公开(公告)号：CN117813695A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202280056342.8

申请日：2022-08-23

Applicant: 出光兴产株式会社 ,  丰田合成株式会社 ,  国立大学法人东海国立大学机构

Inventor： 笘井重和 ,  胜又聪 ,  大山正嗣 ,  永田贤吾 ,  松原太一 ,  久志本真希 ,  本田善央 ,  天野浩

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/40

Abstract: 层叠体，其依次包含反射电极层(17)、具有MgZnO系组成的中间层(16)、以及具有AlGaN系组成的半导体层(15)。

公开(公告)号：CN116646375A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202310136430.5

申请日：2023-02-20

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  国立大学法人东海国立大学机构

Inventor： 佐藤寿朗 ,  上村俊也 ,  神谷真央 ,  天野浩 ,  加地彻 ,  新田州吾 ,  出来真斗 ,  田中敦之 ,  本田善央

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本技术的目的在于提供具有IIIA族氮化物半导体并且以常闭进行动作的半导体元件及其制造方法。第3半导体层130A具有第3半导体层p型区域132A。第2区域R2是将使相对于第1半导体层110为上层的p型区域投影于基板Sub1的第1表面Sub1a所得的投影区域由垂直于投影区域的面进行包围的区域。栅电极G1是相对于第3半导体层p型区域132A为上层且位于第2区域R2。第2半导体层120A在第1区域R1具有第1非掺杂区域121，在第2区域R2的第1半导体层110的一侧具有第2非掺杂区域122，在第2区域R2的第3半导体层130的一侧具有第2半导体层p型区域123A。第3半导体层p型区域132A与第2半导体层p型区域123A连续。

公开(公告)号：CN117716509A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202280052314.9

申请日：2022-02-15

Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构

Inventor： 出来真斗 ,  陆顺 ,  天野浩 ,  本田善央 ,  田中敦之 ,  伊藤佑太

IPC: H01L29/45

Abstract: 本发明提供一种能够形成p型区域、有效减少p型区域与电极的接触电阻的技术。本发明的氮化物半导体装置的制造方法的一个实施方式具有：镁层形成工序，在氮化物半导体衬底的表面形成以镁作为主要成分的镁层。本发明的制造方法具有：退火工序，对形成有镁层的氮化物半导体衬底进行退火。

公开(公告)号：CN114730819A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202080077201.5

申请日：2020-11-02

Applicant: 出光兴产株式会社 ,  国立大学法人东海国立大学机构 ,  日机装株式会社

Inventor： 笘井重和 ,  上冈义弘 ,  胜又聡 ,  久志本真希 ,  出来真斗 ,  本田善央 ,  天野浩

IPC: H01L33/42

Abstract: 层叠体，其依次包含支撑体、缓冲层和电极层，缓冲层包含选自Ga、Al、In和Zn中的1种以上的金属与氧，电极层包含镁氧化物和锌氧化物，在电极层的X射线衍射测定中，在2θ＝34.8±0.5deg处观测到的衍射峰的半值宽度为0.43deg以下。

公开(公告)号：CN112714804B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN201980059786.5

申请日：2019-12-19

Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构

Inventor： 新田州吾 ,  藤元直树 ,  天野浩 ,  本田善央

IPC: C30B25/14 ,  H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C23C16/448

Abstract: 本发明提供一种涉及化合物半导体的气相生长装置的技术。气相生长装置具有反应容器。气相生长装置具有配置在反应容器内的晶片保持器。气相生长装置具有将第一原料气体供给到反应容器内的第一原料气体供给管。气相生长装置具有将与第一原料气体反应的第二原料气体供给到反应容器内的第二原料气体供给管。气相生长装置具有在供给路径上配置有固体部的特定气体供给管。气相生长装置具有将固体部加热到规定温度以上的第一加热部。固体部具有母体区域和连续地配置在母体区域内的第一区域。母体区域是在规定温度不分解的区域。第一区域是在规定温度分解并且含有Mg的区域。

公开(公告)号：CN112714804A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN201980059786.5

申请日：2019-12-19

Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构

Inventor： 新田州吾 ,  藤元直树 ,  天野浩 ,  本田善央

IPC: C30B25/14 ,  H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C23C16/448

