公开(公告)号：CN101312228A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200810097739.3

申请日：2008-05-23

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 神谷真央 ,  长谷川恭孝 ,  户谷真悟

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0091

Abstract: 本发明涉及一种半导体发光元件100及其形成方法，所述半导体发光元件100包括在蓝宝石衬底上依次层叠的缓冲层102、n－型GaN层103、发光层104和p－型层105，并且具有由ITO针状晶体制成的透光电极106。

公开(公告)号：CN102169942A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201110046839.5

申请日：2011-02-24

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 神谷真央 ,  长谷川恭孝

IPC: H01L33/40

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44

Abstract: 一种半导体发光元件，包括：半导体层积体，该半导体层积体按顺序包括第一导电型层、发光层和第二导电型层；形成在第一导电型层上且包括氧化物的透明电极；以及形成在第一导电型层与透明电极之间的辅助电极，该辅助电极与该透明电极相比具有更高的针对从发光层发射的光的反射率、更大的与第一导电型层之间的接触电阻、以及更小的薄层电阻。

公开(公告)号：CN102169942B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201110046839.5

申请日：2011-02-24

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 神谷真央 ,  长谷川恭孝

IPC: H01L33/40

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44

Abstract: 一种半导体发光元件，包括：半导体层积体，该半导体层积体按顺序包括第一导电型层、发光层和第二导电型层；形成在第一导电型层上且包括氧化物的透明电极；以及形成在第一导电型层与透明电极之间的辅助电极，该辅助电极与该透明电极相比具有更高的针对从发光层发射的光的反射率、更大的与第一导电型层之间的接触电阻、以及更小的薄层电阻。

公开(公告)号：CN100472723C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200510108052.1

申请日：2005-09-29

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 吉田和广 ,  长谷川恭孝 ,  加贺广持

IPC: H01L21/28 ,  H01L33/00 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L31/1884 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12041 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种透光性高、电阻低的透光性电极的制造方法。半导体发光元件(100)是在蓝宝石衬底上依次层叠了缓冲层(102)、非掺杂GaN层(103)、高载流子浓度n+层(104)、n型层(105)、发光层(106)、p型层(107)、p型接触层(108)而形成的，具有在至少存在氧的气氛下利用电子束蒸镀法或者离子电镀法形成、且之后进行烧制而形成的由ITO构成的透光性电极(110)。

公开(公告)号：CN101312228B

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN200810097739.3

申请日：2008-05-23

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 神谷真央 ,  长谷川恭孝 ,  户谷真悟

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0091

Abstract: 本发明涉及一种半导体发光元件100及其形成方法，所述半导体发光元件100包括在蓝宝石衬底上依次层叠的缓冲层102、n-型GaN层103、发光层104和p-型层105，并且具有由ITO针状晶体制成的透光电极106。

公开(公告)号：CN1755899A

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200510108052.1

申请日：2005-09-29

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 吉田和广 ,  长谷川恭孝 ,  加贺广持

IPC: H01L21/28 ,  H01L33/00 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L31/1884 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12041 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种透光性高、电阻低的透光性电极的制造方法。半导体发光元件(100)是在蓝宝石衬底上依次层叠了缓冲层(102)、非掺杂GaN层(103)、高载流子浓度n+层(104)、n型层(105)、发光层(106)、p型层(107)、p型接触层(108)而形成的，具有在至少存在氧的气氛下利用电子束蒸镀法或者离子电镀法形成、且之后进行烧制而形成的由ITO构成的透光性电极(110)。