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公开(公告)号：CN110580926B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN201910423205.3
申请日：2019-05-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器件的误码率均衡方法。当将包括信息数据和所述信息数据的奇偶校验位的码字写入存储器单元阵列时，所述存储器件根据存储器单元的电阻分布特性选择性地执行纠错码(ECC)交织操作。在根据一个示例的ECC交织操作中，包括信息数据的ECC扇区被划分为第一ECC子扇区和第二ECC子扇区，所述第一ECC子扇区被写入具有高误码率(BER)的第一存储区域的存储器单元，并且第二ECC子扇区被写入具有低BER的第二存储区域的存储器单元。
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公开(公告)号：CN116343871A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211223298.3
申请日：2022-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了在非易失性存储器中重编程数据的方法和编程数据的方法。在一种在非易失性存储器装置中对数据进行重编程的方法中，所述非易失性存储器装置包括多个页，所述多个页中的每个页包括多个存储器单元，从编程在所述多个页中的多个页数据之中读取编程在第一页中的第一页数据。所述多个页数据具有包括多个状态的阈值电压分布。对第一页数据执行纠错码(ECC)解码。基于对第一页数据执行ECC解码的结果和重编程电压，对包括在第一页数据中的多个位之中的发生错误的目标位选择性地执行重编程操作。目标位与所述多个状态之中的第一状态对应。重编程电压的电压电平被适应性地改变。
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公开(公告)号：CN116129967A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211369589.3
申请日：2022-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供操作存储器系统的方法、存储器系统和存储器装置。所述操作包括包含多个存储器块的存储器装置和存储器控制器的存储器系统的方法包括：由存储器控制器检测具有大于或等于第一参考值的劣化计数的第一存储器块。由存储器控制器将用于第一存储器块的第一命令发送到存储器装置。由存储器装置响应于第一命令，通过将第一电压施加到连接到第一存储器块的多条字线中的全部并且将第二电压施加到连接到第一存储器块的位线来执行恢复操作。第一电压大于被施加以导通连接到所述多条字线中的全部的存储器单元的电压。第二电压大于在编程操作、读取操作或擦除操作期间施加到所述位线的电压。
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公开(公告)号：CN115996571A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211265456.1
申请日：2022-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置。所述非易失性存储器装置包括：基底；堆叠结构，包括在水平方向上延伸的第一栅极层和在水平方向上延伸并且在竖直方向上与第一栅极层间隔开设置的第二栅极层；多个第一沟道结构，在竖直方向上穿透堆叠结构的第一沟道区域；多个第二沟道结构，在竖直方向上穿透堆叠结构的第二沟道区域；第一反熔丝结构和第二反熔丝结构，各自在竖直方向上穿透堆叠结构的反熔丝区域；第一反熔丝晶体管，通过第一反熔丝结构电连接到第一栅极层；以及第二反熔丝晶体管，通过第二反熔丝结构电连接到第二栅极层。
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公开(公告)号：CN115632040A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202210807570.6
申请日：2022-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H10B41/30 , H10B43/30
Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：在第一方向上交替布置的多个绝缘层和多个栅电极；以及在所述第一方向上穿过所述多个栅电极和所述多个绝缘层的多个沟道结构，其中，所述多个栅电极中的每一个包括：包括围绕所述多个沟道结构的内壁的第一导电层；以及在与所述第一方向垂直的第二方向上与所述多个沟道结构分离的第二导电层，其中，所述第二导电层的电阻率小于所述第一导电层的电阻率。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN111199768A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201910489712.7
申请日：2019-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种存储器控制器、存储器系统以及存储器系统的纠错方法。所述存储器控制器包括：纠错码(ECC)电路，被配置为：校正从存储器装置提供的读取码字的错误，其中，ECC电路包括：码字组合生成器，被配置为：接收从存储器装置的第一区域读取的包括多个第一读取码字比特值的第一读取码字，通过改变所述多个第一读取码字比特值中的一个或多个的值来生成改变码字，并且提供包括改变码字的码字组合；以及ECC解码器，包括多个ECC引擎，其中，ECC解码器被配置为并行地对包括在码字组合中的多个码字执行ECC解码。
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公开(公告)号：CN108735253A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710260714.X
申请日：2017-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 提供了一种非易失性存储器存储系统。非易失性存储器存储系统包括多个存储器单元和存储器控制器，存储器控制器被配置为基于多个读取电压向非易失性存储器装置传输读取命令。非易失性存储器装置基于所述多个读取电压之中的第一读取电压对N个电平之中的第一电平执行第一读取操作，对所述多个存储器单元之中的响应于第一读取电压的导通单元的数量进行计数，根据导通单元的计数的数量与参考单元的数量的比较结果调整所述多个读取电压之中的将要用于对所述N个电平之中的第一电平或第二电平执行第二读取操作的第二读取电压的电平。
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公开(公告)号：CN103544993A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310291074.0
申请日：2013-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/16 , G06F12/0246 , G06F12/0253 , G06F2212/7205 , G11C11/5671 , G11C16/0416 , G11C16/0466 , G11C16/3445
Abstract: 一种非易失性存储器件的擦除方法包括设置擦除模式，以及根据设置的擦除模式执行正常擦除操作和快速擦除操作之一。正常擦除操作被执行以便将存储单元的阈值电压设置为低于第一擦除验证电平的擦除状态。快速擦除操作被执行以便将存储单元的阈值电压设置为低于第二擦除验证电平的伪擦除状态。第二擦除验证电平高于第一擦除验证电平。
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公开(公告)号：CN119149289A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411260699.5
申请日：2020-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F11/10
Abstract: 公开存储器系统和控制存储器装置的方法。所述方法包括：从存储器装置读取第一读取数据；纠正第一读取数据中已经发生错误的第一存储器区域的位，并且将没有发生错误的第二存储器区域的位反相；识别第一存储器区域中的第一错误类型和第二存储器区域中的第二错误类型，第二错误类型与第一错误类型不同；并且基于第一错误类型和第二错误类型中的至少一个，将具有最小错误的第二写入数据写入存储器装置。
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