公开(公告)号：CN110890263A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201910515871.X

申请日：2019-06-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 辛承敃 ,  金石训 ,  金伶厚 ,  金仁基 ,  金兑洪 ,  朴晟见 ,  李轸雨 ,  车知勋 ,  崔溶俊

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 一种干法清洗设备包括：腔室；基板支撑件，支撑腔室内的基板；喷头，布置在腔室的上部，以朝向基板供应干法清洗气体，喷头包括朝向基板支撑件的方向透射激光的光学窗口；等离子体发生器，被配置为从干法清洗气体产生等离子体；以及激光照射器，穿过光学窗口和等离子体在基板上照射激光，从而加热基板。

公开(公告)号：CN110875225A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910831544.5

申请日：2019-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李轸雨 ,  崔溶俊 ,  金石训 ,  辛承敃 ,  车知勋

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种湿法蚀刻设备包括工艺槽，其具有被配置为接纳蚀刻剂的内部空间并具有支撑单元，晶圆被设置在该支撑单元上以与蚀刻剂接触。激光单元被设置在工艺槽上方并被配置为将激光束指向晶圆并由此对晶圆进行加热。蚀刻剂供应单元被配置为将蚀刻剂供应到工艺槽的内部空间。

公开(公告)号：CN110875225B

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN201910831544.5

申请日：2019-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李轸雨 ,  崔溶俊 ,  金石训 ,  辛承敃 ,  车知勋

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种湿法蚀刻设备包括工艺槽，其具有被配置为接纳蚀刻剂的内部空间并具有支撑单元，晶圆被设置在该支撑单元上以与蚀刻剂接触。激光单元被设置在工艺槽上方并被配置为将激光束指向晶圆并由此对晶圆进行加热。蚀刻剂供应单元被配置为将蚀刻剂供应到工艺槽的内部空间。

公开(公告)号：CN111834249A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010169351.0

申请日：2020-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张宪宰 ,  辛承敃 ,  金石训 ,  金仁基 ,  金兑洪 ,  李根泽 ,  李轸雨 ,  车知勋 ,  崔溶俊

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种晶片清洗设备包括：外壳，所述外壳将被定位成与晶片相邻；中空区域，所述中空区域在所述外壳中；激光模块，所述激光模块输出激光束，所述激光束的分布包括具有第一强度的第一区域和具有大于所述第一强度的第二强度的第二区域，所述激光束被输出到所述中空区域中；以及透明窗，所述透明窗覆盖所述中空区域的上部，并且透射所述激光束以使所述激光束入射在所述晶片的整个下表面上。

公开(公告)号：CN117448824A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311566341.0

申请日：2019-09-18

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式会社

Inventor： 金贞儿 ,  朴美贤 ,  李轸雨 ,  金建伶 ,  李晓山 ,  韩勋 ,  李珍旭 ,  林廷训

IPC: C23F1/26 ,  H01L21/306 ,  C23F1/02 ,  C23F1/20 ,  C23F1/18 ,  C23F1/28 ,  C09K13/06

Abstract: 公开了蚀刻金属阻挡层和金属层的方法以及制造半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成金属阻挡层和金属层；以及使用蚀刻组合物蚀刻金属阻挡层和金属层。蚀刻组合物可以包括：氧化剂，选自于硝酸、溴酸、碘酸、高氯酸、过溴酸、高碘酸、硫酸、甲磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸或它们的组合；金属蚀刻抑制剂，包括由如在说明书中所示的化学式1表示的化合物；以及金属氧化物增溶剂，选自于磷酸、磷酸盐、具有3个至20个碳原子的羧酸或它们的组合。

公开(公告)号：CN110911278A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201910879827.7

申请日：2019-09-18

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式会社

Inventor： 金贞儿 ,  朴美贤 ,  李轸雨 ,  金建伶 ,  李晓山 ,  韩勋 ,  李珍旭 ,  林廷训

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/20 ,  C23F1/28

Abstract: 公开了蚀刻金属阻挡层和金属层的方法以及制造半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成金属阻挡层和金属层；以及使用蚀刻组合物蚀刻金属阻挡层和金属层。蚀刻组合物可以包括：氧化剂，选自于硝酸、溴酸、碘酸、高氯酸、过溴酸、高碘酸、硫酸、甲磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸或它们的组合；金属蚀刻抑制剂，包括由如在说明书中所示的化学式1表示的化合物；以及金属氧化物增溶剂，选自于磷酸、磷酸盐、具有3个至20个碳原子的羧酸或它们的组合。

公开(公告)号：CN111834249B

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202010169351.0

申请日：2020-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张宪宰 ,  辛承敃 ,  金石训 ,  金仁基 ,  金兑洪 ,  李根泽 ,  李轸雨 ,  车知勋 ,  崔溶俊

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种晶片清洗设备包括：外壳，所述外壳将被定位成与晶片相邻；中空区域，所述中空区域在所述外壳中；激光模块，所述激光模块输出激光束，所述激光束的分布包括具有第一强度的第一区域和具有大于所述第一强度的第二强度的第二区域，所述激光束被输出到所述中空区域中；以及透明窗，所述透明窗覆盖所述中空区域的上部，并且透射所述激光束以使所述激光束入射在所述晶片的整个下表面上。

公开(公告)号：CN110911278B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN201910879827.7

申请日：2019-09-18

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式会社

Inventor： 金贞儿 ,  朴美贤 ,  李轸雨 ,  金建伶 ,  李晓山 ,  韩勋 ,  李珍旭 ,  林廷训

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/20 ,  C23F1/28

Abstract: 公开了蚀刻金属阻挡层和金属层的方法以及制造半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成金属阻挡层和金属层；以及使用蚀刻组合物蚀刻金属阻挡层和金属层。蚀刻组合物可以包括：氧化剂，选自于硝酸、溴酸、碘酸、高氯酸、过溴酸、高碘酸、硫酸、甲磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸或它们的组合；金属蚀刻抑制剂，包括由如在说明书中所示的化学式1表示的化合物；以及金属氧化物增溶剂，选自于磷酸、磷酸盐、具有3个至20个碳原子的羧酸或它们的组合。

公开(公告)号：CN108102654B

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN201711188427.9

申请日：2017-11-24

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式公社

Inventor： 李轸雨 ,  金建伶 ,  韩勋 ,  林廷训 ,  李珍旭 ,  朴宰完

IPC: C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及蚀刻剂组合物以及使用其制造集成电路器件的方法。蚀刻剂组合物包括无机酸、硅氧烷化合物、铵化合物和溶剂，其中所述硅氧烷化合物由通式(I)表示。制造集成电路器件的方法包括：在基底上形成结构体，所述结构体具有氧化物膜和氮化物膜暴露于其上的表面；和通过使所述蚀刻剂组合物与所述结构体接触而从所述氧化物膜和所述氮化物膜选择性地除去所述氮化物膜。

公开(公告)号：CN111524827A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201911364983.6

申请日：2019-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车知勳 ,  李轸雨 ,  金石训 ,  金仁基 ,  辛承敃 ,  崔溶俊

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 提供了一种半导体器件制造设备。所述半导体器件制造设备包括：旋转器，被构造为保持晶圆；喷嘴，被构造为将液体化学品供应到晶圆的上表面上；以及激光模块，被构造为在喷嘴将液体化学品供应到晶圆的上表面上的同时通过将激光束辐射到晶圆的下表面来加热晶圆。