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公开(公告)号：CN102694085B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201210080765.1
申请日：2012-03-23
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/38 , H01L33/60 , H01L2933/0016 , H01L2933/0058
Abstract: 一种制造III族氮化物半导体发光元件的方法。以均匀的厚度图案化包括Ag或Ag合金的反射膜而不降低反射率。反射膜通过溅射法、真空沉积等形成在第一绝缘膜的整个表面上，并且通过剥离法在反射膜上形成具有给定图案的阻挡金属膜。使用银蚀刻液体对反射膜进行湿蚀刻。阻挡金属膜未被银蚀刻液体湿蚀刻，因此用作掩模，并且在其上已经形成有阻挡金属膜的区域中的反射膜保持未被蚀刻。因此，可以在第一绝缘膜上均匀地形成具有期望的图案的反射膜。
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公开(公告)号：CN102694101A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210073046.7
申请日：2012-03-19
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供一种防止反射膜中的迁移的III族氮化物半导体发光器件。倒装芯片型III族氮化物半导体发光器件包括：蓝宝石衬底；以及依次形成在蓝宝石衬底上的n型层、发光层和p型层。在p型层的表面上设置有深度到达n型层的多个孔。在p型层的几乎整个表面上形成有ITO电极，并且在ITO电极上设置有SiO2绝缘膜。绝缘膜中包括Ag反射膜。在反射膜上的区域中经由绝缘膜形成有导电膜。导电膜还连接至设置在p型层上的ITO电极。利用这种结构，反射膜位于等电位区域中，由此防止迁移。
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公开(公告)号：CN101312228B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200810097739.3
申请日：2008-05-23
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/42 , H01L2933/0091
Abstract: 本发明涉及一种半导体发光元件100及其形成方法，所述半导体发光元件100包括在蓝宝石衬底上依次层叠的缓冲层102、n-型GaN层103、发光层104和p-型层105，并且具有由ITO针状晶体制成的透光电极106。
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公开(公告)号：CN106887491B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201610825760.5
申请日：2016-09-14
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明的目的在于实现发光的均匀化且抑制高电流下的光输出降低。p电极(16)以及n电极(17)的一方的平面图案是与各发光区域(101a～d)的圆周或者圆弧的平面图案的内侧对置设置且中心以及中心角与该圆周或者圆弧相同的圆或圆周(发光区域(101a～d)的平面图案为圆周的情况)、或者扇型或圆弧(发光区域(101a～d)的平面图案为圆弧的情况)。另外，p电极(16)以及n电极(17)的另一方的平面图案是与各发光区域(101a～d)的圆周或者圆弧的平面图案的外侧对置设置且中心以及中心角与该圆周或者圆弧相同的圆周(发光区域(101a～d)的平面图案为圆周的情况)、或者圆弧(发光区域(101a～d)的平面图案为圆弧的情况)。
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公开(公告)号：CN106887503B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201610812839.4
申请日：2016-09-09
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明提供用于在发出白色光的发光装置中提高光提取效率的III族氮化物半导体发光装置及其制造方法。发光装置(1)具有：基板(110)、基板上的半导体层、半导体层上的透明导电氧化物(TE1)、覆盖半导体层和透明导电氧化物的至少一部分的介电膜(F1)以及介电膜(F1)上的荧光体树脂(200)。透明导电氧化物的折射率大于荧光体树脂的折射率。荧光体树脂的折射率大于介电膜(F1)的折射率。发光装置具有：荧光体树脂在开口部(W1)直接接触透明导电氧化物上而配置的第一区域(R1)和介电膜(F1)配置在透明导电氧化物上且荧光体树脂配置在介电膜(F1)上的第二区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104733570B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201410790329.2
申请日：2014-12-17
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 户谷真悟
IPC: H01L33/00 , F21V8/00 , G02F1/13357 , H01L33/48 , F21Y105/00
