公开(公告)号：CN1234909C

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN00131893.4

申请日：2000-10-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣宽 ,  朴泳旭 ,  林载顺 ,  崔城济 ,  李相忍

IPC: C23C26/00

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/403 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45525 ,  C30B25/02 ,  C30B29/20 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31691

Abstract: 一种利用原子层沉积(ALD)方法形成薄膜的方法，在这种方法中，在一周期内在基底上形成薄膜，这个周期包括：向装有基底的反应室注入第一反应物，该第一反应物包括形成薄膜的原子和配体；清除第一反应物，向反应室注入第二反应物；清除第二反应物。通过形成薄膜的原子与第二反应物之间的化学反应形成薄膜，并防止产生副产品，其中第二反应物与形成薄膜的原子的结合能大于配体与形成薄膜的原子的结合能。通过利用不含氢氧化物的一种物质作为第二反应物，清除第二反应物，使第二反应物与含氢氧化物的第三反应物反应，来抑制薄膜中氢氧化物副产品的产生。在清除第二反应物之后，注入第三反应物并被清除，该第三反应物是用于除去杂质，并改善薄膜的化学配比。通过这样做，就能获得化学配比良好且不含杂质的薄膜。

公开(公告)号：CN1200135C

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN98122757.0

申请日：1998-12-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣宽 ,  李相忍 ,  朴昌洙 ,  李相旼

IPC: C23C16/44 ,  C30B25/02 ,  C30B25/14

CPC classification number: H05B33/04 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45561 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31691

Abstract: 本发明提供了一种薄膜制备方法。该方法通过在基片上致密化学吸附第一种反应剂和第二种反应剂，从而利用化学交换形成固态薄膜。根据本发明，由于该第一种反应剂和该第二种反应剂是致密化学吸附的并且通过清洗或抽气完全去除了杂质，故有可能制备膜密度高的精确化学计量薄膜。

公开(公告)号：CN1170317C

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN98115946.X

申请日：1998-07-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣宽 ,  朴仁善 ,  李相旼 ,  朴昌洙

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82 ,  H01G4/12

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3162

Abstract: 本发明提供一种使用含硅导电层作为存储节点的高电容的电容器及其形成方法。电容器包括存储节点、非晶Al2O3介质层和平板节点。此时，通过将反应汽相材料提供到存储节点上的方法，例如原子层淀积法形成非晶Al2O3层。此外，在形成非晶Al2O3层之前，对存储节点进行快速热氮化处理。形成平板节点后在约850℃下通过退火致密非晶Al2O3层，由此实现接近理论值30埃的氧化层的等效厚度。

公开(公告)号：CN1292571A

公开(公告)日：2001-04-25

申请号：CN00131892.6

申请日：2000-09-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李容卓 ,  赵学柱 ,  金荣宽

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 具有电容器保护层的半导体存储器件以及制备半导体存储器件的方法。半导体存储器件的电容器被具有多层结构的密封层覆盖。密封层包括由不同材料组成的阻隔层和电容器保护层。阻隔层由能防止电容器介质层挥发和/或能防止位于阻隔层之下的材料层与电容器保护层之间反应的材料组成。电容器保护层由能防止氢扩散到电容器介质层中的材料层组成。此外,半导体存储器件可具有在电容器与钝化层之间的作为另一电容器保护层的氢阻挡层。

公开(公告)号：CN1284747A

公开(公告)日：2001-02-21

申请号：CN00108946.3

申请日：2000-05-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣宽 ,  朴兴秀 ,  朴泳旭 ,  李相忍 ,  张允僖 ,  李钟镐 ,  崔城济 ,  李承桓 ,  林载顺 ,  李周远

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/283 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 一种半导体器件,包括:由硅族材料构成的第一电极、依次将反应物加到第一电极上形成的绝缘层、和其逸出功大于第一电极的逸出功的第二电极,此第二电极是在绝缘层上形成的。在电容器结构中,第一电极和第二电极可以分别是下层电极和上层电极。在晶体管结构中,第一电极和第二电极可以分别是硅衬底和栅极。绝缘层可以通过原子层析出法来形成。因此,在这种半导体器件中,有可能提高绝缘层的绝缘性能和增大电容器结构中的电容量。

