公开(公告)号：CN118795725A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410284584.3

申请日：2024-03-13

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 柳东完 ,  金铃根 ,  林雪熙 ,  林秀斌 ,  姜锡一

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 公开一种半导体光刻胶组合物以及一种使用其形成图案的方法。半导体光刻胶组合物包含由化学式1表示的有机金属化合物和溶剂。

公开(公告)号：CN112652519B

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202011057384.2

申请日：2020-09-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金容兑 ,  吴釜根 ,  朴景铃 ,  成太根 ,  任相均 ,  林雪熙 ,  田桓承

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  C23C16/44 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明公开一种用于沉积薄膜的组合物，包含含有锶、钡或其组合的有机金属化合物和至少一个由化学式1表示的含非共用电子对的化合物；一种使用用于沉积薄膜的组合物制造薄膜的方法；以及一种由用于沉积薄膜的组合物制造的薄膜；以及一种包含薄膜的半导体装置。在式1中，R1到R3的定义如本说明书中所描述。[化学式1]R1R2R3N

公开(公告)号：CN119439611A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202410874416.X

申请日：2024-07-02

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 禹昌秀 ,  林雪熙 ,  李旻映 ,  金智敏

IPC: G03F7/004 ,  G03F1/80 ,  G03F1/56

Abstract: 一种半导体光刻胶组合物包含由化学式1表示的有机金属性化合物和溶剂。提供一种利用所述半导体光刻胶组合物来形成(或提供)图案的方法。[化学式1](R1)n1‑M‑[(X)‑R2]m1。

公开(公告)号：CN118795724A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410262316.1

申请日：2024-03-07

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 林秀斌 ,  金铃根 ,  姜恩美 ,  林雪熙

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/00

Abstract: 公开一种半导体光刻胶组合物以及使用其形成图案的方法。半导体光刻胶组合物包含由化学式1表示的有机锡化合物和溶剂。

公开(公告)号：CN118295210A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202311257050.3

申请日：2023-09-27

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 林雪熙 ,  禹昌秀 ,  金铃根 ,  柳东完 ,  林秀斌 ,  姜锡一 ,  姜恩美

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 公开一种半导体光刻胶组合物以及一种使用其形成图案的方法，所述半导体光刻胶组合物包含由化学式1表示的有机锡化合物和溶剂。

公开(公告)号：CN119472165A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202410955967.9

申请日：2024-07-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 柳东完 ,  姜恩美 ,  金铃根 ,  林雪熙 ,  林秀斌 ,  姜锡一

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 一种半导体光刻胶组合物包含：由化学式1表示的有机锡化合物；以及溶剂，其中对化学式1的详细说明如在说明书中所述。此外，一种形成图案的方法包括：在基板上形成蚀刻目标层；在蚀刻目标层上涂覆所述半导体光刻胶组合物以形成光刻胶层；对光刻胶层进行图案化以形成光刻胶图案；以及利用光刻胶图案作为蚀刻掩模来对蚀刻目标层进行蚀刻。化学式1#imgabs0#

公开(公告)号：CN117148672A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202310071780.8

申请日：2023-02-07

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 林雪熙 ,  林栽范 ,  徐也隐 ,  张水民 ,  林秀斌 ,  李旻映 ,  金智敏 ,  白载烈 ,  姜恩美 ,  禹昌秀

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明公开一种包含由化学式1表示的有机金属化合物和溶剂的半导体光刻胶组合物以及一种使用其形成图案的方法。化学式1的具体细节如说明书中所定义。[化学式1][R1L1SnO(R2L2C(＝O)O)]6。

公开(公告)号：CN113087747A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202011416809.4

申请日：2020-12-07

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 任相均 ,  朴景铃 ,  金容兑 ,  成太根 ,  吴釜根 ,  林雪熙

IPC: C07F17/00 ,  C07F3/00 ,  C23C16/40 ,  H01L27/28

Abstract: 公开一种由化学式1表示的有机金属化合物、一种用于沉积包含有机金属化合物的薄膜的组合物、一种使用用于沉积薄膜的组合物制造薄膜的方法、一种由用于沉积薄膜的组合物制造的有机金属化合物薄膜以及一种包含薄膜的半导体装置。所述有机金属化合物在室温下呈液态且呈现低粘度和极佳挥发性。在化学式1中，M和A的定义如本说明书中所描述。[化学式1]M(A)2。

公开(公告)号：CN112652519A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202011057384.2

申请日：2020-09-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金容兑 ,  吴釜根 ,  朴景铃 ,  成太根 ,  任相均 ,  林雪熙 ,  田桓承

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  C23C16/44 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明公开一种用于沉积薄膜的组合物，包含含有锶、钡或其组合的有机金属化合物和至少一个由化学式1表示的含非共用电子对的化合物；一种使用用于沉积薄膜的组合物制造薄膜的方法；以及一种由用于沉积薄膜的组合物制造的薄膜；以及一种包含薄膜的半导体装置。在式1中，R1到R3的定义如本说明书中所描述。[化学式1]R1R2R3N。