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公开(公告)号：CN113130715A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110407456.X
申请日：2021-04-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L33/00 , H01L33/06 , H01L33/30 , H01L21/762 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供一种垂直结构硅基量子点发光器件的衬底转移方法，包括步骤：提供GaAs衬底，于GaAs衬底上生长外延层，外延层包括GaAs缓冲层、AlAs牺牲层和InAs量子点发光器件；提供硅衬底，形成BCB树脂材料层；进行烘烤，待烘烤后的硅衬底冷却后，将硅衬底和形成有外延层的GaAs衬底键合得到键合片，其中，BCB树脂材料层的表面和所InAs量子点发光器件的表面为键合面；将键合片置于惰性气体氛围下，对BCB树脂材料层进行固化；对键合片进行选择性刻蚀，以去除AlAs牺牲层，由此将InAs量子点发光器件转移至硅衬底上。本发明利用外延层剥离转移的方法，实现GaAs基InAs量子点发光器件与硅基材料在同一晶片上的异质集成，且制备工艺简单，不易损伤外延半导体器件结构。
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公开(公告)号：CN117589300A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311490775.7
申请日：2023-11-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种可见光片上光谱仪及其制备方法，其中，片上光谱仪包括：输入耦合器，用于导入可见光；分光器组，输入端与所述输入耦合器的输出端耦合，共有2n个输出端，用于将所述可见光分为2n束；随机波导阵列，由2n个随机波导构成，2n个随机波导的输入端分别与所述分光器的2n个输出端耦合，2n个随机波导的输出端均集成有一个光电探测器；控制器，用于控制所述随机波导的通断形成不同的随机波导采样矩阵，并通过算法重构所述可见光的光谱。
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公开(公告)号：CN116430395A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310246952.0
申请日：2023-03-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种相干接收硅光芯片及激光雷达系统，硅光芯片包括光端口、分束模块、混频模块、探测模块和电端口；所述光端口包括光输入端口、光输出端口、第一反射光输入端口和第二反射光输入端口；所述分束模块用于对从所述光输入端口进入的信号光进行分束，得到测量光和本振光；所述测量光经过所述光输出端口输出；混频模块，用于将经过第一反射光输入端口和第二反射光输入端口的两路TE偏振光分别与本振光进行光学混合，得到两路混频光束；探测模块，用于接收两路混频光束得到拍频信号，并由所述电端口输出至外部；所述光端口与光纤阵列相互耦合并固定。本发明实现了3μmSOI工艺应用于激光雷达系统。
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公开(公告)号：CN114927939A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210324698.7
申请日：2022-03-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于连续域束缚态的硅基发光芯片及其制备方法，包括硅衬底，二氧化硅绝缘层以及III‑V纳米盘/柱结构。本发明具有良好的光致发光特性，器件结构简单，结构纳米级别且易于制作，能实现大规模集成，在解决硅基片上光源方面有着巨大的潜力。
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公开(公告)号：CN114927939B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202210324698.7
申请日：2022-03-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于连续域束缚态的硅基发光芯片及其制备方法，包括硅衬底，二氧化硅绝缘层以及III‑V纳米盘/柱结构。本发明具有良好的光致发光特性，器件结构简单，结构纳米级别且易于制作，能实现大规模集成，在解决硅基片上光源方面有着巨大的潜力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118584705A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410712799.0
申请日：2024-06-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种电光调制器及其光芯片、光模块和光通信系统，包括：提供一基底；位于所述基底一侧的绝缘层；位于所述绝缘层中的调制光路；所述调制光路包括输入电极部分和电光调制部分。本发明完美解决现有TFLN调制器单端驱动的技术难点，能够实现更小尺寸，更低成本，更适合未来先进封装演进的光调制器，光模块以及光通信系统，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN113130715B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202110407456.X
申请日：2021-04-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L33/00 , H01L33/06 , H01L33/30 , H01L21/762 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供一种垂直结构硅基量子点发光器件的衬底转移方法，包括步骤：提供GaAs衬底，于GaAs衬底上生长外延层，外延层包括GaAs缓冲层、AlAs牺牲层和InAs量子点发光器件；提供硅衬底，形成BCB树脂材料层；进行烘烤，待烘烤后的硅衬底冷却后，将硅衬底和形成有外延层的GaAs衬底键合得到键合片，其中，BCB树脂材料层的表面和所InAs量子点发光器件的表面为键合面；将键合片置于惰性气体氛围下，对BCB树脂材料层进行固化；对键合片进行选择性刻蚀，以去除AlAs牺牲层，由此将InAs量子点发光器件转移至硅衬底上。本发明利用外延层剥离转移的方法，实现GaAs基InAs量子点发光器件与硅基材料在同一晶片上的异质集成，且制备工艺简单，不易损伤外延半导体器件结构。
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公开(公告)号：CN111442729B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202010300801.5
申请日：2020-04-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01B11/02
Abstract: 本发明涉及一种基于布洛赫表面波单向耦合效应的位移传感装置，包括泄漏辐射显微系统，所述泄漏辐射显微系统沿光信号走向依次包括激光器、透镜组、偏振片、半玻片、入射物镜、位移平台、收集物镜、收集透镜以及成像相机，所述位移平台上设有位移传感芯片，所述位移传感芯片为布洛赫表面波单向耦合芯片。本发明使用的入射光场简单，无需矢量光束整形，并且布洛赫表面光场消光比随入射光场与芯片的相对位移变化剧烈，使得传感灵敏度和精度高、响应速度快。同时，本发明还提高了量程。另外，本发明使用的布洛赫表面波单向耦合芯片为全介质结构，易储存，重复利用率高，且该芯片容错率高，易于加工，降低了加工难度。
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公开(公告)号：CN111458792A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010301643.5
申请日：2020-04-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明涉及一种基于不对称双狭缝结构的布洛赫表面波单向耦合芯片，包括一玻璃基底以及排布在该玻璃基底上的布拉格反射单元，所述布拉格反射单元中设有不对称双狭缝结构。本发明结构简单，并且本发明对狭缝长度没有严格要求，狭缝宽度和深度容错率高，降低了加工的难度。同时，本发明对入射光要求简单，仅需要偏振高斯光即可实现BSW单向传输功能，无需复杂的柱矢量光场。
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公开(公告)号：CN111442729A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010300801.5
申请日：2020-04-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01B11/02
Abstract: 本发明涉及一种基于布洛赫表面波单向耦合效应的位移传感装置，包括泄漏辐射显微系统，所述泄漏辐射显微系统沿光信号走向依次包括激光器、透镜组、偏振片、半玻片、入射物镜、位移平台、收集物镜、收集透镜以及成像相机，所述位移平台上设有位移传感芯片，所述位移传感芯片为布洛赫表面波单向耦合芯片。本发明使用的入射光场简单，无需矢量光束整形，并且布洛赫表面光场消光比随入射光场与芯片的相对位移变化剧烈，使得传感灵敏度和精度高、响应速度快。同时，本发明还提高了量程。另外，本发明使用的布洛赫表面波单向耦合芯片为全介质结构，易储存，重复利用率高，且该芯片容错率高，易于加工，降低了加工难度。
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