CPC classification number: G02B6/0073 , G02B6/0031 , H01L33/0062 , H01L33/20 , H01L33/48 , H01L33/50
Abstract: 本发明提供了一种包括导光板和发光装置的平面光源以及用于制造在衬底的主表面上具有第III族氮化物半导体层的发光器件的方法。该平面光源包括：导光板以及设置在导光板的侧表面上的发光装置。该发光装置包括发光器件、壳体和密封树脂。该发光器件在俯视图中具有矩形形状，半导体层的长边侧表面为具有倾斜度的倒锥状以使得沿平行于蓝宝石衬底的主表面的方向的横截面面积随着与蓝宝石衬底的距离增加而增大，并且短边侧表面垂直于蓝宝石衬底的主表面。发光器件的短边方向和长边方向分别垂直于和平行于导光板的平面主表面。发光器件的主表面平行于导光板的侧表面。
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公开(公告)号：CN102694101B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201210073046.7
申请日：2012-03-19
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供一种防止反射膜中的迁移的III族氮化物半导体发光器件。倒装芯片型III族氮化物半导体发光器件包括：蓝宝石衬底；以及依次形成在蓝宝石衬底上的n型层、发光层和p型层。在p型层的表面上设置有深度到达n型层的多个孔。在p型层的几乎整个表面上形成有ITO电极，并且在ITO电极上设置有SiO2绝缘膜。绝缘膜中包括Ag反射膜。在反射膜上的区域中经由绝缘膜形成有导电膜。导电膜还连接至设置在p型层上的ITO电极。利用这种结构，反射膜位于等电位区域中，由此防止迁移。
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公开(公告)号：CN102694112A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210076740.4
申请日：2012-03-21
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/60
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/0025 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明提供表现出改善的光提取性能的第III族氮化物半导体发光器件。所述发光器件中，具有从p-型层的顶表面延伸到n-型层的深度的沟槽提供在与n-电极的布线部或p-电极的布线部重叠(平面视图中)的区域。提供绝缘膜以连续覆盖沟槽、p-型层和ITO电极的侧表面和底表面。绝缘膜中在n-电极和p-电极直接下方的区域(在蓝宝石衬底侧上)中引入反射膜。n-电极的布线部和p-电极的布线部直接下方的区域中的反射膜位于比发光层的位置更低的位置处。n-电极和p-电极覆盖有额外的绝缘膜。额外的绝缘膜中在布线部直接下方区域中引入反射膜。反射膜位于比发光层的位置更低的位置处。
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公开(公告)号：CN106887503A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201610812839.4
申请日：2016-09-09
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/501 , H01L33/44 , H01L2933/0025 , H01L2933/0041
Abstract: 本发明提供用于在发出白色光的发光装置中提高光提取效率的III族氮化物半导体发光装置及其制造方法。发光装置(1)具有：基板(110)、基板上的半导体层、半导体层上的透明导电氧化物(TE1)、覆盖半导体层和透明导电氧化物的至少一部分的介电膜(F1)以及介电膜(F1)上的荧光体树脂(200)。透明导电氧化物的折射率大于荧光体树脂的折射率。荧光体树脂的折射率大于介电膜(F1)的折射率。发光装置具有：荧光体树脂在开口部(W1)直接接触透明导电氧化物上而配置的第一区域(R1)和介电膜(F1)配置在透明导电氧化物上且荧光体树脂配置在介电膜(F1)上的第二区域。
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公开(公告)号：CN105428491A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510543323.X
申请日：2015-08-28
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 户谷真悟
IPC: H01L33/40
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L2933/0016 , H01L33/40
Abstract: 本发明提供了第III族氮化物半导体发光装置及其制造方法，其中，在对Ag原子和Al原子中至少之一的迁移进行抑制的同时简化了所述制造方法。所述制造方法包括以下步骤：形成第一电极，形成第二电极，以及在所述第二电极上形成第二电极侧阻挡金属层。此外，所述第二电极具有包括Ag和Al中至少之一的电极层。在形成第一电极和第二电极侧阻挡金属层时，在第二电极上形成第二电极侧阻挡金属层的同时，形成电连接至第一半导体层的第一电极。在同一层状结构中沉积第一电极和第二电极侧阻挡金属层。
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