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公开(公告)号：CN111352881B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN201911130434.2
申请日：2019-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F13/40
Abstract: 提供了一种信号发送和接收设备、存储器件及操作它们的方法。所述信号发送和接收设备包括：第一片上端接电路，所述第一片上端接电路连接到通过其发送或接收第一信号的第一引脚，当所述第一片上端接电路被启用时，所述第一片上端接电路被配置为将第一端接电阻提供给与所述第一引脚连接的信号线；第二片上端接电路，所述第二片上端接电路连接到通过其发送或接收第二信号的第二引脚，当所述第二片上端接电路被启用时，所述第二片上端接电路被配置为将第二端接电阻提供给与所述第二引脚连接的信号线；以及片上端接控制电路，所述片上端接控制电路被配置为：独立地控制所述第一片上端接电路和所述第二片上端接电路中的每一个的启用时间和停用时间。
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公开(公告)号：CN109935666B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN201811486617.3
申请日：2018-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光装置包括：第一发光部分，其包括第一半导体堆叠件以及布置在第一半导体堆叠件下方和上方的第一下分散式布拉格反射器(DBR)层和第一上分散式布拉格反射器(DBR)层；第二发光部分，其包括第二半导体堆叠件以及布置在第二半导体堆叠件下方和上方的第二下分散式布拉格反射器(DBR)层和第二上分散式布拉格反射器(DBR)层；第三发光部分，其包括第三半导体堆叠件以及布置在第三半导体堆叠件下方和上方的第三下分散式布拉格反射器(DBR)层和第三上分散式布拉格反射器(DBR)层；第一粘合层，其布置在第一发光部分与第二发光部分之间；以及第粘合层，其布置在第二发光部分与第三发光部分之间。
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公开(公告)号：CN109920813B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201811206670.3
申请日：2018-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种制造发光器件封装的方法，包括：形成单元阵列，该单元阵列包括半导体发光器以及分离区域，该半导体发光器包括衬底上的第一导电型半导体层和第二导电型半导体层以及有源层，该单元阵列具有与衬底接触的第一表面；通过去除衬底来暴露出分离区域的第一表面；在分离区域中的第一表面上形成晶种层；在发光器上形成光致抗蚀剂图案，使得光致抗蚀剂图案暴露出晶种层；通过镀覆光致抗蚀剂图案暴露出的区域来形成分隔结构，该分隔结构分离发光器；通过去除光致抗蚀剂图案来形成分隔结构的发光窗口，使得发光器在发光窗口的下端处暴露出来；以及通过用波长转换材料填充发光窗口来形成波长转换器。
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公开(公告)号：CN117177561A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310575398.0
申请日：2023-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：电容器结构，其中，电容器结构包括：下电极，布置在基底上，其中，下电极包括沿与基底的上表面基本垂直的方向延伸的电极层，其中，电极层包括氮化铌；支撑件，布置在下电极的侧壁上；介电层，布置在下电极和支撑件上；第一界面层，布置在下电极的侧壁与介电层之间以及在下电极的顶表面与介电层之间，其中，第一界面层包括导电金属氮化物；以及上电极，布置在介电层上，其中，上电极覆盖下电极并且包括氮化铌。
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公开(公告)号：CN113284882A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110149012.0
申请日：2021-02-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体发光装置和显示设备。该半导体发光装置包括：棒形式的发光结构，其包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，并且具有第一表面、与第一表面相对的第二表面和连接第一表面和第二表面的侧表面；再生长半导体层，其围绕发光结构的整个侧表面，并且具有在沿着侧表面的周边的第一位置处的第一厚度和在沿着侧表面的周边的第二位置处的与第一厚度不同的第二厚度；第一电极，其位于发光结构的第一表面上，并且连接到第一导电类型半导体层；以及第二电极，其位于发光结构的第二表面上，并且连接到第二导电类型半导体层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111009270A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201910701403.1
申请日：2019-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/22 , G11C11/4076 , G11C29/42
Abstract: 提供存储器设备。存储器设备包括：时钟缓冲器，用于接收主时钟信号并提供内部主时钟信号；数据时钟缓冲器，用于接收数据时钟信号；和延迟控制电路，被配置为基于数据时钟信号产生延迟信息并将延迟信息提供给数据输入/输出电路。延迟控制电路包括：分频器，被配置为基于数据时钟信号产生二分频时钟信号；分频器，被配置为基于第一组二分频时钟信号产生四分频时钟信号；第一同步检测器，被配置为输出指示第二组二分频时钟信号是否与数据时钟信号同步的二分频对准信号；和延迟选择器，被配置为基于二分频对准信号检测四分频时钟信号的相位并且基于相位调整主时钟信号的延迟。
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公开(公告)号：CN110729321A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910231211.9
申请日：2019-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供一种发光装置封装件，包括：单元阵列，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且在第一表面的水平延伸线的一部分上包括半导体发光单元，半导体发光单元中的每一个包括第一导电类型半导体层以及顺序地位于包括第一导电类型半导体层的侧壁的层表面上的有源层和第二导电类型半导体层；波长转换单元，其分别对应于半导体发光单元，并且波长转换单元中的每一个布置成对应于第一导电类型半导体层；阻挡结构，其布置在与单元阵列对应的波长转换单元之间；以及开关单元，其布置在阻挡结构中并且电连接到半导体发光单元。
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公开(公告)号：CN109920813A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201811206670.3
申请日：2018-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种制造发光器件封装的方法，包括：形成单元阵列，该单元阵列包括半导体发光器以及分离区域，该半导体发光器包括衬底上的第一导电型半导体层和第二导电型半导体层以及有源层，该单元阵列具有与衬底接触的第一表面；通过去除衬底来暴露出分离区域的第一表面；在分离区域中的第一表面上形成晶种层；在发光器上形成光致抗蚀剂图案，使得光致抗蚀剂图案暴露出晶种层；通过镀覆光致抗蚀剂图案暴露出的区域来形成分隔结构，该分隔结构分离发光器；通过去除光致抗蚀剂图案来形成分隔结构的发光窗口，使得发光器在发光窗口的下端处暴露出来；以及通过用波长转换材料填充发光窗口来形成波长转换器。
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公开(公告)号：CN111009270B
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN201910701403.1
申请日：2019-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/22 , G11C11/4076 , G11C29/42
Abstract: 提供存储器设备。存储器设备包括：时钟缓冲器，用于接收主时钟信号并提供内部主时钟信号；数据时钟缓冲器，用于接收数据时钟信号；和延迟控制电路，被配置为基于数据时钟信号产生延迟信息并将延迟信息提供给数据输入/输出电路。延迟控制电路包括：分频器，被配置为基于数据时钟信号产生二分频时钟信号；分频器，被配置为基于第一组二分频时钟信号产生四分频时钟信号；第一同步检测器，被配置为输出指示第二组二分频时钟信号是否与数据时钟信号同步的二分频对准信号；和延迟选择器，被配置为基于二分频对准信号检测四分频时钟信号的相位并且基于相位调整主时钟信号的延迟。
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公开(公告)号：CN109962081B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN201811207297.3
申请日：2018-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/15
Abstract: 一种发光器件封装包括：第一波长转换部和第二波长转换部，转换入射光的波长以提供具有转换波长的光；透光分隔结构，沿着厚度方向沿着第一波长转换部和第二波长转换部的侧表面延伸，以将第一波长转换部和第二波长转换部沿着与厚度方向相交的方向分离；以及包括第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件的单元阵列，沿着厚度方向分别与第一波长转换部、第二波长转换部和透光分隔结构重叠。
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