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公开(公告)号：CN106291405A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610774690.5
申请日：2016-08-31
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G01R33/0052 , G01R33/04
Abstract: 本发明涉及一种一次成型螺线管线圈微型磁通门的制备方法，即分别在两个高阻硅片上进行刻蚀处理，以使得两个高阻硅片键合后能够形成铁芯腔和多个围绕在铁芯腔外周的螺线管腔，并且螺线管腔在至少一个高阻硅片上形成有填充口。两个高阻硅片键合前，在铁芯腔对应在两个高阻硅片上的刻蚀槽内沉积铁芯层，两个高阻硅片键合后，自填充口向螺线管腔内填充线圈材料，从而在螺线管腔中形成螺线管线圈；然后在所述填充口上覆盖保护层并在保护层上开设通至所述螺线管线圈的电极窗口。本发明使用两个高阻硅片键合的方式制备微型磁通门，提高了制备成品率，减少了电镀工艺的毒害性。还可以方便调整铁芯腔的制备厚度，进而使得铁芯层的厚度不受制备工艺的限制。
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公开(公告)号：CN106291405B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201610774690.5
申请日：2016-08-31
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种一次成型螺线管线圈微型磁通门的制备方法，即分别在两个高阻硅片上进行刻蚀处理，以使得两个高阻硅片键合后能够形成铁芯腔和多个围绕在铁芯腔外周的螺线管腔，并且螺线管腔在至少一个高阻硅片上形成有填充口。两个高阻硅片键合前，在铁芯腔对应在两个高阻硅片上的刻蚀槽内沉积铁芯层，两个高阻硅片键合后，自填充口向螺线管腔内填充线圈材料，从而在螺线管腔中形成螺线管线圈；然后在所述填充口上覆盖保护层并在保护层上开设通至所述螺线管线圈的电极窗口。本发明使用两个高阻硅片键合的方式制备微型磁通门，提高了制备成品率，减少了电镀工艺的毒害性。还可以方便调整铁芯腔的制备厚度，进而使得铁芯层的厚度不受制备工艺的限制。
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公开(公告)号：CN106298639B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201510323889.1
申请日：2015-06-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 湖州中微科技有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种微孔金属填充结构及填充方法，所述方法包括：提供一液态金属槽并在其上水平放置由喷嘴片、填充片及盖片叠加而成的三明治结构；其中，喷嘴片下表面紧贴液态金属的上表面，喷嘴片与填充片之间设有第一间隙，填充片与盖片之间设有第二间隙；所述填充片中具有填充微孔，所述喷嘴片中设有与所述填充微孔垂直对应的喷嘴孔结构；通过调整所述三明治结构的内部气压P1及所述液态金属的表面气压P2，实现所述填充微孔的金属填充及切割。本发明填充速度极快，准确度高、切割效果好，并可同时实现不同孔径微孔的填充。本发明不仅可以实现通孔的填充，还可以实现盲孔的填充；同时，填充微孔与待填充的液态金属可以浸润，也可以不浸润。
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公开(公告)号：CN106986300A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201610040115.2
申请日：2016-01-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 湖州中微科技有限公司
CPC classification number: B81C1/00301 , B81B7/007
Abstract: 本发明提供一种微纳机电晶圆的圆片级封装方法及结构，该结构包括：盖板，包括一硅片；硅片正面制作有保护MEMS晶圆正面微机械部件的凹槽，硅片中制作有硅通孔；硅通孔的表面形成有绝缘层；MEMS晶圆，其正面的电极上制造有金属焊盘；MEMS晶圆的正面与盖板的正面键合；所述金属焊盘与所述硅通孔的位置相对应，且所述金属焊盘至少覆盖所述硅通孔的一部分；硅通孔中具有利用液态金属微孔填充技术填充的液态金属；液态金属与金属焊盘键合；MEMS晶圆电极至盖板背面电互连。本发明采用液态金属微孔填充技术对MEMS晶圆进行圆片级封装，大大缩短了TSV的填充时间和制造成本，节省了传统的金属引线键合工艺；在MEMS晶圆电极上预设了金属焊盘保证了封装后的电性连接成功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106298639A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510323889.1
