公开(公告)号：CN110021667A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201811601984.3

申请日：2018-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴容喜 ,  姜明吉 ,  宋映锡 ,  千健龙

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明可提供一种垂直场效应晶体管，所述垂直场效应晶体管包括：第一源极/漏极区；沟道结构，从所述第一源极/漏极区向上突出且被配置成用作沟道，所述沟道结构在平面图中具有二维结构，所述沟道结构在所述沟道结构的至少一侧处具有开口，所述沟道结构包括一个或两个第一部分以及一个或多个第二部分，所述一个或两个第一部分在第一方向上延伸，且所述一个或多个第二部分连接到所述一个或两个第一部分中的对应的一者或多者且在第二方向上延伸，所述第二方向与所述第一方向不同；栅极结构，水平地环绕所述沟道结构；以及第二源极/漏极区，在所述沟道结构上向上。

公开(公告)号：CN114551443A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202111249646.X

申请日：2021-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴容喜 ,  姜明吉 ,  权义熙 ,  金胜圭 ,  金雅煐 ,  宋映锡

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种集成电路器件包括：鳍型有源区，设置在衬底上并且沿第一水平方向延伸；栅极线，设置在所述鳍型有源区上并且沿与所述第一水平方向相交的第二水平方向延伸，所述栅极线包括连接突出部分和主栅极部分，所述连接突出部分包括处于距所述衬底的第一垂直高度处的突出顶表面，所述主栅极部分包括自所述连接突出部分起沿所述第二水平方向延伸的凹陷顶表面，所述凹陷顶表面处于低于所述第一垂直高度的第二垂直高度处；栅极接触，设置在所述栅极线上并且连接到所述连接突出部分；源极/漏极区，设置在所述鳍型有源区上并且与所述栅极线相邻设置；和源极/漏极接触，设置在所述源极/漏极区上。

公开(公告)号：CN110021667B

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN201811601984.3

申请日：2018-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴容喜 ,  姜明吉 ,  宋映锡 ,  千健龙

IPC: H10D30/62 ,  H10D30/01 ,  H10D62/10

Abstract: 本发明可提供一种垂直场效应晶体管，所述垂直场效应晶体管包括：第一源极/漏极区；沟道结构，从所述第一源极/漏极区向上突出且被配置成用作沟道，所述沟道结构在平面图中具有二维结构，所述沟道结构在所述沟道结构的至少一侧处具有开口，所述沟道结构包括一个或两个第一部分以及一个或多个第二部分，所述一个或两个第一部分在第一方向上延伸，且所述一个或多个第二部分连接到所述一个或两个第一部分中的对应的一者或多者且在第二方向上延伸，所述第二方向与所述第一方向不同；栅极结构，水平地环绕所述沟道结构；以及第二源极/漏极区，在所述沟道结构上向上。

公开(公告)号：CN116613162A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310099129.1

申请日：2023-02-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋昇炫 ,  金必光 ,  柳主馨 ,  金成玟 ,  朴容喜 ,  宋映锡 ,  冈垣健

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 公开了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：包括第一区域和第二区域的衬底；在衬底中的器件隔离图案；在衬底的第一区域上的下分离电介质图案；在下分离电介质图案上的第一沟道图案；第一栅电极，在第一沟道图案上，并包括在下分离电介质图案和最下面的第一沟道图案之间的第一栅极部分；以及第一源极/漏极图案，在第一栅电极的相反侧并与第一沟道图案的侧表面接触。下分离电介质图案的底表面在高于或等于器件隔离图案的底表面的水平的水平。下分离电介质图案的顶端在比第一栅极部分的底表面的水平高的水平。