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公开(公告)号：CN107215844B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201710444180.6
申请日：2017-06-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种膜片结构，所述膜片结构至少包括悬空支撑在单晶硅片上方的膜片和沿所述膜片外围排列的释放孔。本发明另提供一种基于上述膜片结构的压力敏感膜结构，所述压力敏感膜结构包括梁‑岛结构、外框、薄膜、沿外框排布的释放孔和分布在岛上的释放孔。膜片结构的释放孔没有贯穿整个膜片区域，保证了膜片结构的完整性和对称性，具有更好的机械性能，同时膜片中部可以自由地设计各种结构，不需要受释放孔的限制，具有更广阔的应用空间。本发明所述的压力敏感膜结构由上述膜片结构经局部刻蚀减薄加工而成，避免了在脆弱的薄膜区域布置释放孔，在改善机械性能的同时提高可靠性。同时在岛上的释放孔可以显著缩短腐蚀时间，大幅提高成品率。
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公开(公告)号：CN111039251B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201811197406.8
申请日：2018-10-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种压电微型超声换能器及其制备方法，所述超声换能器包括单晶硅片和阵列排列在所述单晶硅片单面的多个超声换能器单元，所述超声换能器单元至少包括腔体结构以及悬空支撑在所述腔体结构上方的多层复合膜结构，各个超声换能器单元的腔体结构之间通过至少一条腐蚀通道连通，所述多层复合膜结构自下而上依次包括弹性层、绝缘层以及压电敏感层，所述腐蚀通道可以加快芯片的结构释放速率，提高器件敏感结构的占空比。本发明的超声换能器是通过在一块单晶硅片的同一面进行表面硅微机械工艺制作而成，另一面并不参与工艺制作，避免了传统双面对准/曝光和键合工艺，大大降低芯片尺寸，减少制作成本，且与IC工艺兼容，可实现大批量制作。
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公开(公告)号：CN111039251A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201811197406.8
申请日：2018-10-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种压电微型超声换能器及其制备方法，所述超声换能器包括单晶硅片和阵列排列在所述单晶硅片单面的多个超声换能器单元，所述超声换能器单元至少包括腔体结构以及悬空支撑在所述腔体结构上方的多层复合膜结构，各个超声换能器单元的腔体结构之间通过至少一条腐蚀通道连通，所述多层复合膜结构自下而上依次包括弹性层、绝缘层以及压电敏感层，所述腐蚀通道可以加快芯片的结构释放速率，提高器件敏感结构的占空比。本发明的超声换能器是通过在一块单晶硅片的同一面进行表面硅微机械工艺制作而成，另一面并不参与工艺制作，避免了传统双面对准/曝光和键合工艺，大大降低芯片尺寸，减少制作成本，且与IC工艺兼容，可实现大批量制作。
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公开(公告)号：CN107215844A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710444180.6
申请日：2017-06-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种膜片结构，所述膜片结构至少包括悬空支撑在单晶硅片上方的膜片和沿所述膜片外围排列的释放孔。本发明另提供一种基于上述膜片结构的压力敏感膜结构，所述压力敏感膜结构包括梁‑岛结构、外框、薄膜、沿外框排布的释放孔和分布在岛上的释放孔。膜片结构的释放孔没有贯穿整个膜片区域，保证了膜片结构的完整性和对称性，具有更好的机械性能，同时膜片中部可以自由地设计各种结构，不需要受释放孔的限制，具有更广阔的应用空间。本发明所述的压力敏感膜结构由上述膜片结构经局部刻蚀减薄加工而成，避免了在脆弱的薄膜区域布置释放孔，在改善机械性能的同时提高可靠性。同时在岛上的释放孔可以显著缩短腐蚀时间，大幅提高成品率。
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