公开(公告)号：CN118295210A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202311257050.3

申请日：2023-09-27

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 林雪熙 ,  禹昌秀 ,  金铃根 ,  柳东完 ,  林秀斌 ,  姜锡一 ,  姜恩美

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 公开一种半导体光刻胶组合物以及一种使用其形成图案的方法，所述半导体光刻胶组合物包含由化学式1表示的有机锡化合物和溶剂。

公开(公告)号：CN119472165A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202410955967.9

申请日：2024-07-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 柳东完 ,  姜恩美 ,  金铃根 ,  林雪熙 ,  林秀斌 ,  姜锡一

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 一种半导体光刻胶组合物包含：由化学式1表示的有机锡化合物；以及溶剂，其中对化学式1的详细说明如在说明书中所述。此外，一种形成图案的方法包括：在基板上形成蚀刻目标层；在蚀刻目标层上涂覆所述半导体光刻胶组合物以形成光刻胶层；对光刻胶层进行图案化以形成光刻胶图案；以及利用光刻胶图案作为蚀刻掩模来对蚀刻目标层进行蚀刻。化学式1#imgabs0#

公开(公告)号：CN118795725A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410284584.3

申请日：2024-03-13

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 柳东完 ,  金铃根 ,  林雪熙 ,  林秀斌 ,  姜锡一

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 公开一种半导体光刻胶组合物以及一种使用其形成图案的方法。半导体光刻胶组合物包含由化学式1表示的有机金属化合物和溶剂。

公开(公告)号：CN119511632A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411077030.2

申请日：2024-08-07

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金铃根 ,  姜锡一

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/00

Abstract: 一种半导体光刻胶组合物包含：由化学式1表示的有机金属性化合物；以及溶剂，化学式1#imgabs0#此外，一种形成图案的方法包含：在基板上形成蚀刻目标层；将根据权利要求1所述的半导体光刻胶组合物涂覆于蚀刻目标层上以形成光刻胶层；对光刻胶层进行图案化以形成光刻胶图案；以及使用光刻胶图案作为蚀刻掩模来对蚀刻目标层进行蚀刻。