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公开(公告)号：CN107863430B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201710755921.2
申请日：2017-08-29
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本申请涉及发光元件及其制造方法。一种制造发光元件的方法，其包括：形成包含n型覆层和作为主要组分的AlxGa1‑xN(0.1≤x≤1)的n型半导体层；形成包含层叠结构的n侧接触电极，所述层叠结构包含Ti层和Ru层，所述Ti层与所述n型半导体层接触；以及通过热处理形成所述n型半导体层和所述Ti层的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN118367076A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410041406.8
申请日：2024-01-11
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明提供适合于发射紫外光的具有保护膜的由III族氮化物半导体构成的发光元件。一种发光波长为200～280nm且由包含Al的III族氮化物半导体构成的发光元件，具有：p侧电极15，其接触地设置于p型层14上，具有Ru层；n侧电极16，其设置于在孔23的底面露出的n型层11上；以及保护膜18，其覆盖整个元件上表面，是依次层叠有由SiO2构成的第一保护膜18A和由SiN构成的第二保护膜18B的结构。
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公开(公告)号：CN114823305A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210025807.5
申请日：2022-01-11
IPC: H01L21/26 , H01L21/324 , H01L33/00
Abstract: 本发明提供在不会使发光元件的输出降低的情况下可以从由氮化物半导体构成的p型层提取氢的发光元件的制造方法、以及发光元件的氢的提取方法，即使在p型层由高Al组成的氮化物半导体构成的情况下，仍能够有效地提取氢。作为本发明的一个方式，提供发光元件1的制造方法，包括以下工序：针对发光波长为306nm以下的发光元件1，在施加反向电压或是比发光元件1的阈值电压低的正向电压的状态下、或不施加电压的状态下，从外侧照射波长为306nm以下的紫外光，实施热处理，将p型层中的氢提取到发光元件1之外的工序；在650℃以上的N2气氛下或500℃以上的N2+O2气氛下实施将p型层中的氢提取到发光元件1之外的工序。
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公开(公告)号：CN112997324A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201980074061.3
申请日：2019-12-09
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明的课题在于抑制非发光部中的紫外线的吸收。本发明是一种半导体发光器件，具有：基板，具有第一面；n型半导体层，形成于基板的第一面的上方；发光层，发出紫外线；p型半导体层；以及多个n点电极，与不存在n型半导体层的上部的半导体层的分散地形成的电极形成面接触，接触面具有点电极外周。在发光层中仅形成在与第一面平行的面上具有外周轮廓线的发光区域，以便不存在不发出紫外线的区域，其中，该发光区域是除去p型半导体层、发光层、n型半导体层而留下的发光区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110197862A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910141121.0
申请日：2019-02-26
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本申请涉及半导体器件、发光器件和用于制造发光器件的方法。提供了一种层间绝缘膜的开裂或剥离得到抑制的发光二极管。第一层间绝缘膜在DBR层、第一p电极和第一n电极上连续形成为膜。第一层间绝缘膜是通过交替地沉积SiO2层和TiO2层而形成的多层，并且层的数目为11。SiO2层由具有产生压缩应力的性质的材料形成。当根据第一实施方案的发光二极管暴露于高温时，第一层间绝缘膜中的TiO2层将其性质从产生压缩应力改变为产生拉伸应力。由TiO2层产生的拉伸应力和由SiO2层产生的压缩应力相互抵消。结果，第一层间绝缘膜的内应力得到缓和。
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公开(公告)号：CN119967963A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411575568.6
申请日：2024-11-06
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H10H20/831
Abstract: 提供实现光输出的提高和正向电压的减少的正面朝上型且紫外发光的发光元件。在正面朝上型且发光波长为210nm～300nm且使用了III族氮化物半导体的发光元件中，具备：n型层(11)、设置在n型层之上的活性层(12)、设置在活性层之上的p型层(13)、设置在n型层之上的梳齿状的n侧电极(17)、在p型层之上与该p型层接触地设置且使发光波长的光透过的p侧接触电极(14)、以及设置在p侧接触电极之上的梳齿状的p侧电极(15)，p侧电极具备沿预定方向延伸的多个p侧延伸部(15A)，n侧电极具备沿预定方向延伸且配置于相邻的p侧延伸部之间的多个n侧延伸部(17A)，p侧延伸部与n侧延伸部之间的距离为140μm以下。
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公开(公告)号：CN119677257A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411127986.9
申请日：2024-08-16
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H10H20/832 , H10H20/841 , H10H20/01
Abstract: 提供能够供p侧电极欧姆接触并且能够提高紫外线反射率的发光元件及其制造方法。倒装型且紫外发光的发光元件具有：n型层，其由n型的III族氮化物半导体构成；活性层，其设置在n型层上且由III族氮化物半导体构成；p型层，其设置在活性层之上且由p型的III族氮化物半导体构成；p侧电极，其设置在p型层之上，包含由Ru、Rh或以它们为主成分的合金构成且与p型层接触的层，并且设定为使发光波长的紫外光透过的厚度；绝缘性的DBR层，其与p侧电极的局部接触并设置于p侧电极的局部之上，且反射发光波长的紫外光；以及第二p侧电极，其经由在DBR层中p侧电极之上的区域形成的孔而与p侧电极电连接。
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公开(公告)号：CN118507620A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410168791.2
申请日：2024-02-06
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 提供防止保护膜的剥离、裂缝的UVC的发光元件及其制造方法。发光元件由发光波长为200nm以上且280nm以下的III族氮化物半导体构成，具有：基板；防反射膜，其设置于基板背面；半导体层，其是在基板表面上依次层叠n层、发光层、p层而成的；孔，其设置于p层表面的预定的区域，且深度达到n层；第一p电极，其与p层相接地设置在p层之上；第一n电极，其设置于在孔的底面暴露的n层之上；第二p电极和第二n电极，其分别设置在第一p电极之上和第一n电极之上；以及保护膜，其覆盖元件上表面整体，且由绝缘材料构成，保护膜具有：第一保护膜，其由绝缘材料形成；以及第二保护膜，其形成在第一保护膜上，并由具有内部应力与第一保护膜不同的绝缘材料形成。
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公开(公告)号：CN112997324B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201980074061.3
申请日：2019-12-09
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明的课题在于抑制非发光部中的紫外线的吸收。本发明是一种半导体发光器件，具有：基板，具有第一面；n型半导体层，形成于基板的第一面的上方；发光层，发出紫外线；p型半导体层；以及多个n点电极，与不存在n型半导体层的上部的半导体层的分散地形成的电极形成面接触，接触面具有点电极外周。在发光层中仅形成在与第一面平行的面上具有外周轮廓线的发光区域，以便不存在不发出紫外线的区域，其中，该发光区域是除去p型半导体层、发光层、n型半导体层而留下的发光区域。
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