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公开(公告)号：CN103915425B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201310744991.X
申请日：2013-12-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/07
CPC classification number: H03K17/567 , H01L23/3107 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/48464 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/49505 , H01L2224/73265 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1203 , H01L2924/12035 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H03K17/12 , H03K2217/0036 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/00014
Abstract: 针对使IGBT和MOSFET并联动作而作为开关设备进行使用的功率用半导体装置，将装置整体小型化。IGBT及MOSFET中的配置在栅极控制电路的附近的晶体管，将从栅极控制电路发送来的栅极控制信号，发送至配置在远离栅极控制电路的位置处的晶体管的栅极。而且，经由电阻元件，将栅极控制信号发送至配置在栅极控制电路的附近的晶体管。
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公开(公告)号：CN101847612B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201010127752.6
申请日：2010-02-20
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 白石卓也
IPC: H01L23/367 , H01L23/40 , H01L21/50
CPC classification number: H01L23/4006 , H01L23/367 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够防止将半导体模块以朝向从相对于散热片的正确方向旋转180度后的方向的状态固定于散热片的半导体装置及其制造方法，以及提供能够防止半导体模块的绝缘强度降低的半导体装置及其制造方法。本发明的发明相关的半导体装置，其特征在于，包括：半导体模块，在接合面设有第一嵌合部及形状与所述第一嵌合部不同的第二嵌合部；以及散热片，在接合面设有第三嵌合部及形状与所述第三嵌合部不同的第四嵌合部，以使所述第一嵌合部及所述第二嵌合部分别与所述第三嵌合部及所述第四嵌合部嵌合的方式，所述半导体模块接合到所述散热片。
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公开(公告)号：CN101847612A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010127752.6
申请日：2010-02-20
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 白石卓也
IPC: H01L23/367 , H01L23/40 , H01L21/50
CPC classification number: H01L23/4006 , H01L23/367 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够防止将半导体模块以朝向从相对于散热片的正确方向旋转180度后的方向的状态固定于散热片的半导体装置及其制造方法，以及提供能够防止半导体模块的绝缘强度降低的半导体装置及其制造方法。本发明的发明相关的半导体装置，其特征在于，包括：半导体模块，在接合面设有第一嵌合部及形状与所述第一嵌合部不同的第二嵌合部；以及散热片，在接合面设有第三嵌合部及形状与所述第三嵌合部不同的第四嵌合部，以使所述第一嵌合部及所述第二嵌合部分别与所述第三嵌合部及所述第四嵌合部嵌合的方式，所述半导体模块接合到所述散热片。
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公开(公告)号：CN116247038A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211536479.1
申请日：2022-12-02
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 白石卓也
IPC: H01L23/544
Abstract: 目的是提供可容易地识别半导体装置的额定电流的技术。半导体装置(1)具有：封装件(2)，其将半导体元件封装，在俯视观察时为矩形状；控制端子组，包含从封装件(2)的第一边及与第一边相对的第二边之中的第一边的侧面凸出且向半导体元件输入控制信号的至少三个控制端子(4)；以及主端子组，包含从第二边的侧面凸出且向半导体元件流通主电流的至少三个主端子(5)。在控制端子组及主端子组之中各自的两个端子(4、5)的中途部设置用于防止相对于基板(50)的过插入的限位器(4a、5a)。在控制端子组及主端子组之中至少一个端子组的至少一个端子(4、5)的中途部设置用于识别半导体装置(1)的额定电流的限位器(4b、5b)。
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公开(公告)号：CN115224963A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210299294.7
申请日：2022-03-25
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 白石卓也
IPC: H02M7/48
Abstract: 提供实施针对控制装置的噪声对策并且抑制了成本的增加的半导体模块。半导体模块构成为，第1开关器件及第2开关器件、第1控制装置及第2控制装置被俯视形状为矩形的封装件封装，在该半导体模块中，向第1控制装置及第2控制装置的信号被从在封装件的第1长边的侧面设置的多个信号端子输入，第1开关器件及第2开关器件的输出被从在第2长边的侧面设置的输出端子输出，第1控制装置及第2控制装置的控制接地与在第1长边的侧面设置的控制接地端子连接，主电源端子及电源接地端子设置于第2长边的侧面，电源接地端子经由在封装件的外部设置的电流检测用电阻及在封装件的内部设置的阻抗部件，在封装件的内部与控制接地端子电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108736740A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810373782.1
