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公开(公告)号：CN115298834A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180022782.7
申请日：2021-03-25
Applicant: 丰田合成株式会社 , 株式会社POWDEC
IPC: H01L29/812 , H01L21/28 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/47 , H01L29/778 , H01L29/808 , H01L29/872
Abstract: 本技术的目的在于提供耐压性优异的半导体元件及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第二半导体层(120)或第三半导体层(130)之上的源极电极(S1)及漏极电极(D1)以及第四半导体层(140)之上的栅极电极(G1)。棒状形状的前端部分中的连接从源极电极接触区域(SC1)至漏极电极接触区域(DC1)的最短距离的方向的极化超结区域的长度(Lpsj2)为棒状形状的除前端部分以外的部分中的连接从源极电极接触区域(SC1)至漏极电极接触区域(DC1)的最短距离的方向的极化超结区域的长度(Lpsj1)以上。
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公开(公告)号：CN102812566A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201180014812.6
申请日：2011-03-14
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/0095 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一个问题是提高光发射效率和可靠性。为了解决该问题，在第二半导体层(108)的整个顶表面上形成透明导电膜(10)，并在该形成的透明导电膜上施加光刻胶。当移除在上表面上的与第一半导体层(104)的电极形成部分(16)相对应的光刻胶时，光刻胶被移除，使得在待移除的部分的边界处朝向移除的部分逐渐地变薄。使用剩余的光刻胶作为掩模来对透明导电膜进行湿法蚀刻，以露出第二半导体层的一部分。使用剩余的光刻胶和透明导电膜作为掩模来执行干法蚀刻，以露出第一半导体层的电极形成部分。使用剩余的光刻胶作为掩模来对在干法蚀刻中露出的透明导电层的部分进行湿法蚀刻，以清除剩余的光刻胶。
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公开(公告)号：CN102386295A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110251962.0
申请日：2011-08-24
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/387 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种包括半导体叠层结构的发光元件，该半导体叠层结构包括氮化物半导体，并且通过层叠第一半导体层、发光层和第二半导体层而形成，第一半导体层为第一导电型，第二半导体层为不同于第一导电型的第二导电型，第一半导体层通过去除第二半导体层和发光层的一部分而暴露，凹部形成在第一半导体层的暴露部中，第一电极形成在凹部上并且与第一半导体层欧姆接触，而第二电极与第二半导体层欧姆接触并且围绕第一电极形成。
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公开(公告)号：CN102024891A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010280910.1
申请日：2010-09-10
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/46 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及发光元件。一种发光元件包括：半导体叠层结构，该半导体叠层结构包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；设置在半导体叠层结构上的绝缘层；第一布线，第一布线包括第一垂直导电部分和第一平面导电部分并且电连接至第一半导体层，第一垂直导电部分在垂直方向上在绝缘层、发光层和第二半导体层内延伸，以及第一平面导电部分在平面方向上在绝缘层内延伸；以及第二布线，第二布线包括第二垂直导电部分和第二平面导电部分并且电连接至第二半导体层，第二垂直导电部分在垂直方向上在绝缘层内延伸并且第二平面导电部分在平面方向上在绝缘层内延伸。
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公开(公告)号：CN116646375A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310136430.5
申请日：2023-02-20
Applicant: 丰田合成株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本技术的目的在于提供具有IIIA族氮化物半导体并且以常闭进行动作的半导体元件及其制造方法。第3半导体层130A具有第3半导体层p型区域132A。第2区域R2是将使相对于第1半导体层110为上层的p型区域投影于基板Sub1的第1表面Sub1a所得的投影区域由垂直于投影区域的面进行包围的区域。栅电极G1是相对于第3半导体层p型区域132A为上层且位于第2区域R2。第2半导体层120A在第1区域R1具有第1非掺杂区域121，在第2区域R2的第1半导体层110的一侧具有第2非掺杂区域122，在第2区域R2的第3半导体层130的一侧具有第2半导体层p型区域123A。第3半导体层p型区域132A与第2半导体层p型区域123A连续。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102812566B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201180014812.6
申请日：2011-03-14
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/0095 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一个问题是提高光发射效率和可靠性。为了解决该问题，在第二半导体层(108)的整个顶表面上形成透明导电膜(10)，并在该形成的透明导电膜上施加光刻胶。当移除在上表面上的与第一半导体层(104)的电极形成部分(16)相对应的光刻胶时，光刻胶被移除，使得在待移除的部分的边界处朝向移除的部分逐渐地变薄。使用剩余的光刻胶作为掩模来对透明导电膜进行湿法蚀刻，以露出第二半导体层的一部分。使用剩余的光刻胶和透明导电膜作为掩模来执行干法蚀刻，以露出第一半导体层的电极形成部分。使用剩余的光刻胶作为掩模来对在干法蚀刻中露出的透明导电层的部分进行湿法蚀刻，以清除剩余的光刻胶。
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公开(公告)号：CN102201515B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201110080168.4
申请日：2011-03-25
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/42
Abstract: 第一中间电极30是与在第一半导体层104的表面上的多个位置形成的多个电极形成分别连接的多个电极。第二中间电极40是与透明导电膜的多个位置分别连接的多个电极。第一电极60将多个第一中间电极连接在一起，而第二电极70将多个第二中间电极连接在一起。透明导电膜10在其中第一中间电极和第二中间电极之间的距离最短的区域A内形成为比其他区域内薄。
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公开(公告)号：CN110277729B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201910171319.3
申请日：2019-03-07
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明公开了一种发光装置，该发光装置包括：第一半导体激光元件；第二半导体激光元件；以及光出射表面，其发射来自第一半导体激光元件和第二半导体激光元件的光。当从包括在光出射表面的表面上的点并且与光提取方向垂直的平整表面观看时，第一半导体激光元件被设置在比第二半导体激光元件更远的位置处。
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公开(公告)号：CN110274165A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910085363.2
申请日：2019-01-29
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: F21K9/23 , F21K9/68 , F21K9/64 , F21Y115/30
Abstract: 本发明提供了一种发光装置，该发光装置包括多个半导体激光元件和多个反射器，所述多个半导体激光元件包括第一半导体激光元件，所述多个反射器包括用于对从第一半导体激光元件发射的光进行反射的第一反射器，反射器中的每个反射器对从所述多个半导体激光元件中的相应的一个半导体激光元件发射的光进行反射。从第一半导体激光元件发射的光穿过所述多个反射器中的除第一反射器之外的两个反射器之间的间隙并到达第一反射器。从所述多个半导体激光元件发射的光在与其朝向所述多个反射器的入射方向不同的方向上被提取。
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