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公开(公告)号：CN107958869B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN201710804253.8
申请日：2017-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/764 , H01L27/11524 , H01L27/1157
Abstract: 提供了一种存储器装置。存储器装置可以包括：栅极结构，包括在基底上交替地堆叠的多个栅电极层和多个绝缘层；多个蚀刻停止层，在所述多个栅电极层的各个下部上，分别从所述多个绝缘层延伸；多个接触件，分别连接到在蚀刻停止层的上部上方的所述多个栅电极层，其中，所述多个蚀刻停止层中的各个蚀刻停止层包括在其中的气隙。
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公开(公告)号：CN1114784A
公开(公告)日：1996-01-10
申请号：CN95101479.X
申请日：1995-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G21K1/025 , H01J37/34 , H01J37/3447
Abstract: 一种能生长具有均匀厚度和低缺陷率的溅射装置的准直器包括许多以圆柱体形状形成的蜂窝状格子以及在每个格子的侧壁表面上形成的精细的槽和脊，由此来改善形成在侧壁表面上的粒子的粘附性。由于形成在每个格子的侧壁表面上的槽和脊增加了溅射期间在水平方向运动的粒子的粘附性。其结果是，可抑制粒子的产生，可得到半导体器件的高可靠性以及能使溅射装置进行稳定操作。
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公开(公告)号：CN109801918A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811248928.6
申请日：2018-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L21/336
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上交替堆叠牺牲层和层间绝缘层，以形成堆叠结构；形成穿透堆叠结构的沟道；形成穿透堆叠结构的分离区；通过去除穿过分离区的牺牲层来形成横向开口；以及在横向开口中形成栅电极。形成栅电极可以包括：通过供应源气体和第一反应气体在横向开口中形成成核层，以及通过供应源气体和与第一反应气体不同的第二反应气体在成核层上形成体层以填充横向开口。第一反应气体可以从储存在充气单元中并从充气单元供应的第一反应气体源供应。
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公开(公告)号：CN107958869A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201710804253.8
申请日：2017-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/764 , H01L27/11524 , H01L27/1157
CPC classification number: H01L27/1157 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/26 , H01L23/535 , H01L27/11524 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L29/0649 , H01L29/42328 , H01L29/42344 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/764
Abstract: 提供了一种存储器装置。存储器装置可以包括：栅极结构，包括在基底上交替地堆叠的多个栅电极层和多个绝缘层；多个蚀刻停止层，在所述多个栅电极层的各个下部上，分别从所述多个绝缘层延伸；多个接触件，分别连接到在蚀刻停止层的上部上方的所述多个栅电极层，其中，所述多个蚀刻停止层中的各个蚀刻停止层包括在其中的气隙。
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公开(公告)号：CN113140572B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202110061098.1
申请日：2021-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B43/00 , H10B43/40 , H10B43/20 , H01L23/535
Abstract: 一种布线结构包括衬底上的第一金属图案至第三金属图案。第一金属图案在第二方向上延伸，并且在第三方向上具有第一宽度。第二金属图案在第三方向上延伸以与第一金属图案交叉，并且在第二方向上具有第二宽度。第三金属图案在第一金属图案和第二金属图案彼此交叉的区域处连接到第一金属图案和第二金属图案，并且具有在每个角中具有凹部的实质上矩形形状。第三金属图案具有第三宽度，其被定义为凹部中的在与第二方向和第三方向成锐角的第四方向上的相对的凹部之间的最小距离，第三宽度小于或等于第一宽度和第二宽度中更小的一个。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109801918B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN201811248928.6
申请日：2018-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B41/27 , H10B43/27 , H01L21/336
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上交替堆叠牺牲层和层间绝缘层，以形成堆叠结构；形成穿透堆叠结构的沟道；形成穿透堆叠结构的分离区；通过去除穿过分离区的牺牲层来形成横向开口；以及在横向开口中形成栅电极。形成栅电极可以包括：通过供应源气体和第一反应气体在横向开口中形成成核层，以及通过供应源气体和与第一反应气体不同的第二反应气体在成核层上形成体层以填充横向开口。第一反应气体可以从储存在充气单元中并从充气单元供应的第一反应气体源供应。
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公开(公告)号：CN109244078A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810749616.7
申请日：2018-07-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11578
Abstract: 提供了半导体存储器件和导体结构。该半导体存储器件可以包括衬底、堆叠在衬底上的栅电极结构、在栅电极结构之间的绝缘图案、穿透栅电极结构和绝缘图案的垂直沟道、以及数据存储图案。垂直沟道可以电连接到衬底。数据存储图案可以布置在栅电极结构与垂直沟道之间。栅电极结构的每个可以包括壁垒膜、金属栅极和晶粒边界填塞层。晶粒边界填塞层可以在壁垒膜与金属栅极之间。
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公开(公告)号：CN1731773B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200510069789.7
申请日：2005-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04L25/02
CPC classification number: H04L25/067 , H04B1/707 , H04B2201/7071 , H04L1/0045
Abstract: 提供了一种用于在移动通信系统中根据输入比特值来调整所希望的表示部分的装置和方法，其中，仅表示已定义的部分输入比特值，以便使输出比特数小于输入比特数，并且将包括在未表示部分中的比特值映射到特定值。在该装置和方法中，测量器将可能的输出比特值划分为至少三个部分，并在预定时间内测量各个部分的输出比特的输出频率。当特定部分的输出频率大于其它部分的输出频率时，控制器调整所希望的表示部分。
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公开(公告)号：CN1574688A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200310124738.0
申请日：2003-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04B1/7085 , H04B1/7113 , H04B1/7117
Abstract: 公开了一种码分多址(CDMA)移动通信系统中假设多径信号的设备和方法。从各指状部件收集定时控制信号，并且分析各指状部件要执行解调的时间延迟的位置之间的关系。如果确定特定指状部件的时间延迟位置以某个阈值接近于分配给相邻多径的指状部件的时间延迟位置，时间延迟位置之间的距离被强制保持为该阈值。通过在特定指状部件中同等地使用分配给相邻多径的指状部件的定时控制信号，就能够实施上述设备和方法。
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公开(公告)号：CN116056460A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211339831.2
申请日：2022-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B41/35 , H10B41/27 , H10B43/35 , H10B43/27 , H01L29/423
Abstract: 提供了一种电极结构、半导体装置和电子系统。电极结构包括：导电电极，该导电电极包括第一表面；绝缘层，其位于导电电极上，绝缘层与导电电极的第一表面接触；以及纳米点图案，其位于导电电极中并且与导电电极的第一表面间隔开，纳米点图案包括与导电电极的第一表面平行排列的纳米点，并且纳米点中的每个纳米点包括第一侧表面和第二侧表面，第一侧表面与导电电极的第一表面相邻，第一侧表面是平坦的并且与导电电极的第一表面平行，第二侧表面与第一侧表面相对，第二侧表面在远离导电电极的第一表面的方向上凸起。
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