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公开(公告)号：CN114156407B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202111452012.4
申请日：2021-12-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种自旋劈裂‑铁磁性耦合材料及其应用，通过对自旋劈裂材料进行掺杂获得包括自旋劈裂材料及掺杂元素的自旋劈裂‑铁磁性耦合材料，自旋劈裂‑铁磁性耦合材料同时具有能带自旋劈裂及铁磁性，其中，能带自旋劈裂的特性在于自旋劈裂材料，铁磁性的特性在于掺杂元素。本发明提供的自旋劈裂‑铁磁性耦合材料可实现全电学式自旋轨道力矩驱动控制，以消除传统自旋轨道力矩下自旋劈裂材料及铁磁材料形成的异质结构，从而简化后续制备的器件结构，且可降低能量损耗。
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公开(公告)号：CN119286402A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411299454.3
申请日：2024-09-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于硅晶圆抛光的化学机械抛光液及其制备方法和应用，组分包括同时含吗啉环和胺基侧链的水溶性小分子。本发明通过在抛光液中加入同时含吗啉环和胺基侧链的水溶性小分子，在显著提高硅晶圆抛光速率的前提下，有效改善了硅晶圆表面平坦度，既满足了生产中对硅晶圆平坦化的需要又保证硅晶圆加工效率。
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公开(公告)号：CN116801701A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310768937.2
申请日：2023-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种磁性存储器件的制造方法，通过在第一绝缘层上表面形成第二绝缘层，在第二绝缘层远离第一绝缘层的表面开设第一开孔，在第一开孔内自下而上形成自由层、氧化层及固定层，形成的自由层、氧化层及固定层均为单层膜结构，且自由层的材料同时具有Rashba效应和铁磁性。自由层的材料通过使用同时具有Rashba效应和铁磁性的材料，可以在制备的磁性存储器件只形成自由层、氧化层及固定层三层结构的条件下，依然具有较高的磁矩翻转效率，打破了传统自由层厚度与磁矩翻转效率成负相关的限制，使得自由层不再受限于为了更易翻转而制备成的超薄厚度，降低了磁性存储器件的能耗；同时简化了磁性存储器件的制造工艺。
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公开(公告)号：CN115697021A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110825046.7
申请日：2021-07-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H10N30/85 , H10N30/076 , H10N30/093 , C23C14/35 , C23C14/06 , C23C16/30 , C23C16/34 , H03H3/02
Abstract: 本发明提供一种氮化铝压电薄膜、制备方法及应用，通过第一性原理计算，从原子间结合能入手，设计出采用B元素、X元素双掺杂的AlN压电薄膜，不需对设备进行复杂改装，提出了一种高效简单的技术手段；通过磁控溅射技术制备了氮化铝压电薄膜，其中，采用双靶或三靶溅射，靶材分开可以精确控制B元素及X元素的掺杂浓度，可在交叉区域获得掺杂均匀的薄膜；采用单靶溅射，则操作简便，便于快速实现薄膜的制备；采用MOCVD化学气相沉积方法制备氮化铝压电薄膜，可实现AlN掺杂B元素及X元素的梯度生长；从而本发明可制备出低损耗、高压电性能的氮化铝压电薄膜。
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公开(公告)号：CN110408910B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201910759403.7
申请日：2019-08-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23C16/44 , C23C16/458
Abstract: 本发明提供一种高通量气相沉积设备及气相沉积方法，高通量气相沉积设备包括：反应腔室；旋转工作台，位于反应腔室内；气体导入装置，位于所述反应腔室内，且位于旋转工作台的上方；气体导入装置将反应腔室分割为上部腔室及下部腔室；气体导入装置上设有若干个通孔；气体隔离结构，位于上部腔室内，且将上部腔室分割为相互隔离的隔离气体腔室及反应气体腔室；隔离气体导入通道，位于反应腔室的腔壁上，且与隔离气体腔室相连通；反应气体导入通道，位于反应腔室的腔壁上，且与反应气体腔室相连通。本发明的高通量气相沉积设备只需要使用一套隔离气体供给系统及一套反应气体隔离系统共两套气体供给系统，结构简单，容易实现，且隔离度好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114878605B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202210345490.3
申请日：2022-03-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N23/20008 , G01N23/207
Abstract: 本发明提供一种高通量薄膜压电性能综合表征装置及方法，装置包括：同步辐射光源光束发射器、光接收器、样品台、电源及电极选择器、加热测温装置。本发明通过对同一衬底的压电薄膜移动定位实现薄膜压电性能的高通量表征；同时利用同步辐射光源照射下采集到的X射线图谱对特定材料的唯一性，避免了衬底的干扰；另外利用同步辐射光源对物体晶格常数超高的分辨能力，有效提高了压电系数的测量精度；最后，配合原位加热和测温装置，在测量压电系数后可以在同一实验中对同一压电薄膜区域的居里温度进行即时原位测量，提高了对压电薄膜压电性能综合表征的效率。
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公开(公告)号：CN114156407A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111452012.4
申请日：2021-12-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种自旋劈裂‑铁磁性耦合材料及其应用，通过对自旋劈裂材料进行掺杂获得包括自旋劈裂材料及掺杂元素的自旋劈裂‑铁磁性耦合材料，自旋劈裂‑铁磁性耦合材料同时具有能带自旋劈裂及铁磁性，其中，能带自旋劈裂的特性在于自旋劈裂材料，铁磁性的特性在于掺杂元素。本发明提供的自旋劈裂‑铁磁性耦合材料可实现全电学式自旋轨道力矩驱动控制，以消除传统自旋轨道力矩下自旋劈裂材料及铁磁材料形成的异质结构，从而简化后续制备的器件结构，且可降低能量损耗。
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公开(公告)号：CN110408910A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910759403.7
申请日：2019-08-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23C16/44 , C23C16/458
Abstract: 本发明提供一种高通量气相沉积设备及气相沉积方法，高通量气相沉积设备包括：反应腔室；旋转工作台，位于反应腔室内；气体导入装置，位于所述反应腔室内，且位于旋转工作台的上方；气体导入装置将反应腔室分割为上部腔室及下部腔室；气体导入装置上设有若干个通孔；气体隔离结构，位于上部腔室内，且将上部腔室分割为相互隔离的隔离气体腔室及反应气体腔室；隔离气体导入通道，位于反应腔室的腔壁上，且与隔离气体腔室相连通；反应气体导入通道，位于反应腔室的腔壁上，且与反应气体腔室相连通。本发明的高通量气相沉积设备只需要使用一套隔离气体供给系统及一套反应气体隔离系统共两套气体供给系统，结构简单，容易实现，且隔离度好。
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公开(公告)号：CN110306160A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910734707.8
申请日：2019-08-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种高通量薄膜沉积设备及薄膜沉积方法，高通量薄膜沉积设备包括：反应腔室；工作台，位于反应腔室内；挡板，位于反应腔室内，且位于工作台的上方，与工作台具有间距；挡板上设有沿挡板的厚度方向贯穿的通孔；驱动装置，与工作台及挡板二者中的至少一者相连接；材料源，位于反应腔室内，且位于挡板的上方，与挡板具有间距。本发明的高通量薄膜沉积设备结构简单、水平移动部件少、成本较低；位于工作平台上的衬底可以不水平移动，可以实现对衬底进行加热；易于集成在线测试装置及其他外部装备。
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