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公开(公告)号：CN112513790B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN201980050186.2
申请日：2019-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/038 , G06F3/0354 , G06F3/0481 , H02J7/00
Abstract: 一种电子装置包括：充电电路；通信电路；显示器；处理器；以及存储器，被配置为存储指令，其中，所述指令在被处理器执行时使处理器进行以下操作：通过使用通信电路从与电子装置相关的触控笔接收关于触控笔的可再充电电池的剩余电量的信息；基于识别出所述电池的剩余电量小于参考值，通过使用显示器来显示用于引导需要对所述电池进行充电的第一指示；并且响应于在显示第一指示时识别出触控笔与显示器接触，通过使用充电电路向触控笔提供用于对所述电池进行充电的电力，并通过使用显示器将第一指示改变为用于指示所述电池正被充电的第二指示。
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公开(公告)号：CN116137955A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202180061157.3
申请日：2021-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N21/414
Abstract: 一种根据各种实施例的电子装置可以包括第一通信模块、第二通信模块、传感器模块、相机模块和处理器，其中处理器被配置为：当相机接口被激活时，基于电子装置的已经基于从传感器模块接收的传感器信息而确定的拍摄方向信息、外部电子装置的已经基于通过第一通信模块接收的第一信号而确定的方向信息、以及相机的视角信息，确定共享外部电子装置；并且当由相机接口提供的图形对象被选择时，向所确定的外部电子装置发送拍摄的图像。可以提供各种其他实施例。
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公开(公告)号：CN101339954A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810110123.5
申请日：2008-06-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/12 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 示例实施例涉及一种包含氧化锌(ZnO)的氧化物半导体、一种包括由该氧化物半导体形成的沟道的薄膜晶体管以及一种制造该薄膜晶体管的方法。该氧化物半导体可包括：GaxInyZnz氧化物；至少一种材料，从由4B族元素、4B族氧化物、稀土元素及它们的组合组成的组中选择。
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公开(公告)号：CN101257048A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810080659.7
申请日：2008-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 姜东勋 , 斯蒂法诺维奇·金里克 , 宋利宪 , 朴永洙 , 金昌桢
IPC: H01L29/786 , H01L29/43 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管可以包括栅极；沟道层；源极和漏极，该源极和漏极由金属形成；以及金属氧化物层，该金属氧化物层在该沟道层与该源极和该漏极之间形成。该金属氧化物层可以在该沟道层与该源极和该漏极之间具有渐变的金属含量。
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公开(公告)号：CN1825594A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610004871.6
申请日：2006-01-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L29/78
CPC classification number: G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C11/56 , G11C2213/17 , H01L29/42332 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7887 , H01L29/7923 , H01L51/0048 , H01L51/0554 , Y10S977/938 , Y10S977/943
Abstract: 本发明涉及使用碳纳米管沟道的多位非易失性存储器件及其操作方法。该多位非易失性存储器件包括：由至少一个碳纳米管形成且在一方向上延伸的沟道；源极和漏极，其沿该沟道延伸的该方向彼此隔开布置，且接触该沟道的不同部分；形成在该沟道之下的第一存储节点；形成在该沟道上的第二存储节点；形成在该第一存储节点之下的第一栅极电极；以及形成在该第二存储节点上的第二栅极电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112262364B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN201980039047.X
申请日：2019-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/04815 , G06F3/04845 , G06F3/00 , G06F3/0488 , G06T19/00 , G06T19/20 , H04N5/262
Abstract: 公开了电子装置和系统。该电子装置包括：壳体；设置在壳体内并通过壳体的至少一部分暴露的触摸屏显示器；相机；设置在壳体内的无线通信电路；位置传感器；运动传感器；设置在壳体内并可操作地连接到显示器、相机、无线通信电路、位置传感器和运动传感器的处理器；以及设置在壳体内并可操作地连接到处理器的存储器，其中，该存储器被配置为存储指令，该指令在被执行时使得该处理器：利用相机来捕获图像，从相机接收所捕获的图像，从位置传感器接收与所捕获的图像相关联的位置数据，从运动传感器接收与所捕获的图像相关联的方位数据，通过显示器接收用于向所捕获的图像添加对象的用户输入，并且通过无线通信电路向外部服务器发送对象、捕获的图像、位置数据和方位数据。
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公开(公告)号：CN112771481B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN201980063149.5
申请日：2019-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/0354 , G06F3/038 , G06F3/14 , G06F1/16 , H04W4/80
Abstract: 提供了一种电子装置，该电子装置包括：壳体，包括内部空间和与内部空间连接的孔；第一导电线圈；第一无线通信电路；第一电磁谐振(EMR)通信控制电路；处理器，可操作地与第一EMR通信控制电路和第一无线通信电路连接；存储器，与至少一个处理器可操作地连接；以及手写笔，其可通过孔插入该内部空间中。存储器包括指令，所述指令在被执行时使得处理器利用第一EMR通信控制电路来发送或接收信号。
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公开(公告)号：CN111373762A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201880075213.7
申请日：2018-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N21/438 , H04N21/458 , H04N21/434 , H04N21/431
Abstract: 广播接收用于当广播信号中包括的信令信息已经改变时通过扫描广播信号来更新服务映射信息。
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公开(公告)号：CN109426413A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810959373.X
申请日：2018-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/0481 , G06F3/0488 , G06F9/451
CPC classification number: G06F3/04817 , G06F3/0481 , G06F3/0482 , G06F3/04883 , G06F2203/04803 , G06F2203/04808 , G06F9/451
Abstract: 提供了一种用于操作应用的电子装置和方法。所述电子装置包括：显示器、处理器和存储器，其中，存储器存储包括第一用户界面的第一应用程序和包括第二用户界面的第二应用程序。存储器存储指令，所述指令当被执行时使得处理器进行以下操作：响应于手势输入在邻近于边缘的区域中显示多个图标的阵列，其中，所述多个图标中的每个图标具有第一尺寸，所述多个图标中的一个图标包括第一图标和第二图标，第一图标和第二图标具有小于第一尺寸的第二尺寸，第一图标指示第一应用程序，第二图标指示第二应用程序；接收用于选择所述多个图标中的所述一个图标的输入；响应于接收到的输入在显示器上一起显示第一用户界面和第二用户界面。
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公开(公告)号：CN101060139A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200610148646.X
申请日：2006-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种非晶氧化锌(ZnO)薄膜晶体管(TFT)及其制造方法，所述非晶ZnO TFT包括：衬底；半导体沟道，在衬底上由包括n(GaO3)、m(InO3)和(ZnO)k的非晶ZnO基化合物半导体材料形成；源极和漏极电极，电接触半导体沟道的两端；栅极，形成围绕半导体沟道的电场；和栅极绝缘体，设置于栅极和半导体沟道之间。可以满足不等式条件n≥1.5、m≥1.5、k＞0。
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