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公开(公告)号：CN118280400A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202311428960.3
申请日：2023-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 提供了执行ZQ校准的半导体存储器装置及其校准方法。所述半导体存储器装置可包括：阻抗调整垫；虚设下拉驱动器和外部电阻器，并联连接在阻抗调整垫与地之间；递归码生成电路，被配置为在所述半导体存储器装置的阻抗校准操作中通过使用外部电阻器和虚设下拉驱动器作为参考电阻来递归地生成与目标电阻对应的上拉码和下拉码；码寄存器，被配置为存储生成的上拉码和下拉码；以及校准控制逻辑电路，被配置为在调整虚设下拉驱动器的电阻值的同时在阻抗校准操作中的多个步长期间控制递归码生成电路。
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公开(公告)号：CN110853691A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201910767638.0
申请日：2019-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 一种半导体存储设备可以包括存储体。传感器被布置为与存储体相邻并且被配置为感测温度。地址缓冲器被配置为从外部设备接收地址。第一解复用器被配置为向存储体之一传递地址中的行地址。第二解复用器被配置为向存储体之一传递地址中的列地址。命令缓冲器被配置为从外部设备接收命令。控制逻辑块被配置为根据命令和地址中的存储体信息来控制第一和第二解复用器以及存储体。数据缓冲器被配置为在存储体和外部设备之间交换数据信号。控制逻辑块可以被进一步配置为向外部设备传递关于温度的信息。
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公开(公告)号：CN110795370A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201910671518.0
申请日：2019-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F13/16 , G06F12/0866
Abstract: 本公开涉及包括非易失性存储器件的半导体存储器模块。该半导体存储器模块包括：数据缓冲器，所述数据缓冲器与外部设备交换第一数据信号；非易失性存储器件，所述非易失性存储器件分别通过数据线连接到所述数据缓冲器；以及控制器，所述控制器连接到所述数据线。所述控制器从所述外部设备接收地址、命令和控制信号，并且根据所述地址、所述命令和所述控制信号，所述控制器通过第一控制线控制所述数据缓冲器并且通过第二控制线控制所述非易失性存储器件。
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公开(公告)号：CN119673237A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411299732.5
申请日：2024-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储器件、存储系统和存储器件的操作方法。存储器件包括：第一焊盘，被配置为从存储控制器接收读取使能信号；第二焊盘，被配置为从存储控制器接收读取占空比校正命令信号；第一工作时段校正电路，被配置为当接收到读取使能信号时，基于从存储控制器接收到的读取占空比校正命令信号来执行读取占空比校正操作，并且输出基于读取占空比校正操作生成的数据选通信号；以及第二工作时段校正电路，被配置为从第一工作时段校正电路接收数据选通信号，基于数据选通信号生成具有彼此不同相位的第一至第四时钟信号，并且执行写入占空比校正操作以校正具有180°相位差的第一和第三时钟信号的占空比并且校正具有180°相位差的第二和第四时钟信号的占空比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110853691B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN201910767638.0
申请日：2019-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 一种半导体存储设备可以包括存储体。传感器被布置为与存储体相邻并且被配置为感测温度。地址缓冲器被配置为从外部设备接收地址。第一解复用器被配置为向存储体之一传递地址中的行地址。第二解复用器被配置为向存储体之一传递地址中的列地址。命令缓冲器被配置为从外部设备接收命令。控制逻辑块被配置为根据命令和地址中的存储体信息来控制第一和第二解复用器以及存储体。数据缓冲器被配置为在存储体和外部设备之间交换数据信号。控制逻辑块可以被进一步配置为向外部设备传递关于温度的信息。
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公开(公告)号：CN110911386B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201910402840.3
申请日：2019-05-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
Abstract: 提供了一种半导体裸片的缺陷检测结构、半导体装置和缺陷检测方法。所述半导体装置包括半导体裸片、缺陷检测结构和输入输出电路。半导体裸片包括中心区域和围绕中心区域的外围区域。外围区域包括左下角区域、左上角区域、右上角区域和右下角区域。缺陷检测结构形成在外围区域中。缺陷检测结构包括位于左下角区域中的第一导电回路、位于右下角区域中的第二导电回路、位于左下角区域和左上角区域中的第三导电回路以及位于右下角区域和右上角区域中的第四导电回路。输入输出电路电连接到第一导电回路、第二导电回路、第三导电回路和第四导电回路中的端节点。
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公开(公告)号：CN109215701A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810618463.2
申请日：2018-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 一种存储设备的数据训练方法，所述存储设备包括存储控制器和非易失性存储器设备，所述方法包括：向所述非易失性存储器设备发送读取训练命令；响应于读取训练命令，接收从非易失性存储器设备输出的第一训练模式；响应于读取训练命令，接收从非易失性存储器设备输出的第二训练模式；以及将接收的第一训练模式和接收的第二训练模式与参考模式进行比较，并取决于比较结果确定存储控制器的读取定时偏移。
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公开(公告)号：CN109215701B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201810618463.2
申请日：2018-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 一种存储设备的数据训练方法，所述存储设备包括存储控制器和非易失性存储器设备，所述方法包括：向所述非易失性存储器设备发送读取训练命令；响应于读取训练命令，接收从非易失性存储器设备输出的第一训练模式；响应于读取训练命令，接收从非易失性存储器设备输出的第二训练模式；以及将接收的第一训练模式和接收的第二训练模式与参考模式进行比较，并取决于比较结果确定存储控制器的读取定时偏移。
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公开(公告)号：CN1107406C
公开(公告)日：2003-04-30
申请号：CN98115275.9
申请日：1998-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李泰成
CPC classification number: H04N5/45 , H04N5/46 , H04N21/42638 , H04N21/4316 , H04N21/440218 , H04N21/482
Abstract: 一种能同时显示多种不同广播制式图像信号的高清晰度电视机(HDTV)，其中所恢复的由天线和外部输入端口输入的HD数字广播信号中的第一图像信号和NTSC模拟广播信号中的第二图像信号，被格式转化成预定的帧格式。含有定时信号发生器和两个存储器的图像信号合成器时域压缩格式转化后的第一、第二图像信号以便与要显示的PIP图像的主画面和副画面相对应，并将它们合成为单个PIP图像。在CRT屏幕上显示此PIP图像。
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