申请日：2018-04-24
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 白石卓也
IPC: H02M7/00
Abstract: 得到能够改善短路电流检测的精度的半导体装置。晶体管(2)具有主端子(8)和感测端子(9)。N相输出电极(4)通过第1导线(10)、(11)与主端子(8)连接。感测输出电极(6)通过第2导线(12)与感测端子(9)连接。封装件(1)对N相输出电极(4)的一部分、感测输出电极(6)的一部分、晶体管(2)、第1及第2导线(10)、(11)、(12)进行封装。从主端子(8)至N相输出电极(4)为止的配线电感比从感测端子(9)至感测输出电极(6)为止的配线电感大。
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公开(公告)号：CN103915425A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310744991.X
申请日：2013-12-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/07
CPC classification number: H03K17/567 , H01L23/3107 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/48464 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/49505 , H01L2224/73265 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1203 , H01L2924/12035 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H03K17/12 , H03K2217/0036 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/00014
Abstract: 针对使IGBT和MOSFET并联动作而作为开关设备进行使用的功率用半导体装置，将装置整体小型化。IGBT及MOSFET中的配置在栅极控制电路的附近的晶体管，将从栅极控制电路发送来的栅极控制信号，发送至配置在远离栅极控制电路的位置处的晶体管的栅极。而且，经由电阻元件，将栅极控制信号发送至配置在栅极控制电路的附近的晶体管。
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公开(公告)号：CN111916404B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202010363119.0
申请日：2020-04-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/14 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L25/07 , H01L21/48 , H01L21/56
Abstract: 功率用半导体装置(100)具有框架(1)、半导体元件(4)、基板(7)、封装树脂(13)。半导体元件(4)配置于框架(1)之上。基板(7)配置于框架(1)的与配置半导体元件(4)的一侧相反侧。封装树脂(13)对半导体元件(4)及基板(7)进行封装。基板(7)包含金属片(7A)、金属片(7A)的一个主表面侧的第1绝缘片(7B)、金属片(7A)的另一个主表面侧的第2绝缘片(7C)。金属片(7A)在常温下具有挠性。
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公开(公告)号：CN103633077B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310124301.0
申请日：2013-04-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/495 , H01L23/367 , H01L23/31 , H02M7/00
CPC classification number: H01L27/0617 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H03K17/56 , Y02B70/1483 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及功率模块。功率模块（1）具备：IGBT（2）；MOSFET（3），与IGBT（2）并联连接；引线框（10），具有搭载有IGBT（2）的第一框部（11）和搭载有MOSFET（3）的第二框部（12），并且形成有第一框部（11）位于第一高度、第二框部（12）位于比第一高度高的第二高度的阶梯差（13）；以及散热体的绝缘片（30），在引线框（10）中仅配置于第一框部（11）的背面。从而能够调整IGBT与MOSFET的损耗负担并提高成本效率。
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公开(公告)号：CN112151456A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010573580.9
申请日：2020-06-22
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 白石卓也
IPC: H01L23/13 , H01L23/544
Abstract: 得到不降低生产效率和设计自由度就能够识别产品的半导体装置。半导体模块(1)具有：模块主体(2)，其具有彼此相对的第1及第2主面；以及端子(3、4)，它们从模块主体(2)的侧面凸出，向第1主面侧弯折。安装基板(10)配置于第1主面侧，与端子(3、4)连接。散热鳍片(11)配置于第2主面侧。螺钉(12、13)从第1主面侧将模块主体(2)的安装部(5、6)安装于散热鳍片(11)。在安装基板(10)，在与安装部(5、6)相对的部分设置有开口(18、19)，产品的类型(9)被印刷于第1主面，从安装基板(10)的开口(18)露出。
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