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公开(公告)号：CN114823305A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210025807.5
申请日：2022-01-11
IPC: H01L21/26 , H01L21/324 , H01L33/00
Abstract: 本发明提供在不会使发光元件的输出降低的情况下可以从由氮化物半导体构成的p型层提取氢的发光元件的制造方法、以及发光元件的氢的提取方法，即使在p型层由高Al组成的氮化物半导体构成的情况下，仍能够有效地提取氢。作为本发明的一个方式，提供发光元件1的制造方法，包括以下工序：针对发光波长为306nm以下的发光元件1，在施加反向电压或是比发光元件1的阈值电压低的正向电压的状态下、或不施加电压的状态下，从外侧照射波长为306nm以下的紫外光，实施热处理，将p型层中的氢提取到发光元件1之外的工序；在650℃以上的N2气氛下或500℃以上的N2+O2气氛下实施将p型层中的氢提取到发光元件1之外的工序。
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公开(公告)号：CN107863430B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201710755921.2
申请日：2017-08-29
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本申请涉及发光元件及其制造方法。一种制造发光元件的方法，其包括：形成包含n型覆层和作为主要组分的AlxGa1‑xN(0.1≤x≤1)的n型半导体层；形成包含层叠结构的n侧接触电极，所述层叠结构包含Ti层和Ru层，所述Ti层与所述n型半导体层接触；以及通过热处理形成所述n型半导体层和所述Ti层的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN118367076A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410041406.8
申请日：2024-01-11
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明提供适合于发射紫外光的具有保护膜的由III族氮化物半导体构成的发光元件。一种发光波长为200～280nm且由包含Al的III族氮化物半导体构成的发光元件，具有：p侧电极15，其接触地设置于p型层14上，具有Ru层；n侧电极16，其设置于在孔23的底面露出的n型层11上；以及保护膜18，其覆盖整个元件上表面，是依次层叠有由SiO2构成的第一保护膜18A和由SiN构成的第二保护膜18B的结构。
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公开(公告)号：CN112997324A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201980074061.3
申请日：2019-12-09
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明的课题在于抑制非发光部中的紫外线的吸收。本发明是一种半导体发光器件，具有：基板，具有第一面；n型半导体层，形成于基板的第一面的上方；发光层，发出紫外线；p型半导体层；以及多个n点电极，与不存在n型半导体层的上部的半导体层的分散地形成的电极形成面接触，接触面具有点电极外周。在发光层中仅形成在与第一面平行的面上具有外周轮廓线的发光区域，以便不存在不发出紫外线的区域，其中，该发光区域是除去p型半导体层、发光层、n型半导体层而留下的发光区域。
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公开(公告)号：CN110197862A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910141121.0
申请日：2019-02-26
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本申请涉及半导体器件、发光器件和用于制造发光器件的方法。提供了一种层间绝缘膜的开裂或剥离得到抑制的发光二极管。第一层间绝缘膜在DBR层、第一p电极和第一n电极上连续形成为膜。第一层间绝缘膜是通过交替地沉积SiO2层和TiO2层而形成的多层，并且层的数目为11。SiO2层由具有产生压缩应力的性质的材料形成。当根据第一实施方案的发光二极管暴露于高温时，第一层间绝缘膜中的TiO2层将其性质从产生压缩应力改变为产生拉伸应力。由TiO2层产生的拉伸应力和由SiO2层产生的压缩应力相互抵消。结果，第一层间绝缘膜的内应力得到缓和。
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公开(公告)号：CN119855321A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411429564.7
申请日：2024-10-14
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H10H20/824 , H10H20/841 , H10H20/831
Abstract: 提供提高了光输出和寿命的发光元件和发光装置。在使用包含Al的III族氮化物半导体且具有200nm～280nm的发光波长的发光元件(1)中，具有：基板(10)；半导体层，其在基板(10)之上依次层叠有n型层(11)、发光层(12)、p型层(14)；孔(23)，其设置于p型层(14)表面的预定区域，且具有到达n型层(11)的深度；p侧电极(15)，其在p型层(14)之上与该p型层(14)接触地设置，且发光波长的紫外光的反射率为50％以上；以及n侧电极(16)，其设置于在孔(23)的底面暴露的n型层(11)之上或上方。孔(23)和n侧电极(16)具有二维排列的多个点的图案，p侧电极(15)的面积为0.75mm2以上。
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公开(公告)号：CN119730503A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411134986.1
申请日：2024-08-19
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H10H20/84
Abstract: 提供能够提高光提取效率的面朝上型紫外发光的发光元件和用于发光元件的绝缘性反射防止层。发光元件(1)是面朝上型紫外发光的发光元件，且具备：n型层(21)，其由n型III族氮化物半导体形成；活性层(22)，其设置在n型层(21)之上且由III族氮化物半导体形成；p型层(23)，其设置在活性层(22)之上且由p型III族氮化物半导体形成；p侧电极(50)，其设置在p型层(23)的局部之上；以及绝缘性反射防止层(60)，其设置在p型层(23)的另一处局部之上，且由具有绝缘性的材料形成，且防止发光波长的紫外光的反射。
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公开(公告)号：CN107863430A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201710755921.2
申请日：2017-08-29
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本申请涉及发光元件及其制造方法。一种制造发光元件的方法，其包括：形成包含n型覆层和作为主要组分的AlxGa1-xN(0.1≤x≤1)的n型半导体层；形成包含层叠结构的n侧接触电极，所述层叠结构包含Ti层和Ru层，所述Ti层与所述n型半导体层接触；以及通过热处理形成所述n型半导体层和所述Ti层的欧姆接触。
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