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公开(公告)号：CN1845408A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610074337.2
申请日：2006-04-07
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01S5/2231 , H01S5/4081 , H01S5/4087 , H01S2301/14
Abstract: 具有多个发光点的半导体激光器装置中，施加到发光点处的应力根据从芯片中心到发光点的距离而变化，随着从芯片中心远离而变大，但是，因为各发光点的间隔因所使用的波段而存在限制，所以，不能将所有的发光点都配置在芯片的中心附近。本发明的半导体激光器装置是具有二个以上发光点的半导体激光器装置，每个所述发光点都具有脊型条纹结构，将所述二个以上的发光点中的至少一个发光点配置在从衬底的宽度方向的中心离开所述衬底宽度的0％以上15％以下的位置上。
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公开(公告)号：CN101588020A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910009970.7
申请日：2009-01-24
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , H01S5/1064 , H01S5/4025 , H01S5/4031
Abstract: 本发明涉及半导体激光器。在脊宽度朝向射出端面扩大的扩张脊型双沟道结构的半导体激光器中，随着光输出的变化，水平方向的远场图形的强度中心以及形状发生变动，不能得到稳定的成品率。本发明提供一种半导体激光器，其通过使脊宽度最窄的地方的两侧的沟道部的宽度比光射出端面部的沟道宽度变宽，能够抑制随着光输出变化的水平方向的远场图形的强度中心的变动，射出远场图形的形状稳定的激光光束。
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公开(公告)号：CN100446361C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200610074337.2
申请日：2006-04-07
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01S5/2231 , H01S5/4081 , H01S5/4087 , H01S2301/14
Abstract: 具有多个发光点的半导体激光器装置中，施加到发光点处的应力根据从芯片中心到发光点的距离而变化，随着从芯片中心远离而变大，但是，因为各发光点的间隔因所使用的波段而存在限制，所以，不能将所有的发光点都配置在芯片的中心附近。本发明的半导体激光器装置是具有二个以上发光点的半导体激光器装置，每个所述发光点都具有脊型条纹结构，将所述二个以上的发光点中的至少一个发光点配置在从衬底的宽度方向的中心离开所述衬底宽度的0%以上15%以下的位置上。
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公开(公告)号：CN114762201B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN201980102505.X
申请日：2019-12-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 具备：半导体层，由形成于n型GaAs基板(101)表面的n型包覆层(102)、形成于n型包覆层(102)表面的活性层(103)、形成于活性层(103)表面的具有脊部(104a、105a)的p型包覆层(104)以及形成于p型包覆层(104)表面的p型接触层(105)构成；绝缘膜(150a、150b)，覆盖上述半导体层的表面并在p型接触层(105a)的表面具有开口部；以及导电层，经由上述开口部与p型接触层(105a)连接，直到设置于与上述脊部邻接的上述半导体层的平坦部为止形成于绝缘层(150b)的表面，在上述导电层，在靠近上述脊部的上述平坦部设置有凸状的侧壁，侧壁将焊料的扩展限制在非发光区域的附近，由此防止元件间的电短路。
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公开(公告)号：CN111937257B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201880091961.4
申请日：2018-04-03
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/022
Abstract: 具有以下工序：准备载体；将具有发光条带区域和相邻区域的激光芯片搭载于焊料之上，使该激光芯片位于该第1端面的正上方和该第2端面的正上方；以及使加热后的该焊料在其浸润扩展由于该毛刺而受到限制的同时，在该第1端面或者该第2端面的方向浸润扩展而形成延伸部，该延伸部将该激光芯片与该阻挡层直接连接，该载体具有：载体基板，其具有第1端面和第2端面；电极层，其设置于该载体基板之上；阻挡层，其设置于该电极层之上，在俯视观察时仅达到至该载体基板的端面中的该第1端面或者该第2端面的至少一者；毛刺，其位于该阻挡层的侧面，比该阻挡层高；以及该焊料，其在该阻挡层之上，在俯视观察时从该载体基板的全部端面退后地设置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101588020B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200910009970.7
