公开(公告)号：CN108091653B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN201711171980.1

申请日：2017-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪承秀 ,  李正允 ,  成金重 ,  郑铉澔 ,  郭玟灿 ,  闵庚石 ,  吴怜默 ,  禹宰勋 ,  林青美

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：在基板上的第一有源图案和第二有源图案；第一栅电极和第二栅电极，分别跨过第一有源图案和第二有源图案；第一绝缘图案，在第一栅电极和第二栅电极之间并使第一栅电极和第二栅电极分隔开；栅间隔物，在第一栅电极的侧壁上、在第二栅电极的侧壁上以及在第一绝缘图案的侧壁上；以及第二绝缘图案，在栅间隔物与第一绝缘图案的侧壁之间，其中第一栅电极、第一绝缘图案和第二栅电极沿第一方向布置，并且其中栅间隔物在第一方向上延伸。

公开(公告)号：CN112018169A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010111620.8

申请日：2020-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载晛 ,  李钟汉 ,  朴成华 ,  朴钟河 ,  禹宰勋 ,  郑多福

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种集成电路半导体装置，包括：第一区域，其包括第一晶体管；以及第二区域，其在第二方向上与第一区域接触。第一晶体管包括在第一方向上延伸的第一有源鳍、在第二方向上从第一有源鳍延伸到第一隔离层上的第一栅极电介质层、以及在第一栅极电介质层上的第一栅电极。第二区域包括第二晶体管，第二晶体管包括在第一方向上延伸的第二有源鳍、在第二方向上从第二有源鳍延伸到第二隔离层上的第二栅极电介质层、以及在第二栅极电介质层上的第二栅电极。该集成电路半导体装置包括栅极电介质层去除区域，该栅极电介质层去除区域临近第一区域和第二区域之间的边界。

公开(公告)号：CN108091653A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201711171980.1

申请日：2017-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪承秀 ,  李正允 ,  成金重 ,  郑铉澔 ,  郭玟灿 ,  闵庚石 ,  吴怜默 ,  禹宰勋 ,  林青美

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L27/1108 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1116 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/785 ,  H01L27/092 ,  H01L21/823878

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：在基板上的第一有源图案和第二有源图案；第一栅电极和第二栅电极，分别跨过第一有源图案和第二有源图案；第一绝缘图案，在第一栅电极和第二栅电极之间并使第一栅电极和第二栅电极分隔开；栅间隔物，在第一栅电极的侧壁上、在第二栅电极的侧壁上以及在第一绝缘图案的侧壁上；以及第二绝缘图案，在栅间隔物与第一绝缘图案的侧壁之间，其中第一栅电极、第一绝缘图案和第二栅电极沿第一方向布置，并且其中栅间隔物在第一方向上延伸。