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公开(公告)号：CN1223514C
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03129171.6
申请日：2003-06-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及鳞状碳纳米管、制备方法和专用装置。所述鳞状碳纳米管特征在于其外径15～50纳米，内径5～20纳米，长度10～100微米，鳞状实起长度100纳米，宽50纳米，由3～10层呈蜷曲状的多层石墨层片的实起。其制备包括中间层制备、过渡金属催化剂制备和碳纳米管生长三个过程，特征在于通过催化层的过渡金属膜，尤其是铁膜和中间层的晶格失配产生应力，使过渡金属膜破裂成纳米级颗粒。提供的专用装置包括真空系统、加热系统、配气系统、等离子体发生系统和薄膜生长系统，可一次完成包括样品清洗、预处理、中间层沉积、催化剂制备和碳纳米管的生长等工艺过程。制备的鳞状碳纳米管密度高、直径均匀、石墨化程度高，长度由反应时间控制。
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公开(公告)号：CN1199249C
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN03115427.1
申请日：2003-02-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/425
Abstract: 本发明公开了一种注氧隔离(SIMOX)技术制备全介质隔离的硅量子线的方法。本发明的特征是将SOI衬底材料的制备工艺与其后形成硅量子线的牺牲热氧化工艺结合在一起；在制备SOI衬底材料的过程中完成硅量子线的制备，具体包括三个步骤：(a)确定量子线区域并在其四周光刻出沟槽；(b)离子注入；(c)高温退火。本发明在减少工艺步骤、降低成本的同时提高了硅量子线的质量。所制备的硅量子线适合于制造单电子晶体管(SET)等固体纳米器件。
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公开(公告)号：CN1564297A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN200410017788.3
申请日：2004-04-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01J9/02
Abstract: 本发明涉及一种离子注入提高碳纳米管薄膜电子场发射的方法。特征在于通过对碳纳米管薄膜的衬底进行离子束处理，在衬底表面形成微米级的坑洞，经过后续处理，生长出具有微孔或微束特征的碳纳米管膜。通过增加碳纳米管膜中边缘比例和降低碳纳米管膜整体密度来提高场增强效果，从而改善碳纳米管薄膜的电子场发射性能。为形成碳纳米管孔洞，在离子注入后的硅片表面直接沉积催化金属层；为形成碳纳米管束，注入后在硅片表面沉积牺牲层，再然后进行退火，硅片表面形成凹坑，然后沉积催化金属层。化学腐蚀去掉牺牲层后，形成了分割的，彼此独立的小面积金属薄膜；碳纳米管膜的生长采用低频射频等离子体增强CVD方法。本方法与一般的微电子加工工艺相兼容，特别适合场发射平板显示器的单个像素点的电子场发射性能的改善。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1460638A
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN03129171.6
申请日：2003-06-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及鳞状碳纳米管、制备方法和专用装置。所述鳞状碳纳米管特征在于其外径15～50纳米，内径5～20纳米，长度10～100微米，鳞状实起长度100纳米，宽50纳米，由3～10层呈蜷曲状的多层石墨层片的实起。其制备包括中间层制备、过渡金属催化剂制备和碳纳米管生长三个过程，特征在于通过催化层的过渡金属膜，尤其是铁膜和中间层的晶格失配产生应力，使过渡金属膜破裂成纳米级颗粒。提供的专用装置包括真空系统、加热系统、配气系统、等离子体发生系统和薄膜生长系统，可一次完成包括样品清洗、预处理、中间层沉积、催化剂制备和碳纳米管的生长等工艺过程。制备的鳞状碳纳米管密度高、直径均匀、石墨化程度高，长度由反应时间控制。
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公开(公告)号：CN100342474C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200410017788.3
申请日：2004-04-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01J9/02
Abstract: 本发明涉及一种离子注入提高碳纳米管薄膜电子场发射的方法。特征在于通过对碳纳米管薄膜的衬底进行离子束处理，在衬底表面形成微米级的坑洞，经过后续处理，生长出具有微孔或微束特征的碳纳米管膜。通过增加碳纳米管膜中边缘比例和降低碳纳米管膜整体密度来提高场增强效果，从而改善碳纳米管薄膜的电子场发射性能。为形成碳纳米管孔洞，在离子注入后的硅片表面直接沉积催化金属层；为形成碳纳米管束，注入后在硅片表面沉积牺牲层，再然后进行退火，硅片表面形成凹坑，然后沉积催化金属层。化学腐蚀去掉牺牲层后，形成了分割的，彼此独立的小面积金属薄膜；碳纳米管膜的生长采用低频射频等离子体增强CVD方法。本方法与一般的微电子加工工艺相兼容，特别适合场发射平板显示器的单个像素点的电子场发射性能的改善。
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公开(公告)号：CN1556540A
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN200310122881.6
申请日：2003-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及了一种场发射显示器件的高真空封装方法，属于场发射显示器领域。该封装方法包括密封玻璃放置步骤、场发射显示器件装配步骤、抽真空步骤、加热封边步骤、冷却步骤，其中场发射显示器件抽真空与加热封边是在真空室中一次完成的。本发明的方法与传统的场发射显示器件封装方法相比，其特点在于：(1)省去了与器件相连接的抽气管道，使抽真空系统与真空室直接匹配，大大提高了抽真空速度和效率；(2)大大简化了器件的封装程序，降低了生产成本；(3)在高温下抽真空(300℃以上)，有助于阴阳极玻璃面板内表面吸附的水分充分排出器件内部空间，使封接后的器件真空度更高、更稳定；(4)由于不需要留排气口，封装后的器件更加美观。
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公开(公告)号：CN1431679A
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN03115427.1
申请日：2003-02-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明公开了一种注氧隔离(SIMOX)技术制备全介质隔离的硅量子线的方法。本发明的特征是将SOI衬底材料的制备工艺与其后形成硅量子线的牺牲热氧化工艺结合在一起；在制备SOI衬底材料的过程中完成硅量子线的制备，具体包括三个步骤：(a)确定量子线区域并在其四周光刻出沟槽；(b)离子注入；(c)高温退火。本发明在减少工艺步骤、降低成本的同时提高了硅量子线的质量。所制备的硅量子线适合于制造单电子晶体管(SET)等固体纳米器件。
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公开(公告)号：CN1547236A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN200310109479.4
申请日：2003-12-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及了一种将晶体管和碳纳米管场发射显示阵列集成在一起的结构，以及实现这种结构的方法。其特征在于将晶体管的漏同时作为碳纳米管场发射显示阵列的阴极，再在该漏上制作碳纳米管场发射显示阵列，以达到利用晶体管优良的电流控制特性来控制碳纳米管场发射显示阵列发射电流的目的。制备晶体管控制碳纳米管场发射显示阵列的方法，依次包括在基板上形成晶体管，然后在晶体管漏沉积发射阵列栅绝缘层和发射阵列的栅电极并刻蚀栅孔，最后沉积碳纳米管。采用本发明提供的方法所制作的场发射显示阵列能够使场发射显示器的发射电流稳定、均匀显示，并且发射电流可由晶体管精确控制。
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