-
公开(公告)号：CN102024891B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201010280910.1
申请日：2010-09-10
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/46 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及发光元件。一种发光元件包括：半导体叠层结构，该半导体叠层结构包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；设置在半导体叠层结构上的绝缘层；第一布线，第一布线包括第一垂直导电部分和第一平面导电部分并且电连接至第一半导体层，第一垂直导电部分在垂直方向上在绝缘层、发光层和第二半导体层内延伸，以及第一平面导电部分在平面方向上在绝缘层内延伸；以及第二布线，第二布线包括第二垂直导电部分和第二平面导电部分并且电连接至第二半导体层，第二垂直导电部分在垂直方向上在绝缘层内延伸并且第二平面导电部分在平面方向上在绝缘层内延伸。
-
公开(公告)号：CN102738338B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201210086807.2
申请日：2012-03-28
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L2933/0083
Abstract: 本发明提供了一种第III族氮化物半导体发光器件，所述发光器件表现出沿着特定方向的高强度的光输出量以及改进的光提取性能。所述第III族氮化物半导体发光器件包括：蓝宝石衬底；和层状结构，该层状结构具有设置在所述蓝宝石衬底上并且由第III族氮化物半导体形成的发光层。在所述蓝宝石衬底的层状结构侧的表面上，以一定周期形成凸起的二维周期性结构，所述周期性结构对于从所述发光层发射出的光生成光强度干涉图案。由所述二维周期性结构反射或透射的光具有干涉图案。因此，在所述干涉图案中光强度高区域会聚的光可以被高效地输出到外部，从而导致光提取性能的改进并实现了期望的方向特性。
-
公开(公告)号：CN102738338A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210086807.2
申请日：2012-03-28
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L2933/0083
Abstract: 本发明提供了一种第III族氮化物半导体发光器件，所述发光器件表现出沿着特定方向的高强度的光输出量以及改进的光提取性能。所述第III族氮化物半导体发光器件包括：蓝宝石衬底；和层状结构，该层状结构具有设置在所述蓝宝石衬底上并且由第III族氮化物半导体形成的发光层。在所述蓝宝石衬底的层状结构侧的表面上，以一定周期形成凸起的二维周期性结构，所述周期性结构对于从所述发光层发射出的光生成光强度干涉图案。由所述二维周期性结构反射或透射的光具有干涉图案。因此，在所述干涉图案中光强度高区域会聚的光可以被高效地输出到外部，从而导致光提取性能的改进并实现了期望的方向特性。
-
公开(公告)号：CN102024891A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010280910.1
申请日：2010-09-10
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/46 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及发光元件。一种发光元件包括：半导体叠层结构，该半导体叠层结构包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；设置在半导体叠层结构上的绝缘层；第一布线，第一布线包括第一垂直导电部分和第一平面导电部分并且电连接至第一半导体层，第一垂直导电部分在垂直方向上在绝缘层、发光层和第二半导体层内延伸，以及第一平面导电部分在平面方向上在绝缘层内延伸；以及第二布线，第二布线包括第二垂直导电部分和第二平面导电部分并且电连接至第二半导体层，第二垂直导电部分在垂直方向上在绝缘层内延伸并且第二平面导电部分在平面方向上在绝缘层内延伸。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.028 seconds)