申请日：2009-01-24
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , H01S5/1064 , H01S5/4025 , H01S5/4031
Abstract: 本发明涉及半导体激光器。在脊宽度朝向射出端面扩大的扩张脊型双沟道结构的半导体激光器中，随着光输出的变化，水平方向的远场图形的强度中心以及形状发生变动，不能得到稳定的成品率。本发明提供一种半导体激光器，其通过使脊宽度最窄的地方的两侧的沟道部的宽度比光射出端面部的沟道宽度变宽，能够抑制随着光输出变化的水平方向的远场图形的强度中心的变动，射出远场图形的形状稳定的激光光束。
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公开(公告)号：CN1783605A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510119477.2
申请日：2005-11-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/22
Abstract: 提供一种半导体激光器，射出水平方向的远场图样的强度中心不随光输出变化而变化且形状稳定的激光。设定沟部(15)的宽度，以便使脊(6)中央部的电场大小E1与沟部(15)端部的电场大小E2的比率E1/E2大于0.0001而小于0.01。在双沟道型脊形构造的半导体激光器中，沟部(15)的外侧存在等效折射率大于沟部(15)的等效折射率的层。因而，由于分布在从沟部(15)向外侧的光被半导体吸收，故可获得水平方向的远场图样的强度中心不随光输出的变化而变化且形状稳定的激光。
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公开(公告)号：CN111937257A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201880091961.4
申请日：2018-04-03
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/022
Abstract: 具有以下工序：准备载体；将具有发光条带区域和相邻区域的激光芯片搭载于焊料之上，使该激光芯片位于该第1端面的正上方和该第2端面的正上方；以及使加热后的该焊料在其浸润扩展由于该毛刺而受到限制的同时，在该第1端面或者该第2端面的方向浸润扩展而形成延伸部，该延伸部将该激光芯片与该阻挡层直接连接，该载体具有：载体基板，其具有第1端面和第2端面；电极层，其设置于该载体基板之上；阻挡层，其设置于该电极层之上，在俯视观察时仅达到至该载体基板的端面中的该第1端面或者该第2端面的至少一者；毛刺，其位于该阻挡层的侧面，比该阻挡层高；以及该焊料，其在该阻挡层之上，在俯视观察时从该载体基板的全部端面退后地设置。
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公开(公告)号：CN101447640B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810165771.0
申请日：2008-09-23
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , H01S5/02212 , H01S5/0224 , H01S5/02244 , H01S5/02272 , H01S5/02476 , H01S5/4087
Abstract: 本发明提供一种能够减小激光器的起偏振角的半导体发光装置及其制造方法。本发明的半导体发光装置是将半导体激光芯片(11)以结向下方式接合到AlN衬底(12)上，并将该AlN衬底(12)接合到Cu管座13(封装)上而形成的。将与半导体激光芯片(11)的激光照射方向垂直的方向作为AlN衬底(12)的宽度W的方向。对AlN衬底(12)厚度H和宽度W进行设定，使得半导体激光芯片(11)与AlN衬底(12)发生接合的面的中心部受到的等效应力与AlN衬底(12)的宽度W方向的应力相乘后所得的数值∑不会超过通过改变AlN衬底(12)的厚度H和宽度W所能得到的数值∑的最大值的70％。
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公开(公告)号：CN100508312C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200410057521.7
申请日：2004-08-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/40
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/2063 , H01S5/2086 , H01S5/209 , H01S5/2231 , H01S5/34326 , H01S5/34353 , H01S5/4031 , H01S5/4087
Abstract: 提供一种单片式半导体激光器及其制造方法，使条带构造的相对的位置，发光点之间的相对的位置变成恒定。该单片式半导体激光器包含发光波长不同的多个半导体激光器，包括：半导体衬底；形成在半导体衬底上的第1区域中、从上下用第1包层把第1活性层夹在中间的第1双异质结构；形成在半导体衬底上的第2区域中、从上下用第2包层把第2活性层夹在中间的第2双异质结构；在第1活性层与该第1活性层的上侧的第1包层之间、和在第2活性层与该第2活性层的上侧的第2包层之间形成的刻蚀阻挡层；第1和第2活性层由不同的半导体材料构成。第1活性层上下的第1包层由基本相同的半导体材料构成，第2活性层上下的第2包层由基本相同的半导体材料构成。
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