公开(公告)号：CN117492324A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202310577542.4

申请日：2023-05-22

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 禹昌秀 ,  韩承 ,  蔡承龙 ,  李旻映 ,  金智敏 ,  张水民 ,  任相均 ,  徐也隐 ,  姜恩美 ,  林秀斌 ,  文京守

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明公开一种包含第一有机金属化合物、第二有机金属化合物以及溶剂的半导体光刻胶组合物和一种使用其形成图案的方法。半导体光刻胶组合物可提供具有改进的敏感性、分辨率以及存储稳定性的光刻胶图案。

公开(公告)号：CN118795725A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410284584.3

申请日：2024-03-13

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 柳东完 ,  金铃根 ,  林雪熙 ,  林秀斌 ,  姜锡一

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 公开一种半导体光刻胶组合物以及一种使用其形成图案的方法。半导体光刻胶组合物包含由化学式1表示的有机金属化合物和溶剂。

公开(公告)号：CN119472165A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202410955967.9

申请日：2024-07-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 柳东完 ,  姜恩美 ,  金铃根 ,  林雪熙 ,  林秀斌 ,  姜锡一

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 一种半导体光刻胶组合物包含：由化学式1表示的有机锡化合物；以及溶剂，其中对化学式1的详细说明如在说明书中所述。此外，一种形成图案的方法包括：在基板上形成蚀刻目标层；在蚀刻目标层上涂覆所述半导体光刻胶组合物以形成光刻胶层；对光刻胶层进行图案化以形成光刻胶图案；以及利用光刻胶图案作为蚀刻掩模来对蚀刻目标层进行蚀刻。化学式1#imgabs0#

公开(公告)号：CN117148672A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202310071780.8

申请日：2023-02-07

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 林雪熙 ,  林栽范 ,  徐也隐 ,  张水民 ,  林秀斌 ,  李旻映 ,  金智敏 ,  白载烈 ,  姜恩美 ,  禹昌秀

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明公开一种包含由化学式1表示的有机金属化合物和溶剂的半导体光刻胶组合物以及一种使用其形成图案的方法。化学式1的具体细节如说明书中所定义。[化学式1][R1L1SnO(R2L2C(＝O)O)]6。

公开(公告)号：CN119987131A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202411432186.8

申请日：2024-10-14

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 林秀斌 ,  徐也隐 ,  张水民 ,  禹昌秀 ,  李旻映 ,  成太根 ,  姜恩美 ,  金智敏 ,  张胜宇 ,  辛乘旭

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 提供了半导体光刻胶组合物和使用所述组合物形成图案的方法。该半导体光刻胶组合物包含有机金属化合物和混合溶剂，该混合溶剂包含重量比为约1:99至约30:70的醇类化合物和非醇类化合物。

公开(公告)号：CN118795724A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410262316.1

申请日：2024-03-07

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 林秀斌 ,  金铃根 ,  姜恩美 ,  林雪熙

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/00

Abstract: 公开一种半导体光刻胶组合物以及使用其形成图案的方法。半导体光刻胶组合物包含由化学式1表示的有机锡化合物和溶剂。

公开(公告)号：CN118295210A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202311257050.3

申请日：2023-09-27

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 林雪熙 ,  禹昌秀 ,  金铃根 ,  柳东完 ,  林秀斌 ,  姜锡一 ,  姜恩美

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 公开一种半导体光刻胶组合物以及一种使用其形成图案的方法，所述半导体光刻胶组合物包含由化学式1表示的有机锡化合物和溶剂。