公开(公告)号：CN1091552A

公开(公告)日：1994-08-31

申请号：CN93119872.0

申请日：1993-12-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裴大录 ,  朴宣厚 ,  高光万

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/90

CPC classification number: H01L21/76879

Abstract: 采用选择性CVD钨形成通路接触塞的方法中，通过在高温下，进行H2还原工艺，在通路接触孔的下部淀积上第一层钨；随后，再在低温下，进行SiH4还原工艺，在第一层钨上淀积上第二层钨，经过第一和第二层钨来填充通路接触孔，于是形成了接触塞。因此，防止了钨的选择性衰减，从而实现可靠的半导体器件。

公开(公告)号：CN1042473C

公开(公告)日：1999-03-10

申请号：CN93119872.0

申请日：1993-12-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裴大录 ,  朴宣厚 ,  高光万

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76879

Abstract: 采用选择性CVD钨形成通路接触塞的方法中，通过在350～400℃进行H2还原工艺，在通路接触孔的下部淀积上第一层钨；随后，再在250～300℃下，进行SiH4还原工艺，在第一层钨上淀积上第二层钨，经过第一和第二层钨来填充通路接触孔，于是形成了接触塞。因此，防止了钨的选择性衰减，从而实现可靠的半导体器件。