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公开(公告)号：CN110634881B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN201910278428.5
申请日：2019-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种垂直半导体装置，所述垂直半导体装置包括导电图案结构、存储器层、柱结构以及第二绝缘图案和第三绝缘图案。导电图案结构包括导电图案和绝缘层，并且可包括在第一方向上延伸的第一部分和从第一部分的侧壁突出的第二部分。导电图案结构布置在与第一方向垂直的第二方向上以在其间形成沟槽。存储器层形成在导电图案结构的侧壁上。沟槽中的均包括形成在存储器层上的沟道图案和第一绝缘图案的柱结构在第一方向上彼此分隔开。第二绝缘图案形成在柱结构之间。第三绝缘图案形成在一些柱结构之间并且具有与第二绝缘图案的形状不同的形状。
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公开(公告)号：CN118215286A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202311708390.3
申请日：2023-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00 , H01L29/792
Abstract: 一种半导体器件，包括：源极线，在衬底上沿第一水平方向延伸；沟道层，在垂直于衬底的上表面的竖直方向上延伸，并且包括第一端、与第一端相对的第二端以及将第一端与第二端连接的沟道层侧壁，第一端设置在源极线上；俘获层，设置在沟道层侧壁上；栅绝缘层，设置在俘获层的外表面上；字线，设置在栅绝缘层的至少一个侧壁上，并且在与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸；漏极区，设置在沟道层的第二端上，并且包括金属或金属氮化物；以及位线，设置在漏极区上，并且在第一水平方向上延伸。
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公开(公告)号：CN118057537A
公开(公告)日：2024-05-21
申请号：CN202311192837.6
申请日：2023-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 能够以小于块的单位执行擦除操作的存储设备可以包括非易失性存储器和处理电路，处理电路配置为：将擦除电压施加到多个存储器块中的至少一个存储器块的多条位线中的第一位线；将擦除禁止电压施加到多条位线中的第二位线，擦除禁止电压具有比擦除电压的电压电平低的电压电平；以及使公共源极线浮置，以通过使公共源极线浮置导致存储在连接到第一位线的至少一个第一单元串中包括的至少一个第一存储器单元中的数据的擦除，并保留存储在连接到第二位线的至少一个第二单元串中包括的至少一个第二存储器单元中的数据。
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公开(公告)号：CN117460258A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202310812226.0
申请日：2023-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：衬底，该衬底在第一方向和第二方向上延伸，并且包括单元区域以及在第一方向上从单元区域延伸的延伸区域；第一绝缘层和第二绝缘层，该第一绝缘层和第二绝缘层在第三方向上交替地堆叠在衬底上；导线，该导线设置在第二绝缘层的在第二方向上的一个侧壁上；导电柱，该导电柱在第三方向上延伸并且贯穿第一绝缘层；半导体层，该半导体层设置在导电柱的一个侧壁上并且在第三方向上延伸；以及铁电层，该铁电层设置在导线与半导体层之间并且在第三方向上延伸。导线包括在第二方向上彼此间隔开的第一导电图案和第二导电图案，并且第二绝缘层设置在第一导电图案与第二导电图案之间。
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公开(公告)号：CN109103198B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201810585838.X
申请日：2018-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：在基板上的多个沟道结构，每个沟道结构在垂直于基板的第一方向上延伸并具有栅极绝缘层和沟道层；公共源极延伸区，包括具有n型导电性的第一半导体层，在基板和沟道结构之间；多个栅电极，在公共源极延伸区上并在每个沟道结构的侧壁上在第一方向上彼此间隔开；以及在基板上的公共源极区，与公共源极延伸区接触并包括具有n型导电性的第二半导体层，其中每个沟道结构的栅极绝缘层延伸以覆盖公共源极延伸区的上表面以及底表面的至少一部分。
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公开(公告)号：CN116806091A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310282088.X
申请日：2023-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体存储器件。该半导体存储器件可以包括：半导体基板；包括电容器的数据存储层，设置在半导体基板上；开关元件层，在数据存储层上并包括电连接到相应电容器的晶体管；以及布线层，在开关元件层上并包括电连接到相应晶体管的位线。相应晶体管包括有源图案、字线以及在字线和有源图案之间的铁电层，该字线与有源图案交叉使得字线围绕有源图案的第一侧壁、第二侧壁和顶表面。
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公开(公告)号：CN116261326A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211407941.8
申请日：2022-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/41 , H01L29/423
Abstract: 提供了一种存储器装置。所述存储器装置包括：基底；鳍结构，位于基底上；栅极结构，位于鳍结构上；第一源极/漏极，位于鳍结构的一端处；以及第二源极/漏极，位于鳍结构的另一端处，其中，栅极结构包括顺序地堆叠在鳍结构上的捕获层、阻挡层和栅电极层，第一源极/漏极掺杂有第一导电类型的掺杂剂或者在其中包含有第一导电类型的掺杂剂，并且第二源极/漏极掺杂有第二导电类型的掺杂剂或者在其中包含有第二导电类型的掺杂剂，第二导电类型的掺杂剂不同于第一导电类型的掺杂剂。
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公开(公告)号：CN115968194A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211006321.3
申请日：2022-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括基底、在基底上在第一方向上延伸的多条源极线、与源极线交叉并且在不同于第一方向的第二方向上延伸的多条字线、与源极线和字线交叉并且在不同于第一方向和第二方向的第三方向上延伸的多条位线以及设置在源极线、字线和位线之间的交点处的多个存储器单元。第一方向、第二方向和第三方向平行于基底的顶表面。
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