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公开(公告)号:CN110853691A
公开(公告)日:2020-02-28
申请号:CN201910767638.0
申请日:2019-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 一种半导体存储设备可以包括存储体。传感器被布置为与存储体相邻并且被配置为感测温度。地址缓冲器被配置为从外部设备接收地址。第一解复用器被配置为向存储体之一传递地址中的行地址。第二解复用器被配置为向存储体之一传递地址中的列地址。命令缓冲器被配置为从外部设备接收命令。控制逻辑块被配置为根据命令和地址中的存储体信息来控制第一和第二解复用器以及存储体。数据缓冲器被配置为在存储体和外部设备之间交换数据信号。控制逻辑块可以被进一步配置为向外部设备传递关于温度的信息。
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公开(公告)号:CN110853691B
公开(公告)日:2024-08-27
申请号:CN201910767638.0
申请日:2019-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 一种半导体存储设备可以包括存储体。传感器被布置为与存储体相邻并且被配置为感测温度。地址缓冲器被配置为从外部设备接收地址。第一解复用器被配置为向存储体之一传递地址中的行地址。第二解复用器被配置为向存储体之一传递地址中的列地址。命令缓冲器被配置为从外部设备接收命令。控制逻辑块被配置为根据命令和地址中的存储体信息来控制第一和第二解复用器以及存储体。数据缓冲器被配置为在存储体和外部设备之间交换数据信号。控制逻辑块可以被进一步配置为向外部设备传递关于温度的信息。
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