-
公开(公告)号：CN116699651A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310636764.9
申请日：2023-05-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于救生设备技术领域，提供了救生终端及其控制方法。该救生终端包括按键开关、触水开关、开关管、电池单元、定位单元、指示灯、控制单元和信号发射单元，按键开关或触水开关被触发后，开关管导通，使得电池单元为所述控制单元供电，控制单元控制电池单元为定位单元和指示灯供电，使得定位单元和指示灯开启工作；定位单元获取当前位置信息发送给控制单元，控制单元控制电池单元为信号发射单元供电，使得信号发射单元开启工作，控制单元将当前位置信息通过信号发射单元发射出去。本申请能够大大增加救生终端的工作时间和待机时间。
-
公开(公告)号：CN111262529B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202010123495.2
申请日：2020-02-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03F1/02
Abstract: 本发明适用于无线电系统技术领域，提供了一种抗饱和限幅器、芯片及驱动放大器，该方法包括：多级限幅电路的第一端依次连接在输入端和输出端之间，每级限幅电路的第二端的第一端口接地，第一级限幅电路的第二端的第二端口串联一个功率负载后接地，最后一级限幅电路的第二端的第二端口串联一个功率负载后接地，中间级限幅电路的第二端的第二端口接地，中间级限幅电路为除第一级限幅电路和最后一级限幅电路之外的限幅电路，从而实现单片吸收式抗饱和限幅器，与现有的GaAs单片限幅器相比，线性度提高20dBc；采用该抗饱和限幅器，可以有效改善驱动放大器的过饱和问题，且耐功率及集成度高、装配简单、可靠性高。
-
公开(公告)号：CN116230701A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310225802.1
申请日：2023-03-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/528 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种系统级数模混合芯片封装结构及方法，该结构包括均设置焊盘阵列的数字电路基板、第一垂直互联电路板、模拟电路基板、第二垂直互联电路板和载板；数字电路基板同轴垂直设置在模拟电路基板的上方，数字电路基板通过第一垂直互联电路板与模拟电路基板连接；载板同轴垂直设置在模拟电路基板的下方，载板通过第二垂直互联电路板与模拟电路基板连接；第一垂直互联电路板和第二垂直互联电路板均为垂直互联结构。数字电路基板的上表面和下表面均设置数字电路芯片封装区域，模拟电路基板的上表面和下表面均设置模拟电路芯片封装区域。本发明能够在集成多种类型的多种元件的基础上，为数字电路和模拟电路提供隔离保护空间，提高系统级封装件的集成密度，减小封装件的封装体积与封装高度。
-
公开(公告)号：CN114244298A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111584254.9
申请日：2021-12-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03G11/00
Abstract: 本发明适用于微波通信技术领域，提供了一种基于反馈的微波限幅器及收发装置，上述限幅器包括：包括：双向耦合器、第一正向检波模块、第二正向检波模块、第一扼流电感、第二扼流电感、PIN二极管、第一电容、天线端及功率发射端；双向耦合器，第一主支路端与天线端连接，第二主支路端分别与第一扼流电感的第一端、PIN二极管的正极及功率发射端连接，第一耦合端与第一正向检波模块的输入端连接，第二耦合端与第二正向检波模块的输入端连接；第一正向检波模块的输出端与第一扼流电感的第二端连接；本发明基于双向耦合器的特性，当有大功率信号注入时，两个检波模块叠加作用到PIN二极管的两端，单向限幅，实现了对大功率信号的单向防护。
-
公开(公告)号：CN111370832B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202010206509.7
申请日：2020-03-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种脊波导与玻珠包带的连接结构及微波器件，属于微波封装技术领域，包括脊波导本体、金带环和玻珠，脊波导本体包括波导腔体和设于所述波导腔体内的脊体，至少所述脊体的上表面设有第一镀层；金带环连接于所述第一镀层上；玻珠包括玻珠本体和与所述玻珠本体连接的探针，所述探针的外表面包覆第二镀层，所述探针伸入所述金带环内且与所述金带环的内壁接触。本发明提供的脊波导与玻珠包带的连接结构，由于玻珠的探针与脊波导本体无需焊接，避免了焊接过程中的应力形变，探针直接插入金带环中，利用金带环的弹性，实现一定的弹性接触，在工作时，具有一定的调节性，避免产生应力损伤，使得连接可靠，保证器件的平稳运行。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111370832A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010206509.7