申请日：2015-06-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 湖州中微科技有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76882
Abstract: 本发明提供一种微孔金属填充结构及填充方法，所述方法包括：提供一液态金属槽并在其上水平放置由喷嘴片、填充片及盖片叠加而成的三明治结构；其中，喷嘴片下表面紧贴液态金属的上表面，喷嘴片与填充片之间设有第一间隙，填充片与盖片之间设有第二间隙；所述填充片中具有填充微孔，所述喷嘴片中设有与所述填充微孔垂直对应的喷嘴孔结构；通过调整所述三明治结构的内部气压P1及所述液态金属的表面气压P2，实现所述填充微孔的金属填充及切割。本发明填充速度极快，准确度高、切割效果好，并可同时实现不同孔径微孔的填充。本发明不仅可以实现通孔的填充，还可以实现盲孔的填充；同时，填充微孔与待填充的液态金属可以浸润，也可以不浸润。
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公开(公告)号：CN107527861B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201610451522.2
申请日：2016-06-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种用于微腔金属填充的喷嘴片结构、设备及填充方法，所述喷嘴片结构包括：喷嘴片面板；贯穿所述面板上表面及下表面的通孔；与所述通孔连通的液态金属引流槽；所述引流槽由所述面板上表面开口，并往所述面板下表面方向延伸，但未贯穿所述面板下表面；至少两条设于所述面板边缘且两端分别与所述引流槽、所述面板侧面连通的通气槽；所述通气槽由所述面板上表面开口，并往所述面板下表面方向延伸，但未贯穿所述面板下表面。本发明的喷嘴片结构可以针对不同结构和形状的微腔进行不同种类金属单质或金属合金的有效、快速填充，且喷嘴通孔位置不需要与填充片上待填充的微腔位置一一对应，从而大大提高了喷嘴片结构的普适性。
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公开(公告)号：CN107527861A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201610451522.2
申请日：2016-06-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/67017
Abstract: 本发明提供一种用于微腔金属填充的喷嘴片结构、设备及填充方法，所述喷嘴片结构包括：喷嘴片面板；贯穿所述面板上表面及下表面的通孔；与所述通孔连通的液态金属引流槽；所述引流槽由所述面板上表面开口，并往所述面板下表面方向延伸，但未贯穿所述面板下表面；至少两条设于所述面板边缘且两端分别与所述引流槽、所述面板侧面连通的通气槽；所述通气槽由所述面板上表面开口，并往所述面板下表面方向延伸，但未贯穿所述面板下表面。本发明的喷嘴片结构可以针对不同结构和形状的微腔进行不同种类金属单质或金属合金的有效、快速填充，且喷嘴通孔位置不需要与填充片上待填充的微腔位置一一对应，从而大大提高了喷嘴片结构的普适性。
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公开(公告)号：CN205958729U
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201621017090.6
申请日：2016-08-31
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型涉及一种螺线管线圈微型磁通门，包括相互键合的第一高阻硅片和第一高阻硅片，第一高阻硅片和第二高阻硅片的对合面之间具有一内置铁芯层的铁芯腔，铁芯腔的外周围绕设置有多个填充有线圈材料的螺线管腔，螺线管腔在第一高阻硅片和/或第二高阻硅片的外表面上形成有填充口，填充口上覆盖设置有保护层，保护层上开设有通至螺线管线圈的电极窗口。该螺线管线圈微型磁通门环保性好、制备简单、成品率高。
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公开(公告)号：CN205723491U
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201620614255.1
申请日：2016-06-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/67
Abstract: 本实用新型提供一种用于微腔金属填充的喷嘴片结构及设备，所述喷嘴片结构包括：喷嘴片面板；贯穿所述面板上表面及下表面的通孔；与所述通孔连通的液态金属引流槽；所述引流槽由所述面板上表面开口，并往所述面板下表面方向延伸，但未贯穿所述面板下表面；至少两条设于所述面板边缘且两端分别与所述引流槽、所述面板侧面连通的通气槽；所述通气槽由所述面板上表面开口，并往所述面板下表面方向延伸，但未贯穿所述面板下表面。本实用新型的喷嘴片结构可以针对不同结构和形状的微腔进行不同种类金属单质或金属合金的有效、快速填充，且喷嘴通孔位置不需要与填充片上待填充的微腔位置一一对应，从而大大提高了喷嘴片结构的普适性。
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