公开(公告)号：CN115939209A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211197647.9

申请日：2022-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞敏硕 ,  薛珉洙 ,  权俊荣

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了场效应晶体管、包括该场效应晶体管的电子装置以及制造该场效应晶体管的方法。场效应晶体管可以包括：基板；在基板上的栅电极；在栅电极上的绝缘层；在绝缘层上的源电极；在绝缘层上且与源电极间隔开的漏电极；在源电极和漏电极之间并包括二维(2D)材料的沟道；邻近源电极和漏电极的2D材料电极接合层；以及邻近2D材料电极接合层的应力器。应力器可以配置为向2D材料电极接合层施加拉伸应变。

公开(公告)号：CN119815870A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411407337.4

申请日：2024-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权俊荣 ,  金昌炫 ,  卞卿溵 ,  薛珉洙

IPC: H10D30/60 ,  H10D30/01 ,  H10D62/80

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一沟道层和第二沟道层，在第一方向上彼此间隔开并且每个包括二维(2D)半导体材料；第一源电极，在第一沟道层和第二沟道层之间以同时与第一沟道层和第二沟道层接触；第一漏电极，在第一沟道层和第二沟道层之间以在垂直于第一方向的第二方向上与第一源电极间隔开并且同时与第一沟道层和第二沟道层接触；第一栅电极，布置在由第一源电极、第一漏电极、第一沟道层和第二沟道层围绕的第一内部空间中；以及第一栅极绝缘层，在第一内部空间中围绕第一栅电极。

公开(公告)号：CN117438462A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310389698.X

申请日：2023-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛珉洙 ,  权俊荣 ,  南志卓 ,  俞敏硕

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件可以包括：至少一个第一二维材料层；分别在所述至少一个第一二维材料层的两侧的源电极和漏电极；第二二维材料层，分别在源电极的一侧和漏电极的一侧并连接到所述至少一个第一二维材料层；围绕所述至少一个第一二维材料层的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上的栅电极。

公开(公告)号：CN117423728A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202310879146.7

申请日：2023-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昌炫 ,  薛珉洙 ,  权俊荣 ,  申建旭 ,  俞敏硕

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H10B10/00 ,  H10B41/35 ,  H10B43/35

Abstract: 本公开提供了半导体器件以及包括该半导体器件的电子装置。一种半导体器件包括：沟道，包括二维(2D)半导体材料；源电极和漏电极，分别电连接到沟道的相对两侧；过渡金属氧化物层，在沟道上并包括过渡金属氧化物；电介质层，在过渡金属氧化物层上并包括高k材料；以及栅电极，在电介质层上。

公开(公告)号：CN117393612A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202310850230.6

申请日：2023-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛珉洙 ,  权俊荣 ,  申建旭 ,  俞敏硕

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明涉及半导体器件、制造其的方法和包括其的电子设备。半导体器件可包括：二维材料层，其包括具有多晶结构的二维半导体材料；部分地在所述二维材料层上的金属性纳米颗粒；分别在所述二维材料层的两侧上的源电极和漏电极；以及在所述源电极和所述漏电极之间在所述二维材料层上的栅极绝缘层和栅电极。

公开(公告)号：CN116364646A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211684280.3

申请日：2022-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴英奭 ,  E.梁 ,  权俊荣

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/485 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

Abstract: 提供互连件、包括其的电子设备和形成互连件的方法。所述互连件包括：金属层；包围所述金属层的至少一部分的电介质层；以及设置在所述金属层和所述电介质层之间并且包括三元金属氧化物的中间层。

公开(公告)号：CN1165136C

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN02145806.5

申请日：2002-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权俊荣

IPC: H04L12/46

CPC classification number: H04M7/1205 ,  H04M3/42314 ,  H04M3/46 ,  H04M3/465

Abstract: 本发明披露了一种在IP-PBX系统中在传统终端与IP终端之间进行呼叫的装置和方法。过去仅在传统PBX电话系统使用的群振铃服务和站群服务之类的特征现在也能够在一个IP-PBX系统的IP终端上使用。本发明公开了给IP-PBX系统中的传统终端和IP终端提供站群服务和环组服务的方法。

公开(公告)号：CN1412981A

公开(公告)日：2003-04-23

申请号：CN02145806.5

申请日：2002-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权俊荣

IPC: H04L12/46 ,  H04M1/26

CPC classification number: H04M7/1205 ,  H04M3/42314 ,  H04M3/46 ,  H04M3/465

Abstract: 本发明披露了一种在IP－PBX系统中在传统终端与IP终端之间进行呼叫的装置和方法。过去仅在传统PBX电话系统使用的群振铃服务和站群服务之类的特征现在也能够在一个IP－PBX系统的IP终端上使用。本发明公开了给IP－PBX系统中的传统终端和IP终端提供站群服务和环组服务的方法。

公开(公告)号：CN114141863A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202111038495.3

申请日：2021-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛珉洙 ,  李珉贤 ,  权俊荣 ,  申铉振 ,  俞敏硕

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 公开了一种场效应晶体管和制造其的方法。该场效应晶体管包括在衬底上的源电极、与源电极分隔开的漏电极、连接在源电极和漏电极之间的沟道、栅绝缘层、以及栅电极。当在第一截面中看时，沟道可以具有中空闭合的截面结构，第一截面由在垂直于衬底的方向上跨过源电极和漏电极的平面形成。栅绝缘层可以在沟道中。栅电极可以通过栅绝缘层与源电极和漏电极绝缘。