公开(公告)号：CN114429965A

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN202111273878.9

申请日：2021-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 延智慧 ,  姜三默 ,  成汉珪 ,  梁钟邻 ,  H·柳 ,  尹知勋

IPC: H01L27/15 ,  G09F9/33

Abstract: 一种显示设备，包括：电路板，包括驱动电路；像素阵列，包括位于电路板上的多个像素以及光阻挡分隔件，每个像素包括多个子像素且光阻挡分隔件位于多个子像素之间。多个子像素中的每一个包括配置为产生第一波长的光的下发光二极管(LED)单元。第一子像素包括位于第一下LED单元上的透明树脂结构，第二子像素包括位于第二下LED单元上的单元间绝缘层和具有位于单元间绝缘层上并配置为产生第二波长的光的第二半导体堆叠件的上LED单元，且第三子像素包括位于第三下LED单元上并配置为将第一波长的光转换为第三波长的光的波长转换结构。

公开(公告)号：CN101728251B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN200910137472.0

申请日：2009-04-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁钟邻 ,  李相范 ,  宋尚烨 ,  李时赫 ,  金泰亨

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/16

Abstract: 本发明提供了一种III族氮化物半导体、表面处理方法、制备方法及结构。III族氮化物半导体的表面处理方法包括以下步骤：提供包括具有III族极性的第一表面和与第一表面相对且具有氮极性的第二表面的III族氮化物半导体；将激光束照射到第二表面上，以使第二表面的氮极性改变为III族极性。

公开(公告)号：CN116525637A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310042909.2

申请日：2023-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑朱娟 ,  梁钟邻 ,  李振燮 ,  赵秀玄

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/50 ,  H01L33/46 ,  H01L33/44

Abstract: 一种显示设备包括：电路板，其具有驱动电路；以及像素阵列，其位于电路板上，并且包括包含多个子像素的像素单元。像素阵列还包括：半导体堆叠件，半导体堆叠件包括位于电路板上并被划分为多个LED单元的第一半导体区、以及位于第一半导体区上并具有限定多个子像素空间的分隔结构的第二半导体区；分别设置在多个子像素空间中的多个波长转换器；具有位于分隔结构的上表面上的第一部分和位于分隔结构的侧壁上的第二部分的分隔反射层，第一部分的厚度大于第二部分的厚度；以及将多个LED单元中的每一个电连接到驱动电路的第一电极和第二电极。

公开(公告)号：CN103594584B

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201310354117.5

申请日：2013-08-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁钟邻 ,  金容一 ,  宋光珉 ,  林完泰 ,  韩世俊 ,  洪玄权

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L27/156 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/382 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件和发光设备以及半导体发光器件的制造方法。该半导体发光器件包括第一导电半导体层、有源层、第二导电半导体层、第一内部电极、第二内部电极、绝缘部件以及第一焊盘电极和第二焊盘电极。有源层布置在第一导电半导体层的第一部分上，并且有源层上面布置有第二导电层。第一内部电极布置在第一导电半导体层的与第一部分分开的第二部分上。第二内部电极布置在第二导电半导体层上。绝缘部件分别布置在第二部分的一部分、第一内部电极以及第二内部电极上，而第一焊盘电极和第二焊盘电极布置在绝缘部件上并且分别与第一内部电极和第二内部电极中的相应一个电极连接。

公开(公告)号：CN103594584A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201310354117.5

申请日：2013-08-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁钟邻 ,  金容一 ,  宋光珉 ,  林完泰 ,  韩世俊 ,  洪玄权

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L27/156 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/382 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件和发光设备以及半导体发光器件的制造方法。该半导体发光器件包括第一导电半导体层、有源层、第二导电半导体层、第一内部电极、第二内部电极、绝缘部件以及第一焊盘电极和第二焊盘电极。有源层布置在第一导电半导体层的第一部分上，并且有源层上面布置有第二导电层。第一内部电极布置在第一导电半导体层的与第一部分分开的第二部分上。第二内部电极布置在第二导电半导体层上。绝缘部件分别布置在第二部分的一部分、第一内部电极以及第二内部电极上，而第一焊盘电极和第二焊盘电极布置在绝缘部件上并且分别与第一内部电极和第二内部电极中的相应一个电极连接。