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公开(公告)号：CN103165473B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201210536283.2
申请日：2012-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/48
CPC classification number: H01L21/76892 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/05023 , H01L2224/05171 , H01L2224/05568 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/1132 , H01L2224/11849 , H01L2224/13006 , H01L2224/13007 , H01L2224/13012 , H01L2224/13016 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552
Abstract: 可以提供一种凸起制造方法。所述凸起制造方法可以包括：在包括在半导体器件中的电极焊盘上形成凸起；以及通过在氧气氛下对形成在半导体器件上的凸起进行回流来控制凸起的形状。
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公开(公告)号：CN102738342B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201210086655.6
申请日：2012-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L33/505 , H01L33/62 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供了一种发光器件及其制造方法。该发光器件包括：具有第一N型化合物半导体层、有源层和P型化合物半导体层的化合物半导体结构；位于所述P型化合物半导体层上并与所述P型化合物半导体层电连接的P型电极层；位于所述化合物半导体结构和所述P型电极层的两侧的多个绝缘壁；穿透所述多个绝缘壁的多个N型电极层；以及导电衬底，在所述导电衬底中分别对应于所述多个N型电极层的多个N型电极连接层与对应于所述P型电极层的P型电极连接层分开。
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公开(公告)号：CN103066180A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210397260.8
申请日：2012-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/44 , H01L2224/16225
Abstract: 本发明涉及一种发光器件及其制造方法，和使用该发光器件的发光器件模块。该发光器件包括：顺序形成在发光衬底上的第一半导体层、有源层、和第二半导体层；形成在通过去除第一半导体层的一部分而被暴露出来的区域中的第一电极；形成在第二半导体层上的第二电极；形成在第一电极和第二电极上以暴露第一电极的一个区域和第二电极的一个区域的钝化层；形成在第一区域中的第一突块，该第一区域包括经钝化层暴露出来的第一电极并且该第一区域延伸到第二电极的在其上形成有钝化层的另外区域；以及形成在第二区域中的第二突块，该第二区域包括经钝化层暴露出来的第二电极。
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公开(公告)号：CN1617364A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410088165.5
申请日：2004-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/02 , H01S5/2009 , H01S5/3072 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2301/176 , H01S2304/00
Abstract: 提供了一种III－V族GaN基化合物半导体器件及其制造方法。该器件包括在具有多量子阱的有源层和p型GaN基化合物半导体层之间插入的AlGaN扩散阻挡层和InGaN牺牲层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110400865A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910333451.X
申请日：2019-04-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/60 , H01L33/44 , H01L25/075 , F21K9/238 , F21K9/64 , F21K9/68 , F21Y115/10
Abstract: 本公开提供一种LED模块和一种LED装置。所述LED模块包括：柔性衬底，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，在所述第一表面上布置有电路图案；多个LED芯片，其安装在柔性衬底的第一表面上，并且电连接至电路图案；绝缘反射层，其布置在柔性衬底的第一表面上，并且覆盖电路图案的一部分；第一连接端子和第二连接端子，其布置在柔性衬底的两端，并且连接至电路图案；以及波长转换层，其在剖视图中覆盖所述多个LED芯片并且环绕柔性衬底。
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公开(公告)号：CN101018345A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610159337.2
申请日：2006-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N9/31
CPC classification number: H04N9/3129
Abstract: 本发明提供一种激光显示装置，包括：光源，发射至少一束激光束；光调制单元，根据图像信号调制从光源发射的激光束；扫描单元，沿主扫描方向和子扫描方向扫描在光调制单元中调制的激光束；以及成像单元，图像在其中被形成，且其具有磷光层，通过扫描单元扫描的激光束在该磷光层中产生激发光。
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公开(公告)号：CN1972044A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610149412.7
申请日：2006-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种具有改善的表面形貌特性的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：r面蓝宝石衬底；AlxGa(1－x)N(0≤x＜1＝缓冲层，在900－1100℃的温度下在包含氮气(N2)的气体环境下，在r面蓝宝石衬底上外延生长至100－20000的范围的厚度；以及第一a面GaN层，形成于缓冲层上。
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公开(公告)号：CN100539212C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200510124621.1
申请日：2005-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/2003 , B82Y20/00 , H01L29/045 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/0211 , H01S5/2231 , H01S5/34333
Abstract: 提供了一种氮化镓(GaN)基化合物半导体器件，该器件具有改进在衬底上生长的薄膜的表面特性的结构。该GaN基化合物半导体器件包括：AlxInyGa1-x-yN衬底(0≤x≤1，0≤y≤1，且0≤x+y≤1)，衬底表面相对于(0001)平面朝预定方向倾斜大于0°且小于1°的偏角；以及生长在该衬底上的GaN基化合物半导体层。
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公开(公告)号：CN100483753C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200410088165.5
申请日：2004-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/02 , H01S5/2009 , H01S5/3072 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2301/176 , H01S2304/00
Abstract: 提供了一种III-V族GaN基化合物半导体器件及其制造方法。该器件包括在具有多量子阱的有源层和p型GaN基化合物半导体层之间插入的AlGaN扩散阻挡层和InGaN牺牲层。
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