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公开(公告)号：CN103107129A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310064231.4
申请日：2013-02-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 湖州中微科技有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种微孔金属填充结构及方法，该填充结构包括密封腔、三明治结构；密封腔包括进出气孔；密封腔围成有容纳液态金属槽的空间；三明治结构包括由上至下依次叠加阻挡片、填充基片和喷嘴片；填充基片上设有填充微孔；喷嘴片上设有与填充微孔垂直对应的喷嘴孔；阻挡片与填充基片之间设有第一间隙；填充基片与喷嘴片之间设有第二间隙；喷嘴孔最窄处的半径小于填充微孔的半径的1/2以上；三明治结构的侧壁全部嵌入到密封腔内；喷嘴片的下表面在金属填充时紧贴液态金属槽的上表面。本发明利用压力差将液态金属槽中的金属吸入微米级别的填充微孔中，依据表面张力原理将已填充在微孔中的金属与金属槽在喷嘴孔中切断，填充速度快，时间短，准确度高。
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公开(公告)号：CN106298639B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201510323889.1
申请日：2015-06-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 湖州中微科技有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种微孔金属填充结构及填充方法，所述方法包括：提供一液态金属槽并在其上水平放置由喷嘴片、填充片及盖片叠加而成的三明治结构；其中，喷嘴片下表面紧贴液态金属的上表面，喷嘴片与填充片之间设有第一间隙，填充片与盖片之间设有第二间隙；所述填充片中具有填充微孔，所述喷嘴片中设有与所述填充微孔垂直对应的喷嘴孔结构；通过调整所述三明治结构的内部气压P1及所述液态金属的表面气压P2，实现所述填充微孔的金属填充及切割。本发明填充速度极快，准确度高、切割效果好，并可同时实现不同孔径微孔的填充。本发明不仅可以实现通孔的填充，还可以实现盲孔的填充；同时，填充微孔与待填充的液态金属可以浸润，也可以不浸润。
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公开(公告)号：CN106986300A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201610040115.2
申请日：2016-01-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 湖州中微科技有限公司
CPC classification number: B81C1/00301 , B81B7/007
Abstract: 本发明提供一种微纳机电晶圆的圆片级封装方法及结构，该结构包括：盖板，包括一硅片；硅片正面制作有保护MEMS晶圆正面微机械部件的凹槽，硅片中制作有硅通孔；硅通孔的表面形成有绝缘层；MEMS晶圆，其正面的电极上制造有金属焊盘；MEMS晶圆的正面与盖板的正面键合；所述金属焊盘与所述硅通孔的位置相对应，且所述金属焊盘至少覆盖所述硅通孔的一部分；硅通孔中具有利用液态金属微孔填充技术填充的液态金属；液态金属与金属焊盘键合；MEMS晶圆电极至盖板背面电互连。本发明采用液态金属微孔填充技术对MEMS晶圆进行圆片级封装，大大缩短了TSV的填充时间和制造成本，节省了传统的金属引线键合工艺；在MEMS晶圆电极上预设了金属焊盘保证了封装后的电性连接成功率。
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公开(公告)号：CN106298639A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510323889.1
申请日：2015-06-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 湖州中微科技有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76882
Abstract: 本发明提供一种微孔金属填充结构及填充方法，所述方法包括：提供一液态金属槽并在其上水平放置由喷嘴片、填充片及盖片叠加而成的三明治结构；其中，喷嘴片下表面紧贴液态金属的上表面，喷嘴片与填充片之间设有第一间隙，填充片与盖片之间设有第二间隙；所述填充片中具有填充微孔，所述喷嘴片中设有与所述填充微孔垂直对应的喷嘴孔结构；通过调整所述三明治结构的内部气压P1及所述液态金属的表面气压P2，实现所述填充微孔的金属填充及切割。本发明填充速度极快，准确度高、切割效果好，并可同时实现不同孔径微孔的填充。本发明不仅可以实现通孔的填充，还可以实现盲孔的填充；同时，填充微孔与待填充的液态金属可以浸润，也可以不浸润。
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公开(公告)号：CN103107129B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201310064231.4
