公开(公告)号：CN106291405B

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN201610774690.5

申请日：2016-08-31

Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 侯晓伟 ,  顾杰斌 ,  刘冰杰 ,  倪大成 ,  王飞 ,  郑良广 ,  陈竹健

IPC: G01R33/00 ,  G01R33/04

Abstract: 本发明涉及一种一次成型螺线管线圈微型磁通门的制备方法，即分别在两个高阻硅片上进行刻蚀处理，以使得两个高阻硅片键合后能够形成铁芯腔和多个围绕在铁芯腔外周的螺线管腔，并且螺线管腔在至少一个高阻硅片上形成有填充口。两个高阻硅片键合前，在铁芯腔对应在两个高阻硅片上的刻蚀槽内沉积铁芯层，两个高阻硅片键合后，自填充口向螺线管腔内填充线圈材料，从而在螺线管腔中形成螺线管线圈；然后在所述填充口上覆盖保护层并在保护层上开设通至所述螺线管线圈的电极窗口。本发明使用两个高阻硅片键合的方式制备微型磁通门，提高了制备成品率，减少了电镀工艺的毒害性。还可以方便调整铁芯腔的制备厚度，进而使得铁芯层的厚度不受制备工艺的限制。

公开(公告)号：CN106298639B

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201510323889.1

申请日：2015-06-12

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  湖州中微科技有限公司

Inventor： 顾杰斌 ,  刘冰杰 ,  李昕欣

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种微孔金属填充结构及填充方法，所述方法包括：提供一液态金属槽并在其上水平放置由喷嘴片、填充片及盖片叠加而成的三明治结构；其中，喷嘴片下表面紧贴液态金属的上表面，喷嘴片与填充片之间设有第一间隙，填充片与盖片之间设有第二间隙；所述填充片中具有填充微孔，所述喷嘴片中设有与所述填充微孔垂直对应的喷嘴孔结构；通过调整所述三明治结构的内部气压P1及所述液态金属的表面气压P2，实现所述填充微孔的金属填充及切割。本发明填充速度极快，准确度高、切割效果好，并可同时实现不同孔径微孔的填充。本发明不仅可以实现通孔的填充，还可以实现盲孔的填充；同时，填充微孔与待填充的液态金属可以浸润，也可以不浸润。

公开(公告)号：CN106986300A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201610040115.2

申请日：2016-01-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  湖州中微科技有限公司

Inventor： 顾杰斌 ,  刘冰杰 ,  李昕欣

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00301 ,  B81B7/007

Abstract: 本发明提供一种微纳机电晶圆的圆片级封装方法及结构，该结构包括：盖板，包括一硅片；硅片正面制作有保护MEMS晶圆正面微机械部件的凹槽，硅片中制作有硅通孔；硅通孔的表面形成有绝缘层；MEMS晶圆，其正面的电极上制造有金属焊盘；MEMS晶圆的正面与盖板的正面键合；所述金属焊盘与所述硅通孔的位置相对应，且所述金属焊盘至少覆盖所述硅通孔的一部分；硅通孔中具有利用液态金属微孔填充技术填充的液态金属；液态金属与金属焊盘键合；MEMS晶圆电极至盖板背面电互连。本发明采用液态金属微孔填充技术对MEMS晶圆进行圆片级封装，大大缩短了TSV的填充时间和制造成本，节省了传统的金属引线键合工艺；在MEMS晶圆电极上预设了金属焊盘保证了封装后的电性连接成功率。

公开(公告)号：CN106298639A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201510323889.1

申请日：2015-06-12

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  湖州中微科技有限公司

Inventor： 顾杰斌 ,  刘冰杰 ,  李昕欣

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76882

Abstract: 本发明提供一种微孔金属填充结构及填充方法，所述方法包括：提供一液态金属槽并在其上水平放置由喷嘴片、填充片及盖片叠加而成的三明治结构；其中，喷嘴片下表面紧贴液态金属的上表面，喷嘴片与填充片之间设有第一间隙，填充片与盖片之间设有第二间隙；所述填充片中具有填充微孔，所述喷嘴片中设有与所述填充微孔垂直对应的喷嘴孔结构；通过调整所述三明治结构的内部气压P1及所述液态金属的表面气压P2，实现所述填充微孔的金属填充及切割。本发明填充速度极快，准确度高、切割效果好，并可同时实现不同孔径微孔的填充。本发明不仅可以实现通孔的填充，还可以实现盲孔的填充；同时，填充微孔与待填充的液态金属可以浸润，也可以不浸润。

公开(公告)号：CN103675365B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201210330880.X

申请日：2012-09-07

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 杨恒 ,  顾杰斌 ,  叶挺 ,  李昕欣

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01R1/06727 ,  G01R3/00

Abstract: 本发明提供一种微机械芯片测试探卡及其制作方法，在SOI衬底中定义悬臂梁图形，于悬臂梁的悬空端制作内壁绝缘的盲孔，于盲孔内制作探针，于悬臂梁表面制作金属引线，于悬臂梁的固定端制作焊球，正面刻蚀SOI形成悬臂梁结构，将焊球倒装于陶瓷基底，从底面刻蚀衬底硅以释放悬臂梁以完成制备。本发明具有加工精度高、加工工艺简单、制作的测试探卡的机械强度高、各探针可依据待测芯片管脚位置的分布进行排列等优点。本发明的制作工艺与传统的CMOS工艺及微机加工工艺兼容，适用于工业生产。