Abstract: 本发明提供一种涉及化合物半导体的气相生长装置的技术。气相生长装置具有反应容器。气相生长装置具有配置在反应容器内的晶片保持器。气相生长装置具有将第一原料气体供给到反应容器内的第一原料气体供给管。气相生长装置具有将与第一原料气体反应的第二原料气体供给到反应容器内的第二原料气体供给管。气相生长装置具有在供给路径上配置有固体部的特定气体供给管。气相生长装置具有将固体部加热到规定温度以上的第一加热部。固体部具有母体区域和连续地配置在母体区域内的第一区域。母体区域是在规定温度不分解的区域。第一区域是在规定温度分解并且含有Mg的区域。

公开(公告)号：CN118685736A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410837045.8

申请日：2019-09-26

Applicant: 出光兴产株式会社 ,  国立大学法人东海国立大学机构 ,  日机装株式会社

Inventor： 上冈義弘 ,  笘井重和 ,  胜又聪 ,  久志本真希 ,  出来真斗 ,  本田善央 ,  天野浩

IPC: C23C14/08 ,  H01L21/28 ,  H01L29/43 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  C23C14/32 ,  C23C14/58

Abstract: 层叠体，其具有包含III‑V族氮化物半导体的半导体层、以及电极层；电极层包含镁氧化物和锌氧化物，电极层中镁相对于镁和锌的总计的摩尔比[Mg/（Mg＋Zn）]为0.25以上且0.75以下，电极层的电导率为1.0×10‑2S/cm以上。

公开(公告)号：CN112888808A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN201980063611.1

申请日：2019-09-26

Applicant: 出光兴产株式会社 ,  国立大学法人东海国立大学机构 ,  日机装株式会社

Inventor： 上冈義弘 ,  笘井重和 ,  胜又聪 ,  久志本真希 ,  出来真斗 ,  本田善央 ,  天野浩

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/14 ,  C23C14/58 ,  H01L21/28 ,  H01L29/43

Abstract: 层叠体，其具有包含III‑V族氮化物半导体的半导体层、以及电极层；电极层包含镁氧化物和锌氧化物，电极层中镁相对于镁和锌的总计的摩尔比[Mg/（Mg＋Zn）]为0.25以上且0.75以下，电极层的电导率为1.0×10‑2S/cm以上。

公开(公告)号：CN111133133B

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN201880061909.4

申请日：2018-09-07

Applicant: 国立大学法人名古屋大学 ,  丰田合成株式会社

Inventor： 新田州吾 ,  本田善央 ,  永松谦太郎 ,  天野浩 ,  藤元直树

IPC: H01L21/205 ,  C30B25/14 ,  C23C16/455 ,  C30B29/38 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明提供一种涉及化合物半导体的气相生长装置的技术。气相生长装置具有：反应容器；晶片保持器，其配置在反应容器内，并具有以晶片表面成为大致铅直向下的方式保持晶片的晶片保持面；第一原料气体供给管，其配置在晶片保持面的下方侧并供给第一原料气体；第二原料气体供给管，其配置在晶片保持面的下方侧并供给第二原料气体；排气管，其配置在晶片保持面的下方侧。第一原料气体供给管、第二原料气体供给管以及排气管配置为在大致铅直方向上延伸。穿过晶片保持面的中心并且垂直于晶片保持面的轴线与排气管之间的距离大于轴线与第一原料气体供给管以及第二原料气体供给管之间的距离。

公开(公告)号：CN111133133A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201880061909.4

申请日：2018-09-07

Applicant: 国立大学法人名古屋大学 ,  丰田合成株式会社

Inventor： 新田州吾 ,  本田善央 ,  永松谦太郎 ,  天野浩 ,  藤元直树

IPC: C30B25/14 ,  C23C16/455 ,  C30B29/38 ,  H01L21/31 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供一种涉及化合物半导体的气相生长装置的技术。气相生长装置具有：反应容器；晶片保持器，其配置在反应容器内，并具有以晶片表面成为大致铅直向下的方式保持晶片的晶片保持面；第一原料气体供给管，其配置在晶片保持面的下方侧并供给第一原料气体；第二原料气体供给管，其配置在晶片保持面的下方侧并供给第二原料气体；排气管，其配置在晶片保持面的下方侧。第一原料气体供给管、第二原料气体供给管以及排气管配置为在大致铅直方向上延伸。穿过晶片保持面的中心并且垂直于晶片保持面的轴线与排气管之间的距离大于轴线与第一原料气体供给管以及第二原料气体供给管之间的距离。