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公开(公告)号：CN119517766A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411100895.6
申请日：2024-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体多层结构以及半导体多层结构的测试电路的操作方法。所述半导体多层结构包括：第一半导体晶片，其包括多个第一焊盘；第二半导体晶片，其包括与所述多个第一焊盘组合的多个第二焊盘；以及测试电路，其被配置为向其中所述多个第一焊盘当中的预设第一参考焊盘与所述多个第二焊盘当中的预设第二参考焊盘组合的参考组合部分施加第一电压，并且向其中所述多个第一焊盘当中的至少一个第一焊盘与所述多个第二焊盘当中的至少一个第二焊盘组合的比较组合部分施加第二电压，其中，所述测试电路将基于所述参考组合部分与所述比较组合部分的电阻比而分布的电压与预设参考电压进行比较，以确定所述至少一个第一焊盘是否与所述至少一个第二焊盘对准。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN117500274A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310713454.2
申请日：2023-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了非易失性存储器装置和包括其的存储器系统。垂直集成的非易失性存储器装置包括：外围电路结构，其中具有外围电路；以及单元阵列结构，接合到外围电路结构，并且其中具有单元区域和连接区域。单元区域包括在连接区域中交替堆叠的多个栅电极和多个绝缘层。多个栅电极包括具有阶梯形状的单元堆叠件、被配置为穿过单元区域中的单元堆叠件的多个电容器芯接触结构、以及在连接区域中连接到多个栅电极的多个电容器栅极接触结构。多个电容器芯接触结构中的每个包括(i)电连接到外围电路的第一芯导体和(ii)在第一芯导体与多个栅电极之间延伸的第一覆盖绝缘层，并且构成电容器，在电容器中，第一芯导体、第一覆盖绝缘层和多个栅电极连接到外围电路。
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公开(公告)号：CN117677193A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202310749745.7
申请日：2023-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储器包括：衬底，所述衬底包括传输晶体管区域；外围电路结构，所述外围电路结构包括在所述传输晶体管区域上的传输晶体管；以及单元阵列结构，所述单元阵列结构位于所述外围电路结构上，并且包括沿着第一方向交替地布置的多个单元阵列区域和多个连接区域。所述单元阵列结构包括堆叠结构，所述堆叠结构包括垂直堆叠并对应地连接到所述传输晶体管的导电图案。所述堆叠结构包括在所述连接区域上的阶梯式结构。所述单元阵列结构的所述连接区域对应地与所述外围电路结构的所述传输晶体管区域交叠。
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公开(公告)号：CN114078817A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110935533.9
申请日：2021-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528
Abstract: 一种半导体器件包括第一金属布线图案区域以及在平面图中不与第一金属布线图案区域重叠的第二金属布线图案区域。第一金属布线图案区域包括第一图案，第二金属布线图案区域包括第二图案，该第二图案与第一图案间隔开并包括一条或更多条线。第一金属布线图案区域包括辅助图案，该辅助图案包括一条或更多条线。辅助图案与第二图案间隔开，平行于第二图案，并且在第一图案和第二图案之间。辅助图案的一端连接到第一图案。
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