公开(公告)号：CN114746985A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202080084270.9

申请日：2020-10-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户田聪 ,  新藤尚树 ,  立花光博 ,  林春菜 ,  杨元

IPC: H01L21/302 ,  C23F1/12

Abstract: 蚀刻方法具有如下工序：将至少具有钼膜或钨膜以及含硅物且钼膜或钨膜露出的状态的基板设置于腔室内；向腔室内供给氧化气体和作为蚀刻气体的六氟化物气体来相对于含硅物选择性地蚀刻钼膜或钨膜。

公开(公告)号：CN115410916A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202210547963.8

申请日：2022-05-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 新藤尚树 ,  杨元 ,  铃木春菜

IPC: H01L21/3213

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置，能够在存在氮化钛、以及钼或钨的基板上抑制钼或钨中的孔蚀的产生并蚀刻氮化钛膜。蚀刻方法包括以下步骤：准备存在氮化钛、以及钼或钨的基板；以及向基板供给含有ClF3气体和N2气体的处理气体，来蚀刻氮化钛。在蚀刻中，使处理气体的ClF3气体与N2气体的分压比成为使Mo或W的晶粒间界氮化到抑制孔蚀的产生的程度的值。

公开(公告)号：CN114121640A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110953644.2

申请日：2021-08-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 竹谷考司 ,  杨元 ,  李桢灿 ,  户田聪 ,  羽田敬子

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明涉及蚀刻方法和蚀刻装置。对嵌入至基板上具有开口幅度彼此不同的多个凹部的含氧硅膜进行蚀刻时，提高基板的面内各部的蚀刻量的控制性。一种蚀刻方法，其为向具备开口部的大小彼此不同的多个凹部的基板供给蚀刻气体、对嵌入至前述各凹部的含氧硅膜进行蚀刻的蚀刻方法，所述蚀刻方法实施如下工序：吸附工序，向前述基板供给有机胺化合物气体，并使其吸附于前述含氧硅膜；脱附工序，使多余的前述有机胺化合物气体从前述基板脱附；和，蚀刻工序，向吸附有前述有机胺化合物的基板供给所述包含卤素的前述蚀刻气体，对前述各凹部的前述含氧硅膜进行选择性地蚀刻。