公开(公告)号：CN115465856B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202110645459.7

申请日：2021-06-10

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 朱虹延 ,  吴天如 ,  顾杰斌 ,  张超 ,  高渤翔

IPC: C01B32/184 ,  C01B32/186

Abstract: 本发明提供一种图形化石墨烯的制备方法，采用碳化硅基体作为固态碳源，在高温和催化剂的作用下，分解碳化硅，以在绝缘衬底上直接生长石墨烯，且通过容纳通道中第一图形化沟槽及第二图形化沟槽，可直接控制形成的石墨烯的形貌，从而本发明可在绝缘衬底上精确定位图形化石墨烯的位置，无需再次转移石墨烯，避免了对石墨烯的污染以及其结构的破坏，无需通过光刻、离子刻蚀等工艺对石墨烯进行加工，即可获得图形化石墨烯，避免了对石墨烯的损伤和破坏，可以制备图形复杂、大尺寸、高质量的石墨烯，解决了以往石墨烯图形化过程中成本高、易受污染，质量差等问题。

公开(公告)号：CN107527861B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN201610451522.2

申请日：2016-06-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 顾杰斌 ,  刘冰杰 ,  李昕欣

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种用于微腔金属填充的喷嘴片结构、设备及填充方法，所述喷嘴片结构包括：喷嘴片面板；贯穿所述面板上表面及下表面的通孔；与所述通孔连通的液态金属引流槽；所述引流槽由所述面板上表面开口，并往所述面板下表面方向延伸，但未贯穿所述面板下表面；至少两条设于所述面板边缘且两端分别与所述引流槽、所述面板侧面连通的通气槽；所述通气槽由所述面板上表面开口，并往所述面板下表面方向延伸，但未贯穿所述面板下表面。本发明的喷嘴片结构可以针对不同结构和形状的微腔进行不同种类金属单质或金属合金的有效、快速填充，且喷嘴通孔位置不需要与填充片上待填充的微腔位置一一对应，从而大大提高了喷嘴片结构的普适性。

公开(公告)号：CN105679734A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610127706.3

申请日：2016-03-07

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 郑涛 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  顾杰斌

IPC: H01L23/492 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/492 ,  H01L21/4871

Abstract: 本发明提供一种集成无源元件转接板及其制备方法，包括：1）提供硅基板；2）在硅基板的第一表面形成若干个第一盲孔及第二盲孔，第一盲孔的深度小于第二盲孔的深度；3）在硅基板的第一表面、第一盲孔表面及第二盲孔表面形成绝缘保护层；4）在第一盲孔及第二盲孔内填充金属，分别形成电感线圈及电互连结构；5）在硅基板的第一表面形成电容；6）在硅基板的第一表面形成第一重新布线层；7）将硅基板的第二表面进行减薄，直至裸露出电互连结构；8）在裸露的电互连结构表面及硅基板的第二表面形成第二重新布线层。本发明的制备方法简化了制备工艺，降低了生产成本；电感线圈嵌入在集成无源元件转接板内部，使得集成无源元件转接板更加小型化。

公开(公告)号：CN103675365A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201210330880.X

申请日：2012-09-07

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 杨恒 ,  顾杰斌 ,  叶挺 ,  李昕欣

IPC: G01R1/06 ,  B81C1/00

CPC classification number: G01R1/06727 ,  G01R3/00

Abstract: 本发明提供一种微机械芯片测试探卡及其制作方法，在SOI衬底中定义悬臂梁图形，于悬臂梁的悬空端制作内壁绝缘的盲孔，于盲孔内制作探针，于悬臂梁表面制作金属引线，于悬臂梁的固定端制作焊球，正面刻蚀SOI形成悬臂梁结构，将焊球倒装于陶瓷基底，从底面刻蚀衬底硅以释放悬臂梁以完成制备。本发明具有加工精度高、加工工艺简单、制作的测试探卡的机械强度高、各探针可依据待测芯片管脚位置的分布进行排列等优点。本发明的制作工艺与传统的CMOS工艺及微机加工工艺兼容，适用于工业生产。

公开(公告)号：CN105679734B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201610127706.3

申请日：2016-03-07

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 郑涛 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  顾杰斌

IPC: H01L23/492 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明提供一种集成无源元件转接板及其制备方法，包括：1）提供硅基板；2）在硅基板的第一表面形成若干个第一盲孔及第二盲孔，第一盲孔的深度小于第二盲孔的深度；3）在硅基板的第一表面、第一盲孔表面及第二盲孔表面形成绝缘保护层；4）在第一盲孔及第二盲孔内填充金属，分别形成电感线圈及电互连结构；5）在硅基板的第一表面形成电容；6）在硅基板的第一表面形成第一重新布线层；7）将硅基板的第二表面进行减薄，直至裸露出电互连结构；8）在裸露的电互连结构表面及硅基板的第二表面形成第二重新布线层。本发明的制备方法简化了制备工艺，降低了生产成本；电感线圈嵌入在集成无源元件转接板内部，使得集成无源元件转接板更加小型化。