申请日：2020-03-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种脊波导与玻珠包带的连接结构及微波器件，属于微波封装技术领域，包括脊波导本体、金带环和玻珠，脊波导本体包括波导腔体和设于所述波导腔体内的脊体，至少所述脊体的上表面设有第一镀层；金带环连接于所述第一镀层上；玻珠包括玻珠本体和与所述玻珠本体连接的探针，所述探针的外表面包覆第二镀层，所述探针伸入所述金带环内且与所述金带环的内壁接触。本发明提供的脊波导与玻珠包带的连接结构，由于玻珠的探针与脊波导本体无需焊接，避免了焊接过程中的应力形变，探针直接插入金带环中，利用金带环的弹性，实现一定的弹性接触，在工作时，具有一定的调节性，避免产生应力损伤，使得连接可靠，保证器件的平稳运行。
-
公开(公告)号：CN110868793A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201911154977.8
申请日：2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于微波电路设计技术领域，提供了一种屏蔽结构和三维集成微波电路，包括：下基板、下基板接地焊盘、上基板和上基板接地焊盘。屏蔽接地焊球设置在下基板接地焊盘与上基板接地焊盘之间；屏蔽接地焊球排列形成至少一个封闭图形，封闭图形构成屏蔽腔。本申请实施例提供的屏蔽结构及三维集成微波电路，利用屏蔽接地焊球排列形成封闭的屏蔽腔。通过控制构成每个屏蔽腔的相邻屏蔽接地焊球的距离，能够达到良好的电磁波屏蔽和隔离效果。经试验，本申请实施例提供的屏蔽结构在毫米波频段隔离度可以达到40dBc以上，有效解决了小型化三维电路中电磁兼容和电磁干扰的问题。
-
公开(公告)号：CN118316406A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410325465.8
申请日：2024-03-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 高长征 , 孙一航 , 邓世雄 , 罗建 , 陈书宾 , 刘飞飞 , 孙计永 , 王生明 , 王磊 , 宋学峰 , 周彪 , 王乔楠 , 马维龙 , 陈帅 , 李丰 , 郭丰强 , 肖宁 , 吴波
Abstract: 本发明提供一种碳化硅基半有源耦合检波限幅器及其组件，该限幅器包括上层芯片和下层芯片。上层芯片包括硅基PIN二极管。下层芯片包括碳化硅衬底、碳化硅肖特基二极管和辅助电路。碳化硅肖特基二极管和辅助电路通过芯片制造工艺制备在碳化硅衬底上，其中，辅助电路包括耦合器、匹配电路和键合焊盘。硅基PIN二极管通过键合焊盘键合在碳化硅衬底上。本发明实施例将功率容量大的硅基PIN二极管与热导率高的碳化硅基肖特基二极管相结合，在确保限幅器高耐受功率的同时，大幅度缩小电路尺寸，提升了集成度。
-
公开(公告)号：CN116155225A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310146525.5
申请日：2023-02-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于无线电系统电路技术领域，提供了一种滤波限幅器及雷达接收系统。该滤波限幅器包括：输入谐振单元、中间谐振单元和输出谐振单元；输入谐振单元包括第一电感；输出谐振单元包括第二电感；中间谐振单元包括第三电感和第四电感；第一电感、第二电感、第三电感和第四电感中至少一个为铁氧体电感；输入谐振单元的第一端与信号输入端相连接，第二端与中间谐振单元的第一端相连接；中间谐振单元的第二端与输出谐振单元的第一端相连接；输出谐振单元的第二端与信号输出端相连接。本申请能够能够兼顾小信号滤波器特性及大信号限幅特性，系统结构简单、尺寸小、成本低，能够提高系统抗干扰能力，同时具有大功率信号的防护能力。
-
公开(公告)号：CN115642086A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211248092.6
申请日：2022-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/329 , H01L29/868 , H01L29/417
Abstract: 本申请提供一种基于硅基PIN二极管的PIN限幅器的制备方法及PIN限幅器，该方法包括：在硅晶圆衬底制备多级PN结，得到N+层、多个P+层和多个I层区域；在每个P+层的上表面制备上电极；在N+层的下表面制备下电极；在N+层的上表面制备第一钝化层；在第一钝化层的上表面刻蚀多个凹槽至N+层，基于多个凹槽制备多个接地焊盘；在第一钝化层的上表面制备绝缘介质层；在绝缘介质层的上表面进行开窗，形成多个开孔；在绝缘介质层的上表面制备预设外围电路，在多个开孔内进行镀金处理，以使多个上电极和多个接地焊盘电连接预设外围电路。本申请采用单片化制备方法，使制备得到的基于硅基PIN二极管的PIN限幅器尺寸小且集成度高。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.037 seconds)
