具有埋入式无源组件的板

    公开(公告)号:CN110839318B

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN201910742349.5

    申请日:2019-08-13

    Abstract: 提供了一种板。所述板包括:芯结构;一个或更多个第一无源组件,埋入芯结构中;第一构建结构,设置在芯结构的一侧上,并且包括第一构建层和第一布线层;以及第二构建结构,设置在芯结构的另一侧上,并且包括第二构建层和第二布线层。第一芯层的与第一绝缘层接触的一个表面同所述一个或更多个第一无源组件中的每个的与第一绝缘层接触的一个表面共面,所述一个或更多个第一无源组件中的每个的被第二绝缘层覆盖的另一表面与第二芯层分隔开,并且所述一个或更多个第一无源组件电连接到多个第一布线层和多个第二布线层中的至少一个。

    半导体封装件
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111415911A

    公开(公告)日:2020-07-14

    申请号:CN202010013212.9

    申请日:2020-01-07

    Abstract: 本发明提供一种半导体封装件,所述半导体封装件可包括:连接结构,包括绝缘构件、多个第一垫、多个第二垫和重新分布层,所述绝缘构件包括具有凹槽部的第一表面和与所述第一表面背对的第二表面,所述多个第一垫设置在所述凹槽部的底表面上,所述多个第二垫嵌在所述绝缘构件的所述第二表面中,所述重新分布层设置在所述多个第一垫与所述多个第二垫之间并且连接到所述多个第一垫和所述多个第二垫;半导体芯片,设置在所述绝缘构件的所述第一表面上,并且具有分别电连接到所述多个第一垫的多个连接电极;以及钝化层,设置在所述绝缘构件的所述第二表面上,并且具有分别使所述多个第二垫暴露的多个开口。

    制造存储器装置的方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110890462A

    公开(公告)日:2020-03-17

    申请号:CN201910603772.7

    申请日:2019-07-05

    Abstract: 提供了一种制造存储器装置的方法,该方法包括:在基底上形成晶体管;形成覆盖晶体管的下层间绝缘层;在下层间绝缘层上形成氢供应层;在氢供应层上形成氢阻挡层;对晶体管、下层间绝缘层和氢供应层进行退火;在对晶体管、下层间绝缘层和氢供应层进行退火之后,在氢阻挡层上形成存储器单元;以及形成围绕存储器单元的上层间绝缘层。

    具有埋入式无源组件的板

    公开(公告)号:CN110839318A

    公开(公告)日:2020-02-25

    申请号:CN201910742349.5

    申请日:2019-08-13

    Abstract: 提供了一种板。所述板包括:芯结构;一个或更多个第一无源组件,埋入芯结构中;第一构建结构,设置在芯结构的一侧上,并且包括第一构建层和第一布线层;以及第二构建结构,设置在芯结构的另一侧上,并且包括第二构建层和第二布线层。第一芯层的与第一绝缘层接触的一个表面同所述一个或更多个第一无源组件中的每个的与第一绝缘层接触的一个表面共面,所述一个或更多个第一无源组件中的每个的被第二绝缘层覆盖的另一表面与第二芯层分隔开,并且所述一个或更多个第一无源组件电连接到多个第一布线层和多个第二布线层中的至少一个。

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