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公开(公告)号：CN119730251A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202410554380.7
申请日：2024-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，该衬底包括单元区域和外围区域；第一下绝缘层，设置在单元区域上并延伸到外围区域上；第二下绝缘层，设置在单元区域上的第一下绝缘层上并延伸到外围区域上的第一下绝缘层上；数据存储图案，设置在单元区域上的第二下绝缘层上；单元绝缘层，设置在单元区域上的第二下绝缘层上并覆盖数据存储图案；以及外围绝缘层，设置在外围区域上的第二下绝缘层上并且包括与单元绝缘层不同的材料。外围区域上的第二下绝缘层的厚度小于单元区域上的第二下绝缘层的最大厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116096097A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211324354.2
申请日：2022-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括单元区域和外围区域；在单元区域和外围区域上的互连线，互连线在垂直于衬底的顶表面的第一方向上与衬底间隔开；在单元区域和外围区域上的下绝缘层，下绝缘层覆盖互连线，在单元区域上的下绝缘层的顶表面处于比互连线中的最上面的互连线的顶表面低的高度处；以及在单元区域上的下绝缘层上的数据存储图案，数据存储图案彼此水平地间隔开，数据存储图案直接连接到在单元区域上的最上面的互连线的顶表面。
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公开(公告)号：CN101879498A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010175660.5
申请日：2010-05-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B65H23/038 , B05C5/0241 , B05D1/40 , B05D3/067 , B65H2301/5114 , B65H2301/5126 , B65H2404/15212
Abstract: 本发明公开了一种卷对卷式图案化装置和具有该卷对卷式图案化装置的图案化系统，所述卷对卷式图案化装置包括用于对齐薄膜构件的对齐辊。随着对齐辊对齐进入图案辊和压辊之间的薄膜构件，薄膜构件可运动至准确的位置，这样能够制造具有准确图案的薄膜构件。
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公开(公告)号：CN114914269A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210106249.5
申请日：2022-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括第一区域和第二区域；数据存储图案，在第一区域上并且在第一方向上彼此间隔开；上绝缘层，在第一区域和第二区域上以及数据存储图案上；单元线结构，穿透第一区域上的上绝缘层，在第一方向上延伸，并且电连接到数据存储图案；以及上连接结构，穿透第二区域上的上绝缘层。上连接结构包括上导线和沿着上导线的底表面布置的上导电接触。上导线的底表面位于比单元线结构的底表面高的高度。单元线结构的侧表面具有连续延伸的直线形状。
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公开(公告)号：CN101879498B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201010175660.5
申请日：2010-05-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B65H23/038 , B05C5/0241 , B05D1/40 , B05D3/067 , B65H2301/5114 , B65H2301/5126 , B65H2404/15212
Abstract: 本发明公开了一种卷对卷式图案化装置和具有该卷对卷式图案化装置的图案化系统，所述卷对卷式图案化装置包括用于对齐薄膜构件的对齐辊。随着对齐辊对齐进入图案辊和压辊之间的薄膜构件，薄膜构件可运动至准确的位置，这样能够制造具有准确图案的薄膜构件。
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