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公开(公告)号：CN109461661A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811110350.8
申请日：2018-09-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/48 , H01L23/528 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供一种滤波器封装结构及其封装方法，包括如下步骤：1)提供一高阻硅基板；2)于高阻硅基板的第一表面形成具有预设深度的凹槽，并于高阻硅基板内形成穿硅通孔；3)于穿硅通孔的内壁形成绝缘层；4)形成导电穿硅通孔结构；5)形成第一地线及第二地线，并形成第一介质层；6)形成第二介质层；并形成第三介质层；7)形成第一传输线；并形成第二传输线；8)形成第四介质层，并形成第三传输线。本发明采用高阻硅基板作为滤波器的芯片衬底，利用微带线传输结构将滤波器与衬底相连接，高阻硅基板上的导电穿硅通孔结构将引线引至高阻硅基板的背面，从而可以从垂直方向直接与封装基底相连接，与封装体内其他器件实现互联。
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公开(公告)号：CN107452638A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710686454.2
申请日：2017-08-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L24/11 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/04 , H01L24/13 , H01L2224/0231 , H01L2224/03914 , H01L2224/0401 , H01L2224/11914
Abstract: 本发明提供一种圆片级封装结构及其制备方法，所述圆片级封装结构的制备方法包括如下步骤：1）提供一晶圆，晶圆内形成有半导体结构；2）于晶圆的上表面形成重新布线层，并在形成重新布线层的过程中或形成重新布线层后将得到的结构进行低温处理预设时间后恢复至室温；3）于重新布线层的上表面形成凸点下金属层及焊球。本发明的晶圆级封装结构的制备方法通过形成重新布线层的过程中或形成重新布线层后将得到的结构进行低温处理，可以释放封装过程中产生的应力，有效降低晶圆由高温固化等带来的翘曲，在仅以提高极小的成本为代价的前提下，提高了制备过程中的精度和可操作性，进而提高了元器件的可靠性；同时，允许在封装结构中内嵌其他无源器件。
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公开(公告)号：CN104465428B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201310423177.8
申请日：2013-09-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/603
Abstract: 本发明提供一种铜‑铜金属热压键合的方法，所述方法至少包括步骤：先提供待键合的第一圆片和第二圆片，所述第一圆片包括第一衬底、第一钝化层及第一Ti‑Cu合金薄膜，所述第二圆片包括第二衬底、第二钝化层及第二Ti‑Cu合金薄膜；再将所述第一圆片的第一Ti‑Cu合金薄膜表面和第二圆片的第二Ti‑Cu合金薄膜表面进行热压键合；最后在保护性气体中进行退火处理，使第一Ti‑Cu合金薄膜中的Ti原子向第一钝化层表面扩散，第二Ti‑Cu合金薄膜中的Ti原子向第二钝化层表面扩散，并最终在第一、第二钝化层表面形成Ti粘附/阻挡层，而Cu原子向键合面扩散，实现键合。本发明的方法在键合前仅需要对两个衬底分别进行一次共溅射，溅射次数减少了一半，工艺相对简单，可靠性好，且工艺成本较低，最后经过退火处理扩散形成Ti粘附/阻挡层，并使铜的键合效果更佳。
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公开(公告)号：CN105185907A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510552093.3
申请日：2015-09-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种高密度电感的制造方法，包括以下步骤：在硅基板正反两面沉积掩膜层后在该硅基板反面形成腐蚀窗口；沿所述腐蚀窗口形成位于该硅基板内的深坑结构；在所述硅基板正面的掩膜层上形成第一层金属图形；在步骤C之后获得的结构上旋涂介质层并图形化，形成暴露部分第一金属图层的通孔；在步骤D之后获得的结构上形成第二层金属图形；使得部分第二层金属图形通过所述通孔与第一金属图层接触；在所述深坑结构中填充BCB与磁粉的复合磁性材料并固化。本发明采用干湿混合法腐蚀工艺掏空平面线圈电感以下的硅衬底，然后通过丝网印刷工艺在电感背面的深坑中填充复合磁性材料，提高电感值。
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公开(公告)号：CN105185906A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510551282.9
