公开(公告)号：CN111415911A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN202010013212.9

申请日：2020-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李荣官 ,  许荣植 ,  曹正铉 ,  韩泰熙 ,  金钟录

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L25/07

Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件可包括：连接结构，包括绝缘构件、多个第一垫、多个第二垫和重新分布层，所述绝缘构件包括具有凹槽部的第一表面和与所述第一表面背对的第二表面，所述多个第一垫设置在所述凹槽部的底表面上，所述多个第二垫嵌在所述绝缘构件的所述第二表面中，所述重新分布层设置在所述多个第一垫与所述多个第二垫之间并且连接到所述多个第一垫和所述多个第二垫；半导体芯片，设置在所述绝缘构件的所述第一表面上，并且具有分别电连接到所述多个第一垫的多个连接电极；以及钝化层，设置在所述绝缘构件的所述第二表面上，并且具有分别使所述多个第二垫暴露的多个开口。

公开(公告)号：CN111653561A

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN202010141944.6

申请日：2020-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曺正铉 ,  许荣植 ,  李荣官 ,  金钟录

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L23/485

Abstract: 本公开提供一种混合中介体及半导体封装件，所述半导体封装件包括：中介体，包括芯基板和连接结构，所述芯基板具有腔并且具有使所述芯基板的上表面和下表面连接的贯通过孔，并且所述连接结构包括位于所述芯基板的上表面上的绝缘构件和位于所述绝缘构件上的重新分布层；半导体芯片，位于所述连接结构的上表面上，并且包括连接到所述重新分布层的连接垫；无源组件，容纳在所述腔中；第一绝缘层，设置在所述芯基板与所述连接结构之间；第一布线层，位于所述第一绝缘层上，并且将所述贯通过孔和所述无源组件连接到所述重新分布层；第二绝缘层，位于所述芯基板的下表面上；以及第二布线层，位于所述第二绝缘层的下表面上，并且连接到所述贯通过孔。