
Abstract: 端子连接构造具备：阳端子及具有弹性以从两侧夹住上述阳端子的方式与上述阳端子嵌合的阴端子，上述阳端子包括：母材、覆盖上述母材的第一基底层、覆盖上述第一基底层的第二基底层及覆盖上述第二基底层的最表层，上述第一基底层和上述第二基底层硬度不同。
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公开(公告)号：CN104701306B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201410738558.X
申请日：2014-12-05
IPC: H01L25/07
CPC classification number: H01L23/047 , H01L21/565 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/4334 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/13055 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种半导体装置，其包括：半导体元件，其设置在平面上；密封树脂，其对所述半导体元件进行密封；端子，其电连接到所述半导体元件并且包括从所述密封树脂的预定表面突出的部分；以及凹部，当沿与所述平面垂直的方向观察时，所述凹部从所述预定表面朝向所述半导体元件侧凹进。当沿与所述平面垂直的方向观察时，在所述半导体元件侧的所述凹部的边包括R形状。
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公开(公告)号：CN106062950A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580012369.7
申请日：2015-01-15
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具有：半导体元件；第一板状部，其与所述半导体元件的上表面侧的电极电连接，并具备从侧面突起的第一接头部，且由导电体构成；第二板状部，其具备从侧面突起的第二接头部，且由导电体构成，所述第一接头部的下表面与所述第二接头部的上表面以对置的方式被配置，且经由导电性的接合材料而被电连接，在所述第一接头部的下表面与所述第二接头部的上表面对置的部分处，设置有确保所述第二接头部的顶端上部和所述第一接头部的下表面之间的所述接合材料的厚度的接合材料厚度确保单元。
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公开(公告)号：CN106062950B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201580012369.7
申请日：2015-01-15
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具有：半导体元件；第一板状部，其与所述半导体元件的上表面侧的电极电连接，并具备从侧面突起的第一接头部，且由导电体构成；第二板状部，其具备从侧面突起的第二接头部，且由导电体构成，所述第一接头部的下表面与所述第二接头部的上表面以对置的方式被配置，且经由导电性的接合材料而被电连接，在所述第一接头部的下表面与所述第二接头部的上表面对置的部分处，设置有确保所述第二接头部的顶端上部和所述第一接头部的下表面之间的所述接合材料的厚度的接合材料厚度确保单元。
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公开(公告)号：CN105518841B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201480048461.4
申请日：2014-08-29
IPC: H01L21/60 , H01L25/07 , H01L23/051 , H01L23/492 , H01L23/495
Abstract: 半导体装置包括：对置的第一和第二金属板；多个半导体元件，均介于第一和第二金属板之间；金属块，其介于第一金属板和每个半导体元件之间；焊料构件，其介于第一金属板和金属块之间且将第一金属板连接至金属块；和注塑树脂，其密封半导体元件和金属块。第一金属板的一面，其为金属块经由焊料构件连接至第一金属板的一面的对置侧，暴露于注塑树脂外。第一金属板具有沿着其中设置有焊料构件的区域外周形成的凹槽，凹槽共同围绕焊料构件以防止焊料构件在第一金属板的黏结面上散布。每个半导体元件可以是功率半导体开关元件如IGBT，其在转换电功率时进行开关操作，且每个半导体元件可以是为了在中断对应的一个半导体元件时循环电流所需的回流二极管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105900289A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201480072596.4
申请日：2014-12-30
CPC classification number: H01R13/03 , H01R12/716 , H01R13/05 , H01R13/11 , H01R2201/26
Abstract: 一种端子连接结构，包括：凸端子(16)；以及凹端子(31))，其上装配有所述凸端子。所述凸端子包括第一金属材料(161)以及形成在所述凸端子的最外表面上以直接或间接地涂覆所述第一金属材料的第一金属膜(163)。所述凹端子包括第二金属材料(311)以及形成在所述凹端子的最外表面上以直接或间接地涂覆所述第二金属材料的第二金属膜(312)。所述第一金属材料的硬度不同于所述第二金属材料的硬度。
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公开(公告)号：CN105556664A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201480050991.2
申请日：2014-09-09
CPC classification number: H01L23/3672 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/4334 , H01L23/49562 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L24/33 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 提供一种能够实现在开关元件的排列方向上的小型化并能够降低浪涌电压、且即使密封树脂体的绝缘性能下降也不易发生短路的半导体装置。在第1开关元件(20)与第2开关元件(30)的排列方向上，第2散热片(52)与第3散热片(54)通过接头部(58)被电连接。另外，第2电源端子(42)在排列方向上配置于第1电源端子(40)与输出端子(44)之间且第2散热片与第3散热片之间的区域。而且，在密封树脂体(66)内，与第1电源端子相同电位的第1电位部和与输出端子相同电位的第3电位部的最短距离、以及与第2电源端子相同电位的第2电位部与第3电位部的最短距离中的至少一个距离比第1电位部与第2电位部的最短距离短。
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公开(公告)号：CN104701306A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410738558.X
申请日：2014-12-05
IPC: H01L25/07
CPC classification number: H01L23/047 , H01L21/565 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/4334 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/13055 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种半导体装置，其包括：半导体元件，其设置在平面上；密封树脂，其对所述半导体元件进行密封；端子，其电连接到所述半导体元件并且包括从所述密封树脂的预定表面突出的部分；以及凹部，当沿与所述平面垂直的方向观察时，所述凹部从所述预定表面朝向所述半导体元件侧凹进。当沿与所述平面垂直的方向观察时，在所述半导体元件侧的所述凹部的边包括R形状。
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公开(公告)号：CN104347573A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410350640.5
申请日：2014-07-22
IPC: H01L23/495 , H02M7/00 , H02M1/00
CPC classification number: H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L24/89 , H01L2224/48247 , H01L2224/85001 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及引线框架、电力变换装置、半导体设备及其制造方法。根据本公开，提供一种引线框架，包括：并排地布置的第一岛和第二岛；外周框架；第一引线，第一引线在与第一方向垂直的第二方向上延伸；第二引线，第二引线在第二方向上延伸；第一联结部分，第一联结部分将第一引线联结到框架；第二联结部分，第二联结部分将第二引线联结到框架；中间部分，中间部分在第一方向上形成在第一和第二联结部分之间使得中间部分在第二方向上延伸以在在第一和第二岛之间的空间之前终止；和变形抑制部分，变形抑制部分被形成或者设置在第一引线、第二引线、第一和第二联结部分中的至少一个之中，并且被构造成抑制在模制过程期间第一和第二引线的变形。
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公开(公告)号：CN103620768A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201280032343.5
申请日：2012-04-26
CPC classification number: H01L23/49562 , H01L22/34 , H01L23/3114 , H01L23/4334 , H01L23/492 , H01L23/495 , H01L23/4951 , H01L23/4952 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49551 , H01L23/49555 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L25/072 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40137 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2224/859 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种材料出成率较高的引线框架及功率组件。引线框架包括：多个第一引线，其在俯视观察时，于配置有半导体元件的区域的一侧延伸；多个第二引线，其在俯视观察时，于配置有所述半导体元件的区域的、与所述一侧为相反侧的另一侧延伸；第三引线，其在俯视观察时，排列在多个所述第一引线中的位于端部的第一引线的外侧；布线部，其被连接于所述第三引线，且为所述第一引线、所述第二引线及所述第三引线的导承框的一部分，并且在切除了所述导承框的该一部分以外的部分之后，成为与所述第三引线连接的布线。
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