公开(公告)号：CN102812566B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201180014812.6

申请日：2011-03-14

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 中條直树 ,  神谷真央 ,  本间昭广

IPC: H01L33/38 ,  H01L21/28 ,  H01L33/42

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一个问题是提高光发射效率和可靠性。为了解决该问题，在第二半导体层(108)的整个顶表面上形成透明导电膜(10)，并在该形成的透明导电膜上施加光刻胶。当移除在上表面上的与第一半导体层(104)的电极形成部分(16)相对应的光刻胶时，光刻胶被移除，使得在待移除的部分的边界处朝向移除的部分逐渐地变薄。使用剩余的光刻胶作为掩模来对透明导电膜进行湿法蚀刻，以露出第二半导体层的一部分。使用剩余的光刻胶和透明导电膜作为掩模来执行干法蚀刻，以露出第一半导体层的电极形成部分。使用剩余的光刻胶作为掩模来对在干法蚀刻中露出的透明导电层的部分进行湿法蚀刻，以清除剩余的光刻胶。

公开(公告)号：CN102812566A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201180014812.6

申请日：2011-03-14

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 中條直树 ,  神谷真央 ,  本间昭广

IPC: H01L33/38 ,  H01L21/28 ,  H01L33/42

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一个问题是提高光发射效率和可靠性。为了解决该问题，在第二半导体层(108)的整个顶表面上形成透明导电膜(10)，并在该形成的透明导电膜上施加光刻胶。当移除在上表面上的与第一半导体层(104)的电极形成部分(16)相对应的光刻胶时，光刻胶被移除，使得在待移除的部分的边界处朝向移除的部分逐渐地变薄。使用剩余的光刻胶作为掩模来对透明导电膜进行湿法蚀刻，以露出第二半导体层的一部分。使用剩余的光刻胶和透明导电膜作为掩模来执行干法蚀刻，以露出第一半导体层的电极形成部分。使用剩余的光刻胶作为掩模来对在干法蚀刻中露出的透明导电层的部分进行湿法蚀刻，以清除剩余的光刻胶。