公开(公告)号：CN103681556A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310445656.X

申请日：2013-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵文褀 ,  金泳龙 ,  朴善姬 ,  林桓植

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/0556 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/10165 ,  H01L2224/10175 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13008 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了凸块结构、电连接结构及其形成方法。该凸块结构可以包括：主体部分，与设置在基板上的焊盘间隔开；和第一延伸部，从主体部分的一侧延伸到焊盘上。第二延伸部从主体部分的另一侧延伸。

公开(公告)号：CN103681556B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201310445656.X

申请日：2013-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵文褀 ,  金泳龙 ,  朴善姬 ,  林桓植

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/0556 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/10165 ,  H01L2224/10175 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13008 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了凸块结构、电连接结构及其形成方法。该凸块结构可以包括：主体部分，与设置在基板上的焊盘间隔开；和第一延伸部，从主体部分的一侧延伸到焊盘上。第二延伸部从主体部分的另一侧延伸。

公开(公告)号：CN103035543A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210377594.9

申请日：2012-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵文祺 ,  林桓植 ,  朴善姬

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14104 ,  H01L2224/14515 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明涉及形成用于半导体器件的连接突块的方法，在所述半导体器件中形成重布线图案。所述方法包括：制备半导体衬底，在半导体衬底上通过钝化膜部分地暴露出焊盘；在焊盘和钝化膜上形成种子层；形成包括开口图案的光致抗蚀剂图案，所述开口图案包括暴露出焊盘上的种子层的一部分的第一开口以及暴露出钝化膜上的种子层的一部分并且与第一开口分开的第二开口；施行第一电镀，以便在开口图案中形成填充物层；施行第二电镀，以便在填充物层上形成焊料层；去除光致抗蚀剂图案；以及施行回流工艺，以便形成将各个填充物层彼此电连接的塌陷焊料层以及位于形成在第二开口中的填充物层上的焊料突块。

公开(公告)号：CN103579099A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310328965.9

申请日：2013-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢宝仁 ,  朴善姬 ,  权容焕

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05561 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有多凸点式电气互连件的半导体器件及其制造方法，所述制造半导体器件的方法可以包括：提供具有芯片焊盘的衬底；在所述衬底上形成焊料叠层，所述焊料叠层包括堆叠的至少两个焊料层和插入在所述至少两个焊料层之间的至少一个中间层。可以对所述焊料叠层进行回流焊，从而形成与所述芯片焊盘电连接的凸点叠层。所述凸点叠层可以包括堆叠的至少两个焊料凸点和插入在所述至少两个焊料凸点之间的至少一个中间层。本发明还公开了相关的结构。