申请日：2015-09-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种高密度电感的制造方法，包括以下步骤：在硅基板正反两面沉积掩膜层后在该硅基板反面形成腐蚀窗口；沿所述腐蚀窗口形成位于该硅基板内的深坑结构；在所述硅基板正面的掩膜层上形成第一层金属图形；在步骤C之后获得的结构上旋涂介质层并图形化，形成暴露部分第一金属图层的通孔；在步骤D之后获得的结构上形成第二层金属图形；使得部分第二层金属图形通过所述通孔与第一金属图层接触；在所述深坑结构中填充BCB与磁粉的复合磁性材料并固化。本发明采用干湿混合法腐蚀工艺掏空平面线圈电感以下的硅衬底，然后通过丝网印刷工艺在电感背面的深坑中及电感正上方填充复合磁性材料，形成三明治结构(磁性材料-电感-磁性材料)提高电感值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105140218A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510552084.4
申请日：2015-09-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种高品质因数电感制造方法，包括以下步骤：提供一硅基板，在所述硅基板正反两面沉积掩膜层后在该硅基板反面形成腐蚀窗口；沿所述腐蚀窗口形成位于该硅基板内的深坑结构；在所述硅基板正面的掩膜层上形成第一层金属图形；在步骤C之后获得的结构上旋涂介质层并图形化，形成暴露部分第一金属图层的通孔；在步骤D之后获得的结构上形成第二层金属图形；使得部分第二层金属图形通过所述通孔与第一金属图层接触；接着旋涂有机保护层并固化；随后采用湿法腐蚀工艺去除电感底部剩余的硅；采用深反应离子刻蚀去掉所述有机保护层，本发明采用两步湿法腐蚀工艺掏空平面线圈电感以下的硅衬底，从而抑制硅基板损耗，成倍提高电感Q值。
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公开(公告)号：CN103824755A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201210465578.5
申请日：2012-11-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L23/522 , H01F17/00
CPC classification number: H01L28/10
Abstract: 本发明提供一种高Q电感及制备方法。首先，将半导体基底的一表面腐蚀成深坑状；接着，在所述半导体基底的另一表面形成支撑层；随后再在所述支撑层的表面相对于深坑的位置形成包含多层金属线圈的电感结构；最后，对已形成电感结构的基底结构进行腐蚀，来去除深坑与电感结构间的半导体基底材料，使半导体基底被掏空，由此形成的电感的Q值比传统集成电感提高了数倍；且本法工艺简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN103794583A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201210425918.1
申请日：2012-10-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种增强焊球与UBM粘附性的方法，其主要步骤为：首先对焊盘表面进行处理并溅射粘附层和种子层，之后电镀金属铜，电镀完成之后在铜UBM上制作凹坑，可通过腐蚀或激光打孔的方法来实现；最后制作焊球并回流。通过以上步骤，可使焊球与UBM之间的结合面积更大，粘附能力更强，提高了封装可靠性。本发明不需要添加制作额外的粘附材料，只需要在UBM上制作多个凹坑，增加焊球与UBM的接触面积，以提高其粘附性能。
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公开(公告)号：CN103681719A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310697584.8
申请日：2013-12-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种可见光圆片级封装结构和方法，所述方法至少包括步骤：提供透明封装基板，在所述透明封装基板表面键合硅晶圆，所述硅晶圆中制造有暴露所述透明封装基板的腔体；在所述腔体中四周的底部和侧壁表面、以及硅晶圆的背面制备互连结构；采用凸点技术将所述可见光器件倒装焊接在所述腔体底部的互连结构上；在所述硅晶圆背面的互连结构上形成外凸点；最后进行划片形成独立的封装器件。本发明的封装方法采用两次倒装焊的技术，实现可见光器件芯片到晶圆的圆片级封装，避免了不同的可见光器件由于衬底材料、制造工艺、使用限制等因素带来的技术困难。
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公开(公告)号：CN103199026A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210006294.X
申请日：2012-01-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种采用非对准键合工艺来制作TSV的电镀方法，其特征是利用晶圆带有两条平行切边的特点，将TSV晶圆与支撑晶圆带有金层的面相对、圆心重合但晶圆不重合后进行Au-Au键合。键合后用铜导电胶带与电镀引线夹具连接实现TSV电镀填充。其工艺步骤为：在已刻蚀出TSV的TSV晶圆的背面和裸支撑晶圆的一面上分别先后溅射一层TiW和Au层；将TSV晶圆的Au层面与裸支撑晶圆的Au层面相对并且完全重合，然后将其中一片晶圆以圆心为中心旋转90度，另一片不动，然后在保证圆心重合后升温加压进行Au-Au键合。然后用铜导电胶带分别贴住露出的四个切边部位的种子层，引到键合晶圆的正面，电镀引线夹具导电胶带接触实现TSV电镀填充，并将导电胶带撕掉去除。
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