申请日：2013-02-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 湖州中微科技有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种微孔金属填充结构及方法，该填充结构包括密封腔、三明治结构；密封腔包括进出气孔；密封腔围成有容纳液态金属槽的空间；三明治结构包括由上至下依次叠加阻挡片、填充基片和喷嘴片；填充基片上设有填充微孔；喷嘴片上设有与填充微孔垂直对应的喷嘴孔；阻挡片与填充基片之间设有第一间隙；填充基片与喷嘴片之间设有第二间隙；喷嘴孔最窄处的半径小于填充微孔的半径的1/2以上；三明治结构的侧壁全部嵌入到密封腔内；喷嘴片的下表面在金属填充时紧贴液态金属槽的上表面。本发明利用压力差将液态金属槽中的金属吸入微米级别的填充微孔中，依据表面张力原理将已填充在微孔中的金属与金属槽在喷嘴孔中切断，填充速度快，时间短，准确度高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115919270B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202211370489.2
申请日：2022-11-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: A61B5/02
Abstract: 本发明提供一种基于密集柔性传感阵列的中医脉体软度判定方法，利用传感器阵列获取脉体随指压变化而产生的形变特征变化，以获得脉体软度判定结果；所述传感器阵列于一维阵列上包括的压力传感器个数≥5；本发明方法包括：将脉体的切脉过程根据施加压力由小到大，划分为若干个不同阶段；利用所述传感器阵列采集不同阶段的脉体压力分布曲线；基于所述脉体压力分布曲线，构建脉体的形变特征，并获取于各阶段的形变特征值；根据各所述形变特征值，获取脉体于所述切脉过程的总变化特征值；检测所述总变化特征值是否满足预设的脉体软度判定条件，根据检测结果获取脉体的软度判定结果，有效地提高了脉体软度判定的准确性。
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公开(公告)号：CN118258524A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410387844.X
申请日：2024-04-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种谐振式压力传感器及其制备方法，包括以下步骤：提供一衬底，于衬底上表层形成间隔设置的拾振电阻及驱动电阻；于衬底上表层形成至少一包括谐振梁及振动间隙的谐振结构，谐振梁包括相连接的第一梁、第二梁及中间梁，驱动电阻及谐振电阻分别位于第一梁、第二梁上表层，振动间隙包括环绕谐振梁的刻蚀槽及位于谐振梁下方并与刻蚀槽相连通的底部空腔；于衬底上表面形成覆盖振动间隙开口及谐振梁上表面且边缘与振动间隙开口间隔第一预设距离的牺牲层、覆盖牺牲层的密封壳；于谐振结构正下方形成自衬底底面开口的凹槽且底部与振动间隙底部间隔第二预设距离；密封壳与振动间隙合围形成密封腔。本发明的压力传感器的制备方法降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN114152266B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202010935517.5
申请日：2020-09-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01C25/00
Abstract: 本发明提供一种MEMS陀螺正交误差校正系统，包括：MEMS陀螺敏感模态电极，用于生成位移信号；预处理组件，与所述MEMS陀螺敏感模态电极相连，用于将所述位移信号转换为数字电压信号；数字解调组件，与所述多位量化器和所述MEMS陀螺敏感模态电极相连，用于根据所述数字电压信号生成同相1比特脉宽密度调制信号和正交相1比特脉宽密度调制信号，并反馈至所述MEMS陀螺敏感模态电极。本发明的MEMS陀螺正交误差校正系统能够在不增加特定校正电极的前提下，解决现有技术中对MEMS陀螺正交误差抑制能力和校正实时性不强的问题，有效提高了MEMS陀螺的精度。
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公开(公告)号：CN116929983A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310831419.0
申请日：2023-07-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请公开了一种气体吸附仪，所述气体吸附仪包括：气体输送装置、测试腔、悬臂梁以及频率获取装置；气体输送装置与测试腔连通设置，用于向测试腔内输送目标气体；悬臂梁设置在测试腔内，悬臂梁能够在测试腔内振动；悬臂梁上设置有待测材料，待测材料能够与悬臂梁同步振动；频率获取装置，用于获取悬臂梁的振动频率；其中，悬臂梁的振动频率与待测材料对目标气体的吸附量关联；本申请通过将悬臂梁设置在测试腔内，并将待测材料设置在悬臂梁上，进一步可以通过对附加有待测材料的悬臂梁的振动频率的测试，快速的计算出待测材料对目标气体的吸附量，提高测试效率，且还可以实时检测到待测材料对目标气体的吸附变化量，提高测试的灵敏度。
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公开(公告)号：CN111039251B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201811197406.8
申请日：2018-10-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种压电微型超声换能器及其制备方法，所述超声换能器包括单晶硅片和阵列排列在所述单晶硅片单面的多个超声换能器单元，所述超声换能器单元至少包括腔体结构以及悬空支撑在所述腔体结构上方的多层复合膜结构，各个超声换能器单元的腔体结构之间通过至少一条腐蚀通道连通，所述多层复合膜结构自下而上依次包括弹性层、绝缘层以及压电敏感层，所述腐蚀通道可以加快芯片的结构释放速率，提高器件敏感结构的占空比。本发明的超声换能器是通过在一块单晶硅片的同一面进行表面硅微机械工艺制作而成，另一面并不参与工艺制作，避免了传统双面对准/曝光和键合工艺，大大降低芯片尺寸，减少制作成本，且与IC工艺兼容，可实现大批量制作。
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