公开(公告)号：CN1059474C

公开(公告)日：2000-12-13

申请号：CN95101479.X

申请日：1995-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正吉 ,  朴宣厚 ,  崔吉铉

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/265 ,  H01J37/34

CPC classification number: G21K1/025 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3447

Abstract: 一种能生长具有均匀厚度和低缺陷率的溅射装置的准直器包括许多以圆柱体形状形成的蜂窝状格子以及在每个格子的侧壁表面上形成的精细的槽和脊，由此来改善形成在侧壁表面上的粒子的粘附性。由于形成在每个格子的侧壁表面上的槽和脊增加了溅射期间在水平方向运动的粒子的粘附性。其结果是，可抑制粒子的产生，可得到半导体器件的高可靠性以及能使溅射装置进行稳定操作。

公开(公告)号：CN1114784A

公开(公告)日：1996-01-10

申请号：CN95101479.X

申请日：1995-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正吉 ,  朴宣厚 ,  崔吉铉

IPC: H01L21/74 ,  B21D47/04

CPC classification number: G21K1/025 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3447

Abstract: 一种能生长具有均匀厚度和低缺陷率的溅射装置的准直器包括许多以圆柱体形状形成的蜂窝状格子以及在每个格子的侧壁表面上形成的精细的槽和脊，由此来改善形成在侧壁表面上的粒子的粘附性。由于形成在每个格子的侧壁表面上的槽和脊增加了溅射期间在水平方向运动的粒子的粘附性。其结果是，可抑制粒子的产生，可得到半导体器件的高可靠性以及能使溅射装置进行稳定操作。

公开(公告)号：CN1091552A

公开(公告)日：1994-08-31

申请号：CN93119872.0

申请日：1993-12-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裴大录 ,  朴宣厚 ,  高光万

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/90

CPC classification number: H01L21/76879

Abstract: 采用选择性CVD钨形成通路接触塞的方法中，通过在高温下，进行H2还原工艺，在通路接触孔的下部淀积上第一层钨；随后，再在低温下，进行SiH4还原工艺，在第一层钨上淀积上第二层钨，经过第一和第二层钨来填充通路接触孔，于是形成了接触塞。因此，防止了钨的选择性衰减，从而实现可靠的半导体器件。

公开(公告)号：CN1042473C

公开(公告)日：1999-03-10

申请号：CN93119872.0

申请日：1993-12-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裴大录 ,  朴宣厚 ,  高光万

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76879

Abstract: 采用选择性CVD钨形成通路接触塞的方法中，通过在350～400℃进行H2还原工艺，在通路接触孔的下部淀积上第一层钨；随后，再在250～300℃下，进行SiH4还原工艺，在第一层钨上淀积上第二层钨，经过第一和第二层钨来填充通路接触孔，于是形成了接触塞。因此，防止了钨的选择性衰减，从而实现可靠的半导体器件。