公开(公告)号：CN1244598A

公开(公告)日：2000-02-16

申请号：CN98122757.0

申请日：1998-12-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣宽 ,  李相忍 ,  朴昌洙 ,  李相旼

IPC: C23C26/00

CPC classification number: H05B33/04 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45561 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31691

Abstract: 本发明提供了一种薄膜制备方法。该方法通过在基片上致密化学吸附第一种反应剂和第二种反应剂,从而利用化学交换形成固态薄膜。根据本发明,由于该第一种反应剂和该第二种反应剂是致密化学吸附的并且通过清洗或抽气完全去除了杂质,故有可能制备膜密度高的精确化学计量薄膜。

公开(公告)号：CN1222765A

公开(公告)日：1999-07-14

申请号：CN98115946.X

申请日：1998-07-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣宽 ,  朴仁善 ,  李相旼 ,  朴昌洙

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82 ,  H01G4/12

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3162

Abstract: 本发明提供一种使用含硅导电层作为存储节点的高电容的电容器及其形成方法。电容器包括存储节点、非晶Al2O3介质层和平板节点。此时,通过将反应汽相材料提供到存储节点上的方法,例如原子层淀积法形成非晶Al2O3层。此外,在形成非晶Al2O3层之前,对存储节点进行快速热氮化处理。形成平板节点后在约850℃下通过退火致密非晶Al2O3层,由此实现接近理论值30埃的氧化层的等效厚度。

公开(公告)号：CN116261859A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202180062600.9

申请日：2021-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高承焕 ,  郑圣勋 ,  金麒渊 ,  金东珍 ,  金荣宽 ,  金俊镐 ,  金泰宣 ,  金贤香 ,  朴正槿

IPC: H04R1/10

Abstract: 根据实施例，一种电子装置包括：存储器；通信模块，包括通信电路；第一扬声器，包括包含电路的至少一个振动部件；至少一个第一麦克风；以及处理器，配置为：基于在电子装置安装于托架上的情况下形成封闭空间，控制电子装置经由第一扬声器输出具有预定频率的第一声音；经由所述至少一个第一麦克风获得第三声音，第三声音是第一声音在封闭空间中的反射；经由所述至少一个第一麦克风获得第四声音，第四声音是第二声音在封闭空间中的反射，第二声音从位于封闭空间中的外部电子装置中包括的第二扬声器输出；以及基于第三声音和第四声音，识别第一扬声器、所述至少一个第一麦克风和第二扬声器的性能是否正常。

公开(公告)号：CN1173406C

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN00131892.6

申请日：2000-09-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李容卓 ,  赵学柱 ,  金荣宽

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 具有电容器保护层的半导体存储器件以及制备半导体存储器件的方法。半导体存储器件的电容器被具有多层结构的密封层覆盖。密封层包括由不同材料组成的阻隔层和电容器保护层。阻隔层由能防止电容器介质层挥发和/或能防止位于阻隔层之下的材料层与电容器保护层之间反应的材料组成。电容器保护层由能防止氢扩散到电容器介质层中的材料层组成。此外，半导体存储器件可具有在电容器与钝化层之间的作为另一电容器保护层的氢阻挡层。

公开(公告)号：CN1292431A

公开(公告)日：2001-04-25

申请号：CN00131893.4

申请日：2000-10-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣宽 ,  朴泳旭 ,  林载顺 ,  崔城济 ,  李相忍

IPC: C23C26/00

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/403 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45525 ,  C30B25/02 ,  C30B29/20 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31691

Abstract: 一种利用原子层沉积(ALD)方法形成薄膜的方法,在这种方法中,在一周期内在基底上形成薄膜,这个周期包括:向装有基底的反应室注入第一反应物,该第一反应物包括形成薄膜的原子和配体;清除第一反应物,向反应室注入第二反应物;清除第二反应物。通过形成薄膜的原子与第二反应物之间的化学反应形成薄膜,并防止产生副产品,其中第二反应物与形成薄膜的原子的结合能大于配体与形成薄膜的原子的结合能。通过利用不含氢氧化物的一种物质作为第二反应物,清除第二反应物,使第二反应物与含氢氧化物的第三反应物反应,来抑制薄膜中氢氧化物副产品的产生。在清除第二反应物之后,注入第三反应物并被清除,该第三反应物是用于除去杂质,并改善薄膜的化学配比。通过这样做,就能获得化学配比良好且不含杂质的薄膜。