-
公开(公告)号：CN109802681B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201811364521.X
申请日：2018-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体设备，包括：参考电压生成器，被配置为输出参考电压。参考电压生成器包括升压码电路和第一数字‑模拟转换器(DAC)。升压码电路包括被配置为生成第一升压脉冲的第一升压脉冲生成器和被配置为基于参考码和第一升压脉冲输出第一升压码的第一升压码控制器。第一DAC被配置为通过转换第一升压码来输出参考电压。当第一升压脉冲具有第一逻辑电平时，第一升压码具有与参考码不同的第一码值，并且当第一升压脉冲具有与第一逻辑电平相反的第二逻辑电平时，第一升压码具有与参考码相同的值。
-
公开(公告)号：CN110853691A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201910767638.0
申请日：2019-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 一种半导体存储设备可以包括存储体。传感器被布置为与存储体相邻并且被配置为感测温度。地址缓冲器被配置为从外部设备接收地址。第一解复用器被配置为向存储体之一传递地址中的行地址。第二解复用器被配置为向存储体之一传递地址中的列地址。命令缓冲器被配置为从外部设备接收命令。控制逻辑块被配置为根据命令和地址中的存储体信息来控制第一和第二解复用器以及存储体。数据缓冲器被配置为在存储体和外部设备之间交换数据信号。控制逻辑块可以被进一步配置为向外部设备传递关于温度的信息。
-
公开(公告)号：CN110853691B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN201910767638.0
申请日：2019-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 一种半导体存储设备可以包括存储体。传感器被布置为与存储体相邻并且被配置为感测温度。地址缓冲器被配置为从外部设备接收地址。第一解复用器被配置为向存储体之一传递地址中的行地址。第二解复用器被配置为向存储体之一传递地址中的列地址。命令缓冲器被配置为从外部设备接收命令。控制逻辑块被配置为根据命令和地址中的存储体信息来控制第一和第二解复用器以及存储体。数据缓冲器被配置为在存储体和外部设备之间交换数据信号。控制逻辑块可以被进一步配置为向外部设备传递关于温度的信息。
-
公开(公告)号：CN109802681A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811364521.X
申请日：2018-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体设备，包括：参考电压生成器，被配置为输出参考电压。参考电压生成器包括升压码电路和第一数字-模拟转换器(DAC)。升压码电路包括被配置为生成第一升压脉冲的第一升压脉冲生成器和被配置为基于参考码和第一升压脉冲输出第一升压码的第一升压码控制器。第一DAC被配置为通过转换第一升压码来输出参考电压。当第一升压脉冲具有第一逻辑电平时，第一升压码具有与参考码不同的第一码值，并且当第一升压脉冲具有与第一逻辑电平相反的第二逻辑电平时，第一升压码具有与参考码相同的值。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.035 seconds)
