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公开(公告)号:CN111293096B
公开(公告)日:2024-05-24
申请号:CN201911211107.X
申请日:2019-12-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/495
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:框架,包括由铁磁性材料形成的芯层和贯穿所述芯层的通孔;半导体芯片,设置在所述框架的所述通孔中,并且具有设置有连接垫的有效表面以及与所述有效表面相对的无效表面;包封件,覆盖所述半导体芯片的至少一部分;以及第一连接结构,包括设置在所述半导体芯片的所述有效表面上并且电连接到所述连接垫的第一重新分布层。
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公开(公告)号:CN111696958A
公开(公告)日:2020-09-22
申请号:CN201910981184.7
申请日:2019-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L21/60 , H01L25/065
Abstract: 本发明提供一种层叠封装件以及包括该层叠封装件的封装件连接系统,所述层叠封装件包括:第一半导体封装件,包括第一半导体芯片;以及第二半导体封装件,设置在所述第一半导体封装件上,包括电连接到所述第一半导体芯片的第二半导体芯片。所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中的每个包括一个或更多个单元。所述第一半导体芯片的所述单元的数量大于所述第二半导体芯片的所述单元的数量。所述第一半导体芯片的所述一个或更多个单元和所述第二半导体芯片的所述一个或更多个单元实现应用处理器芯片的功能。
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公开(公告)号:CN111415911A
公开(公告)日:2020-07-14
申请号:CN202010013212.9
申请日:2020-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L25/07
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件,所述半导体封装件可包括:连接结构,包括绝缘构件、多个第一垫、多个第二垫和重新分布层,所述绝缘构件包括具有凹槽部的第一表面和与所述第一表面背对的第二表面,所述多个第一垫设置在所述凹槽部的底表面上,所述多个第二垫嵌在所述绝缘构件的所述第二表面中,所述重新分布层设置在所述多个第一垫与所述多个第二垫之间并且连接到所述多个第一垫和所述多个第二垫;半导体芯片,设置在所述绝缘构件的所述第一表面上,并且具有分别电连接到所述多个第一垫的多个连接电极;以及钝化层,设置在所述绝缘构件的所述第二表面上,并且具有分别使所述多个第二垫暴露的多个开口。
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公开(公告)号:CN111293096A
公开(公告)日:2020-06-16
申请号:CN201911211107.X
申请日:2019-12-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/495
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:框架,包括由铁磁性材料形成的芯层和贯穿所述芯层的通孔;半导体芯片,设置在所述框架的所述通孔中,并且具有设置有连接垫的有效表面以及与所述有效表面相对的无效表面;包封件,覆盖所述半导体芯片的至少一部分;以及第一连接结构,包括设置在所述半导体芯片的所述有效表面上并且电连接到所述连接垫的第一重新分布层。
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公开(公告)号:CN111223835A
公开(公告)日:2020-06-02
申请号:CN201911153469.8
申请日:2019-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/495
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:框架,具有腔并且包括布线结构,所述布线结构使所述框架的第一表面和第二表面连接;第一连接结构,位于所述框架的所述第一表面上并且包括连接到所述布线结构的第一重新分布层;第一半导体芯片,在所述腔内位于所述第一连接结构上;包封剂,包封所述第一半导体芯片并且覆盖所述框架的所述第二表面;第二连接结构,包括第二重新分布层,所述第二重新分布层包括第一重新分布图案和第一连接过孔;以及第二半导体芯片,设置在所述第二连接结构上并且具有第二连接垫,所述第二连接垫连接到所述第二重新分布层。
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公开(公告)号:CN111223835B
公开(公告)日:2024-03-08
申请号:CN201911153469.8
申请日:2019-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/495
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公开(公告)号:CN111653561A
公开(公告)日:2020-09-11
申请号:CN202010141944.6
申请日:2020-03-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/488 , H01L23/485
Abstract: 本公开提供一种混合中介体及半导体封装件,所述半导体封装件包括:中介体,包括芯基板和连接结构,所述芯基板具有腔并且具有使所述芯基板的上表面和下表面连接的贯通过孔,并且所述连接结构包括位于所述芯基板的上表面上的绝缘构件和位于所述绝缘构件上的重新分布层;半导体芯片,位于所述连接结构的上表面上,并且包括连接到所述重新分布层的连接垫;无源组件,容纳在所述腔中;第一绝缘层,设置在所述芯基板与所述连接结构之间;第一布线层,位于所述第一绝缘层上,并且将所述贯通过孔和所述无源组件连接到所述重新分布层;第二绝缘层,位于所述芯基板的下表面上;以及第二布线层,位于所述第二绝缘层的下表面上,并且连接到所述贯通过孔。
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