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公开(公告)号：CN108428734A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810224652.1
申请日：2013-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/775 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L29/0692 , B82Y10/00 , H01L21/823431 , H01L21/845 , H01L27/0886 , H01L27/1211 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/1037 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/41791 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66795 , H01L29/775 , H01L29/7848 , H01L29/785
Abstract: 一种半导体器件可以包括：场绝缘层，其包括具有在第一和第二正交方向上延伸的平面主表面的第一区域以及垂直地设置在主表面上的第二区域，第二区域的顶表面离主表面具有特定距离；第一多沟道有源鳍和第二多沟道有源鳍，其在场绝缘层上延伸，第一多沟道有源鳍和第二多沟道有源鳍由场绝缘层的相对于第一多沟道有源鳍和第二多沟道有源鳍正交地延伸的第二区域分离；设置在第一多沟道有源鳍上的第一栅极以及设置在第二多沟道有源鳍上的第二栅极；以及设置在场绝缘层的第二区域与第一栅极之间的第一外延源/漏区以及设置在场绝缘层的第二区域与第二栅极之间的第二外延源/漏区。
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公开(公告)号：CN1050448C
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：CN94114827.0
申请日：1994-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 沈相必
IPC: H01L23/52 , H01L21/768 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L21/768 , H01L23/528 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在具有许多布线层和形成在其间的自对准接触孔的高集成度半导体布线结构中，这样形成布线层，使得要形成接触孔的部分形成为第1布线宽度，而其余部分形成为比第1布线宽度宽的第2布线宽度。在制造此结构的方法中，使接触孔以自对准的方式形成，因而，就能防止由于对不准可能产生的短路。
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公开(公告)号：CN103872014A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310653224.8
申请日：2013-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/76895 , H01L21/823475 , H01L23/485 , H01L27/0207 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：晶体管，设置在基底上并且包括第一掺杂区域；第一接触部，沿着第一方向从第一掺杂区域延伸；长通孔，设置在第一接触部上并且共同连接到彼此相邻的第一接触部；以及共导线，设置在长通孔上并且沿着与第一方向交叉的第二方向延伸。共导线使第一掺杂区域彼此电连接。
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公开(公告)号：CN103855219A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310628274.0
申请日：2013-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/0692 , B82Y10/00 , H01L21/823431 , H01L21/845 , H01L27/0886 , H01L27/1211 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/1037 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/41791 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66795 , H01L29/775 , H01L29/7848 , H01L29/785
Abstract: 一种半导体器件可以包括场绝缘层，该场绝缘层包括在第一和第二正交方向延伸的平面主表面和相对于第一和第二正交方向从主表面突出特定距离的突出部分；第一和第二多沟道有源鳍可以在场绝缘层上延伸并可以通过突出部分彼此分离。导电层可以从突出部分的最上表面延伸以横跨位于第一和第二多沟道有源鳍之间的突出部分。
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公开(公告)号：CN1959960A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610143280.7
申请日：2006-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8247 , H01L21/762 , H01L21/336 , H01L27/115 , H01L29/788
Abstract: 一种非易失性存储器件的制造方法，包括制备包括单元阵列区的半导体衬底。该方法还包括通过刻蚀该半导体衬底，在单元阵列中形成凹陷区。该方法包括，至少刻蚀部分该半导体衬底和形成不同深度的第一和第二沟槽，该半导体衬底部分地包括凹陷区，该第一和第二沟槽交叉该凹陷区以及互相连接。该方法包括，通过在第一和第二沟槽中填充绝缘材料，形成具有粗糙底部并限定有源区的器件隔离层。该方法包括，在包括凹陷区的有源区的半导体衬底上形成栅绝缘层，以及在该栅绝缘层上形成栅极结构，以填充该凹陷区，该栅极结构包括浮栅、栅间绝缘图形以及控制栅。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108428734B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN201810224652.1
申请日：2013-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/775 , B82Y10/00
Abstract: 一种半导体器件可以包括：场绝缘层，其包括具有在第一和第二正交方向上延伸的平面主表面的第一区域以及垂直地设置在主表面上的第二区域，第二区域的顶表面离主表面具有特定距离；第一多沟道有源鳍和第二多沟道有源鳍，其在场绝缘层上延伸，第一多沟道有源鳍和第二多沟道有源鳍由场绝缘层的相对于第一多沟道有源鳍和第二多沟道有源鳍正交地延伸的第二区域分离；设置在第一多沟道有源鳍上的第一栅极以及设置在第二多沟道有源鳍上的第二栅极；以及设置在场绝缘层的第二区域与第一栅极之间的第一外延源/漏区以及设置在场绝缘层的第二区域与第二栅极之间的第二外延源/漏区。
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公开(公告)号：CN104425493A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410058492.X
申请日：2014-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/10 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823412 , H01L21/823425 , H01L21/823431 , H01L21/823481
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其包括具有在第一方向上纵向对准的第一鳍、第二鳍和第三鳍的基板。第一沟槽在第一鳍和第二鳍之间延伸，第二沟槽在第二鳍和第三鳍之间延伸。场绝缘材料的第一部分设置在第一沟槽中，场绝缘材料的第二部分设置在第二沟槽中。场绝缘材料的第二部分的上表面在第二沟槽中在第二鳍和第三鳍的最上表面下面的水平处凹进。第一虚设栅极设置在场绝缘材料的第一部分的上表面上，第二虚设栅极至少部分地延伸到第二沟槽中至场绝缘材料的第二部分的上表面。
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公开(公告)号：CN1102506A
公开(公告)日：1995-05-10
申请号：CN94114827.0
申请日：1994-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 沈相必
CPC classification number: H01L21/768 , H01L23/528 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在具有许多布线层和形成在其间的自对准接触孔的高集成度半导体布线结构中，这样形成布线层，使得要形成接触孔的部分形成为第1布线宽度，而其余部分形成为比第1布线宽度宽的第2布线宽度。在制造此结构的方法中，使接触孔以自对准的方式形成，因而，就能防止由于对不准可能发生的短路。
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公开(公告)号：CN107248503B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201710212763.6
申请日：2014-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其包括具有在第一方向上纵向对准的第一鳍、第二鳍和第三鳍的基板。第一沟槽在第一鳍和第二鳍之间延伸，第二沟槽在第二鳍和第三鳍之间延伸。场绝缘材料的第一部分设置在第一沟槽中，场绝缘材料的第二部分设置在第二沟槽中。场绝缘材料的第二部分的上表面在第二沟槽中在第二鳍和第三鳍的最上表面下面的水平处凹进。第一虚设栅极设置在场绝缘材料的第一部分的上表面上，第二虚设栅极至少部分地延伸到第二沟槽中至场绝缘材料的第二部分的上表面。
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公开(公告)号：CN104425493B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201410058492.X
申请日：2014-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/10 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其包括具有在第一方向上纵向对准的第一鳍、第二鳍和第三鳍的基板。第一沟槽在第一鳍和第二鳍之间延伸，第二沟槽在第二鳍和第三鳍之间延伸。场绝缘材料的第一部分设置在第一沟槽中，场绝缘材料的第二部分设置在第二沟槽中。场绝缘材料的第二部分的上表面在第二沟槽中在第二鳍和第三鳍的最上表面下面的水平处凹进。第一虚设栅极设置在场绝缘材料的第一部分的上表面上，第二虚设栅极至少部分地延伸到第二沟槽中至场绝缘材料的第二部分的上表面。
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