半导体发光器件封装件
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106711308B

    公开(公告)日:2020-08-25

    申请号:CN201610895765.5

    申请日:2016-10-14

    Inventor: 金学焕 玉政泰

    Abstract: 提供了半导体发光器件封装件,所述半导体发光器件封装件包括:发光二极管(LED)芯片,包括第一电极和第二电极,LED芯片具有设置有第一电极和第二电极的第一表面以及与第一表面相对的第二表面;坝结构,设置在所述第一表面上,坝结构的外部边缘与LED芯片的外部边缘共面;波长转换层,设置在LED芯片的侧表面上、LED芯片的第二表面上以及坝结构的侧表面上,波长转换层包括波长转换材料。

    发光器件及其制造方法
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104733597B

    公开(公告)日:2019-01-22

    申请号:CN201410798600.7

    申请日:2014-12-19

    Abstract: 本发明提供了一种发光器件及其制造方法。所述器件包括LED芯片,其具有第一主表面、与第一主表面相对的第二主表面以及在第一主表面与第二主表面之间延伸的一个或多个侧表面。反射侧层包围LED芯片的一个或多个侧表面。反射侧层具有沿着第一方向延伸的第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面以及沿着基本垂直于所述第一方向的第二方向在第一主表面与第二主表面之间延伸的开口。所述开口包围所述芯片。磷光体膜覆盖在芯片的第一主表面和反射侧层的第一主表面上。至少一个电极设置在芯片的第二主表面上。

    半导体发光器件封装件
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106711308A

    公开(公告)日:2017-05-24

    申请号:CN201610895765.5

    申请日:2016-10-14

    Inventor: 金学焕 玉政泰

    Abstract: 提供了半导体发光器件封装件,所述半导体发光器件封装件包括:发光二极管(LED)芯片,包括第一电极和第二电极,LED芯片具有设置有第一电极和第二电极的第一表面以及与第一表面相对的第二表面;坝结构,设置在所述第一表面上,坝结构的外部边缘与LED芯片的外部边缘共面;波长转换层,设置在LED芯片的侧表面上、LED芯片的第二表面上以及坝结构的侧表面上,波长转换层包括波长转换材料。

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